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マイクロチップ，シリアルEEPROM 512kbit シリアル-SPI AEC-Q100
MICROCHIP
￥44,980税込￥49,478
1セット(100個)
7日以内出荷から8日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
バリエーション一覧へ(2)
マイクロチップ，フラッシュメモリ 2MB パラレル， 32-Pin， SST39SF020A-70-4I-NHE
MICROCHIP
￥11,980税込￥13,178
1セット(30個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ 2MB●インターフェースタイプパラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 256 x 8ビット●実装タイプ表面実装●セルタイプスプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●最大ランダムアクセス時間 70ns●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作耐久性 100000回(標準) 低消費電力アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ自動書き込み時間内部VPP生成 End-of-Write検出トグルビットデータ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ，フラッシュメモリ 2MB パラレル， 32-Pin， SST39SF020A-70-4C-NHE
MICROCHIP
￥1,898税込￥2,088
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ 2MB●インターフェースタイプパラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 256 x 8ビット●実装タイプ表面実装●セルタイプスプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●最大ランダムアクセス時間 70ns●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作耐久性 100000回(標準) 低消費電力アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ自動書き込み時間内部VPP生成 End-of-Write検出トグルビットデータ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ，フラッシュメモリ 1MB パラレル， 32-Pin， SST39SF010A-70-4C-WHE
MICROCHIP
￥2,898税込￥3,188
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ 1MB●インターフェースタイプパラレル●パッケージタイプ TSOP●ピン数 32●構成 128 x 8ビット●実装タイプ表面実装●セルタイプスプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成対称●長さ 8.1mm●高さ 1.05mm●幅 12.5mm●寸法 12.5 8.1 1.05mm●ワード数 128Kbit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作耐久性 100000回(標準) 低消費電力アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ自動書き込み時間内部VPP生成 End-of-Write検出トグルビットデータ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ， 64Mbit フラッシュメモリ SPI， 2.7→3.6V， 8-PinWDFN
MICROCHIP
￥1,198税込￥1,318
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様メモリサイズ：64Mbit●インターフェースタイプ：SPI●パッケージタイプ：WDFN●ピン数：8●構成：8 x 8ビット●実装タイプ：表面実装●セルタイプ：スプリットゲート●動作供給電圧 Min：2.7 V●動作供給電圧 Max：3.6 V●ブロック構成：対称●長さ：6mm●高さ：0.75mm●幅：5mm●寸法：6 5 0.75mm●最大ランダムアクセス時間：3ns●SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル高速クロック周波数最大104 MHz バーストモード低消費電力アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間セクタブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能ソフトウェア書き込み保護RoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ，フラッシュメモリ 2MB パラレル， 32-Pin， SST39SF020A-70-4C-PHE
MICROCHIP
￥6,298税込￥6,928
1セット(11個)
8日以内出荷
仕様●メモリサイズ 2MB●インターフェースタイプパラレル●パッケージタイプ PDIP●ピン数 32●構成 256 x 8ビット●実装タイプスルーホール●セルタイプスプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成対称●長さ 42.04mm●高さ 3.81mm●幅 13.97mm●寸法 42.04 13.97 3.81mm●シリーズ SST39ns●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作耐久性 100000回(標準) 低消費電力アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ自動書き込み時間内部VPP生成 End-of-Write検出トグルビットデータ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ，フラッシュメモリ 1MB パラレル， 32-Pin， SST39SF010A-70-4I-NHE
MICROCHIP
￥9,998税込￥10,998
1セット(30個)
8日以内出荷
仕様●メモリサイズ 1MB●インターフェースタイプパラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 128 x 8ビット●実装タイプ表面実装●セルタイプスプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●シリーズ SST39bit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作耐久性 100000回(標準) 低消費電力アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ自動書き込み時間内部VPP生成 End-of-Write検出トグルビットデータ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ， 4Mbit フラッシュメモリパラレル， 4.5→5.5V， 32-Pin PLCC
MICROCHIP
￥2,698税込￥2,968
1袋(5個)
8日以内出荷
仕様メモリサイズ：4Mbit、インターフェースタイプ：パラレル、パッケージタイプ：PLCC、ピン数：32、構成：512 K x 8ビット、実装タイプ：表面実装、セルタイプ：スプリットゲート、動作供給電圧 Min：4.5 V、動作供給電圧 Max：5.5 V、長さ：11.43mm、高さ：2.79mm、幅：13.97mm、寸法：11.43 x 13.97 x 2.79mm、ワード数：512K、SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは、パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作耐久性ー100，000回(標準) 低消費電力 - アクティブ電流10 mA、スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ読み取りアクセス時間: 55 → 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間ー14 μs(標準) チップ書換え時間ーSST39SF010A 2秒、SST39SF020A 4秒、SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ自動書き込みー内部VPP生成 End-of-Write検出ートグルビットーデータ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格ーフラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ，シリアルEEPROM 512kB シリアル-SPI AEC-Q100
MICROCHIP
￥41,980税込￥46,178
1セット(100個)
8日以内出荷
仕様●メモリサイズ：512kB●インターフェースタイプ：シリアル-SPI●パッケージタイプ：SOIC●実装タイプ：表面実装●ピン数：8●構成：65536 x 8ビット●動作供給電圧 Min：2.5 V●動作供給電圧 Max：5.5 V●プログラミング電圧：2.5 → 5.5V●1ワード当たりのビット数：8bit●寸法：4.9 x 3.9 x 1.5mm●データ保持：200年●25AA512/25LC512 SPIシリアルEEPROM. Microchipの25AA512/25LC512ファミリのデバイスは、32 KビットSPIシリアルEEPROMです。さまざまなパッケージ、温度、電源タイプを用意しています。一般に、フラッシュベース製品に関連するページ、セクタ、チップ消去機能を搭載しています。シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)はクロック入力(SCK)、データ入力(SI)、データ出力(SO)信号が必要な場合に利用します。このデバイスの動作はホールドピン(HOLD)から一時停止できます。これにより、チップセレクト(CS)ピンから定義されている優先度の高い割り込みを除く入力が無視されます。. 特長. 最大クロック速度: 20 MHz バイト及びページレベルの書き込み操作(最大5 ms): ページ又はセクタ消去が不要 128バイトページ最大書き込み電流: 5 mA @ 5.5 V、20 MHz 読み取り電流: 10 mA @ 5.5 V、20 MHz スタンバイ電流: 1 μA @ 2.5 V (ディープパワーダウン) デバイスID用の電子署名セルフ時限の消去及び書き込みサイクル: ページ消去(5 ms、標準)、セクタ消去(10 ms/セクタ、標準)、バルク消去(10 ms、標準) セクタ書き込み保護(16 Kバイト/セクタ): 保護なし、1/41/2、全アレイ内蔵書込み保護: 電源オン / オフ時データ保護回路、書き込み有効ラッチ、書き込み保護ピン耐久性: 100万回の消去 / 書き込みデータ保持: ＞200年間 ESD保護: ＞4000 VRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ，シリアルEEPROM 512kbit SPI
MICROCHIP
￥42,980税込￥47,278
1セット(100個)
8日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
バリエーション一覧へ(2)
マイクロチップ，フラッシュメモリ 4MB パラレル， 32-Pin， SST39SF040-70-4I-NHE
MICROCHIP
￥2,598税込￥2,858
1袋(5個)
8日以内出荷
仕様●メモリサイズ 4MB●インターフェースタイプパラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 512 x 8ビット●実装タイプ表面実装●セルタイプスプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●1ワード当たりのビット数 8bit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作耐久性 100000回(標準) 低消費電力アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ自動書き込み時間内部VPP生成 End-of-Write検出トグルビットデータ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ， 4Mbit フラッシュメモリパラレル， 32-Pin PLCC
MICROCHIP
￥16,980税込￥18,678
1セット(30個)
8日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
バリエーション一覧へ(2)
マイクロチップ，フラッシュメモリ 32Mbit SPI， 8-Pin， SST26VF032B-104I/MF
MICROCHIP
￥1,998税込￥2,198
1袋(5個)
8日以内出荷
仕様●メモリサイズ 32Mbit●インターフェースタイプ SPI●パッケージタイプ WDFN●ピン数 8●構成 4 x 8ビット●実装タイプ表面実装●セルタイプスプリットゲート●動作供給電圧 Min 2.7 V●動作供給電圧 Max 3.6 V●ブロック構成対称●長さ 6mm●高さ 0.75mm●幅 5mm●寸法 6 5 0.75mm●シリーズ SST26bit●SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは●シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで●6線式●4ビットI/Oインターフェイスを備えており●ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力●高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば●最高で104 MHzの性能を発揮し●最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。これらのフラッシュメモリチップは●従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。これらのデバイスは●SuperFlashR技術を使用することで●他のフラッシュメモリ代替品に比べると●非常に優れた消去時間を発揮します。通常●セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し●完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。. 特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャニブル単位の多重化I/O●SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル高速クロック周波数最大104 MHz バーストモード低消費電力アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)●スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間セクタブロック消去: 18 ms(代表値)●チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能ソフトウェア書き込み保護RoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ， 64Mbit フラッシュメモリ SPI， 2.7→3.6V， 8-PinWDFN
MICROCHIP
￥1,498税込￥1,648
1袋(2個)
8日以内出荷
仕様メモリサイズ：64Mbit インターフェースタイプ：SPI パッケージタイプ：WDFN ピン数：8 構成：8 x 8ビット実装タイプ：表面実装セルタイプ：スプリットゲート動作供給電圧 Min：2.7 、動作供給電圧 Max：3.6 、長さ：6mm 高さ：0.8mm 幅：8mm 寸法：6 8 0.8mm 動作温度 Max： +85 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル高速クロック周波数最大104 MHz バーストモード低消費電力アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間セクタブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能ソフトウェア書き込み保護RoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ， 64Mbit フラッシュメモリ SPI， 8-Pin SOIJ
MICROCHIP
￥50,980税込￥56,078
1セット(90個)
8日以内出荷
仕様メモリサイズ：64Mbit●インターフェースタイプ：SPI●パッケージタイプ：SOIJ●ピン数：8●構成：8 x 8ビット●実装タイプ：表面実装●セルタイプ：スプリットゲート●動作供給電圧 Min：2.7 V●動作供給電圧 Max：3.6 V●ブロック構成：対称●長さ：5.26mm●高さ：1.98mm●幅：5.25mm●寸法：5.26 5.25 1.98mm●ワード数：8M●SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル高速クロック周波数最大104 MHz バーストモード低消費電力アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間セクタブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能ソフトウェア書き込み保護RoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ，フラッシュメモリ 32Mbit SPI， 8-Pin， SST26VF032B-104I/SM
MICROCHIP
￥31,980税込￥35,178
1セット(90個)
8日以内出荷
仕様●メモリサイズ 32Mbit●インターフェースタイプ SPI●パッケージタイプ SOIJ●ピン数 8●構成 4 x 8ビット●実装タイプ表面実装●セルタイプスプリットゲート●動作供給電圧 Min 2.7 V●動作供給電圧 Max 3.6 V●ブロック構成対称●長さ 5.26mm●高さ 1.98mm●幅 5.25mm●寸法 5.26 5.25 1.98mm●シリーズ SST26bit●SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは●シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで●6線式●4ビットI/Oインターフェイスを備えており●ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力●高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば●最高で104 MHzの性能を発揮し●最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。これらのフラッシュメモリチップは●従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。これらのデバイスは●SuperFlashR技術を使用することで●他のフラッシュメモリ代替品に比べると●非常に優れた消去時間を発揮します。通常●セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し●完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。. 特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャニブル単位の多重化I/O●SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル高速クロック周波数最大104 MHz バーストモード低消費電力アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)●スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間セクタブロック消去: 18 ms(代表値)●チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能ソフトウェア書き込み保護RoHS指令(10物質対応)対応