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Microchip MOSFETゲートドライバ 1.5 A PDIP 8-Pin ローサイドスルーホール
MICROCHIP
￥3,500税込￥3,850
1袋(10個)
当日出荷から8日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
バリエーション一覧へ(2)
Microchip MOSFETゲートドライバ 1.5 A PDIP 2 8-Pin ローサイド反転スルーホール
MICROCHIP
￥2,898税込￥3,188
1袋(10個)
3日以内出荷から8日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
バリエーション一覧へ(4)
Microchip MOSFETゲートドライバ 1.5 A SOIC 2 8-Pin ローサイド非反転表面実装
MICROCHIP
￥1,398税込￥1,538
1袋(5個)
8日以内出荷
TC426 / 427 / 428 MOSFETドライバ. Microchip TC426、TC427、TC428デバイスは、デュアルローサイドMOSFETドライバです。. 特長. 高速スイッチング(CL = 1000 pF): 30 ns 高ピークの出力電流: 1.5 A 高出力電圧スイング: VDD -25 mV、GND +25 mV 低入力電流(ロジック「0」又は「1」): 1 μA TTL / CMOS入力に対応構成: TC426 - 反転、TC427 - 非反転、TC428 - 反転 / 非反転動作供給電圧: 4.5 → 18 V 電流消費量: 低入力0.4 mA、高入力8 mA シングル電源動作低出力インピーダンス: 6 Ω ラッチアップ抵抗: >；500 mAの逆電流に耐える ESD保護: 2 kV
仕様ロジックタイプ = CMOS， TTL出力電流 = 1.5 A供給電圧 = 18Vピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC出力数 = 2トポロジー = ローサイドドライバ数 = 2極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ，フラッシュメモリ 1MB パラレル， 32-Pin， SST39SF010A-70-4I-NHE
MICROCHIP
￥9,998税込￥10,998
1セット(30個)
8日以内出荷
仕様●メモリサイズ 1MB●インターフェースタイプパラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 128 x 8ビット●実装タイプ表面実装●セルタイプスプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●シリーズ SST39bit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作耐久性 100000回(標準) 低消費電力アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ自動書き込み時間内部VPP生成 End-of-Write検出トグルビットデータ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ， 4Mbit フラッシュメモリパラレル， 4.5→5.5V， 32-Pin PLCC
MICROCHIP
￥2,698税込￥2,968
1袋(5個)
8日以内出荷
仕様メモリサイズ：4Mbit、インターフェースタイプ：パラレル、パッケージタイプ：PLCC、ピン数：32、構成：512 K x 8ビット、実装タイプ：表面実装、セルタイプ：スプリットゲート、動作供給電圧 Min：4.5 V、動作供給電圧 Max：5.5 V、長さ：11.43mm、高さ：2.79mm、幅：13.97mm、寸法：11.43 x 13.97 x 2.79mm、ワード数：512K、SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは、パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作耐久性ー100，000回(標準) 低消費電力 - アクティブ電流10 mA、スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ読み取りアクセス時間: 55 → 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間ー14 μs(標準) チップ書換え時間ーSST39SF010A 2秒、SST39SF020A 4秒、SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ自動書き込みー内部VPP生成 End-of-Write検出ートグルビットーデータ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格ーフラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応
Microchip MOSFETゲートドライバ 1.5 A PDIP 2 8-Pin ローサイド反転，非反転スルーホール
MICROCHIP
￥16,980税込￥18,678
1セット(60個)
8日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
バリエーション一覧へ(2)
Microchip MOSFETゲートドライバ 1.5 A SOIC 8-Pin ローサイドスルーホール
MICROCHIP
￥2,798税込￥3,078
1袋(10個)
8日以内出荷
仕様●出力電流： 1.5 A●供給電圧： 18V●ピン数： 8●パッケージタイプ： SOIC●トポロジー：ローサイド●ドライバ数： 2●実装タイプ：スルーホール●Microchip TC4427 は、以前の TC427 ファミリの MOSFET ドライバの改善バージョンです。MOSFET の充電及び放電ゲートでの立ち上り / 立ち下り時間に一致します。これらの製品は、定格電力と定格電圧のあらゆる条件下で優れたラッチアップ耐性を発揮します。接地ピンで発生したノイズスパイクが5 V以下(極性を問いません)の場合、これらの製品が破損することはありません。逆電流(極性を問いません)が出力に戻ってきた場合でも、これらの製品は、損傷やロジックの混乱がない状態で500 mAまで対応できます。すべての端子が最大 2.0 kV の静電放電( ESD )から完全に保護されています。TC4427 MOSFET ドライバは、 30 ns 未満で 1000 pF ゲート静電容量を簡単に充電 / 放電することができます。高ピークの出力電流: 1.5 A 広い入力供給電圧(動作範囲): 4.5 → 18 V 大容量負荷駆動能力: 11.5 ns以下で1000 pF (標準) 短い遅延時間： 40 ns (標準) 低出力インピーダンス: 2.5 Ω ラッチアップ保護: 0.5Aの逆電流に対する耐性RoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ，フラッシュメモリ 2MB パラレル， 32-Pin， SST39SF020A-70-4C-PHE
MICROCHIP
￥6,298税込￥6,928
1セット(11個)
8日以内出荷
仕様●メモリサイズ 2MB●インターフェースタイプパラレル●パッケージタイプ PDIP●ピン数 32●構成 256 x 8ビット●実装タイプスルーホール●セルタイプスプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成対称●長さ 42.04mm●高さ 3.81mm●幅 13.97mm●寸法 42.04 13.97 3.81mm●シリーズ SST39ns●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作耐久性 100000回(標準) 低消費電力アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ自動書き込み時間内部VPP生成 End-of-Write検出トグルビットデータ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ，フラッシュメモリ 4Mbit パラレル， 32-Pin， SST39SF040-70-4C-NHE
MICROCHIP
￥939税込￥1,033
1袋(2個)
8日以内出荷
仕様●メモリサイズ 4Mbit●インターフェースタイプパラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 512 x 8ビット●実装タイプ表面実装●セルタイプスプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 11.51 14.05 2.84mm●最大ランダムアクセス時間 70ns●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作耐久性 100000回(標準) 低消費電力アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ自動書き込み時間内部VPP生成 End-of-Write検出トグルビットデータ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ，フラッシュメモリ 4MB パラレル， 32-Pin， SST39SF040-70-4I-NHE
MICROCHIP
￥2,598税込￥2,858
1袋(5個)
8日以内出荷
仕様●メモリサイズ 4MB●インターフェースタイプパラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 512 x 8ビット●実装タイプ表面実装●セルタイプスプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●1ワード当たりのビット数 8bit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作耐久性 100000回(標準) 低消費電力アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ自動書き込み時間内部VPP生成 End-of-Write検出トグルビットデータ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ， 4Mbit フラッシュメモリパラレル， 32-Pin PLCC
MICROCHIP
￥16,980税込￥18,678
1セット(30個)
8日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
バリエーション一覧へ(2)