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「ms4-10」の検索結果
マイクロチップ， 4Mbit フラッシュメモリ パラレル， 4.5→5.5V， 32-Pin PLCC
MICROCHIP￥2,598税込￥2,8581袋(5個)当日出荷仕様メモリサイズ：4Mbit、インターフェースタイプ：パラレル、パッケージタイプ：PLCC、ピン数：32、構成：512 K x 8ビット、実装タイプ：表面実装、セルタイプ：スプリットゲート、動作供給電圧 Min：4.5 V、動作供給電圧 Max：5.5 V、長さ：11.43mm、高さ：2.79mm、幅：13.97mm、寸法：11.43 x 13.97 x 2.79mm、ワード数：512K、SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは、パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性ー100，000回(標準) 低消費電力 - アクティブ電流10 mA、スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 → 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間ー14 μs(標準) チップ書換え時間ーSST39SF010A 2秒、SST39SF020A 4秒、SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込みー内部VPP生成 End-of-Write検出ートグルビットーデータ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格ーフラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ， フラッシュメモリ 1MB パラレル， 32-Pin， SST39SF010A-70-4I-NHE
MICROCHIP￥9,998税込￥10,9981セット(30個)7日以内出荷仕様●メモリサイズ 1MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 128 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●シリーズ SST39bit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ， シリアルEEPROM 256kbit シリアル-SPI
MICROCHIP￥2,998税込￥3,2981袋(10個)7日以内出荷Microchip 25AA256-I/P は、256 K ビットシリアル電気消去可能 PROM です。このメモリには、シンプルなシリアルペリフェラルインターフェース(SPI)互換のシリアルバスを使用してアクセスします。必要なバス信号は、クロック入力(SCK)に加えて、データ入力(SI)とデータ出力(SO)の個別のラインです。デバイスへのアクセスは、チップ選択(CS)入力によって制御されます。デバイスとの通信は、ホールド(HOLD)ピンで一時停止させることができます。最大クロック: 10 MHz 低電力CMOSテクノロジー: 書き込み電流: 5 mA (最大) @ 5.5 V - 読み取り電流: 5 mA (最大) @ 5.5 V、10 MHz - スタンバイ電流: 1 μA @ 5.5V セルフ時限の消去及び書き込みサイクル: 5 ms (最大) ブロック書き込み保護: 保護なし、1/4、1/2、全アレイ 内蔵書込み保護: 電源オン / オフ時データ保護回路、書き込み有効ラッチ、書き込み保護ピン シーケンシャル読み取り 高い信頼性: 耐久性: 100万回の消去 / 書き込みサイクル - データ保持: 200年 - ESD保護: 4000 V 対応温度範囲： 車載向けAEC-Q100認定仕様メモリサイズ = 256kbitインターフェースタイプ = シリアル-SPIパッケージタイプ = DFN 、PDIP 、SOIC 、TSSOP実装タイプ = スルーホールピン数 = 8構成 = 32 K x 8ビット動作供給電圧 Min = 1.8 V動作供給電圧 Max = 5.5 Vプログラミング電圧 = 1.8 → 5.5V1ワード当たりのビット数 = 8bit寸法 = 9.27 x 6.35 x 3.3mm動作温度 Max = +85 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Microchip オペアンプ， 表面実装， 2回路， 単一電源， MCP6032-E/SN
MICROCHIP￥17,980税込￥19,7781セット(100個)7日以内出荷仕様●アンプタイプ： 高精度●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： SOIC●電源タイプ： 単一電源●回路数： 2●ピン数： 8●標準ゲイン帯域幅積： 10kHz●標準スルーレート： 4V/ms●最大動作周波数： 1 kHz●動作温度 Min： -40 ℃●レール to レール： レール to レール入力/出力μV●入力オフセット電流： 1pA●MCP6031 / 6032 / 6033 / 6034オペアンプRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ， フラッシュメモリ 2MB パラレル， 32-Pin， SST39SF020A-70-4C-PHE
MICROCHIP￥6,198税込￥6,8181セット(11個)7日以内出荷仕様●メモリサイズ 2MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PDIP●ピン数 32●構成 256 x 8ビット●実装タイプ スルーホール●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 42.04mm●高さ 3.81mm●幅 13.97mm●寸法 42.04 13.97 3.81mm●シリーズ SST39ns●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ， フラッシュメモリ 4Mbit パラレル， 32-Pin， SST39SF040-70-4C-NHE
MICROCHIP￥919税込￥1,0111袋(2個)7日以内出荷仕様●メモリサイズ 4Mbit●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 512 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 11.51 14.05 2.84mm●最大ランダムアクセス時間 70ns●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ， フラッシュメモリ 4MB パラレル， 32-Pin， SST39SF040-70-4I-NHE
MICROCHIP￥2,498税込￥2,7481袋(5個)7日以内出荷仕様●メモリサイズ 4MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 512 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●1ワード当たりのビット数 8bit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応
