カテゴリ
- 制御機器(7)
絞り込み
ブランド
- MICROCHIP
- SMC(1,051)
- NSK(日本精工)(25)
- シグマ光機(13)
- ESTERA(9)
- TRUSCO(8)
- REX(レッキス工業)(8)
- SHIMANO(シマノ)(8)
- CKD(7)
- RS PRO(6)
- MOTO GRAFIX (モトグラフィックス)(6)
- DiodesZetex(5)
- ミドリ安全(4)
- アマテイ(4)
- Merck(メルクミリポア)(4)
- 奥岡製作所(4)
- BROADCOM(3)
- コンサス(3)
- アイセル(2)
- ブランドをもっと見る
エコロジープロダクト
RoHS10物質対応(7)
「ns25」の検索結果
特価
の全商品がキャンペーンコード入力で通常価格より
マイクロチップ， シリアルEEPROM 512kbit シリアル-SPI AEC-Q100MICROCHIP￥39,980税込￥43,978
1セット(100個)
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
Microchip MOSFETゲートドライバ 1.5 A PDIP 2 8-Pin ローサイド 反転， 非反転 スルーホールMICROCHIP￥15,980税込￥17,578
1セット(60個)
翌々日出荷から7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
Microchip MOSFETゲートドライバ 1.5 A SOIC 2 8-Pin ローサイド 表面実装MICROCHIP￥16,980税込￥18,678
1セット(95個)
5日以内出荷
MIC4426 / 4427 / 4428ファミリは、BiCMOS / DMOSプロセスで製造された信頼性の高いデュアルローサイドMOSFETドライバで、低消費電力と高効率を実現します。このドライバは、TTL又はCMOS入力ロジックレベルを正の供給電圧又は接地の25 mV以内でスイングする出力電圧レベルに変換します。同等品のバイポーラデバイスは、供給電圧の1 V以内でのみスイングすることができます。MIC4426 / 7 / 8には、デュアル反転、デュアル非反転、1つの反転 / 1つの非反転出力の3つの構成を用意しています。バイポーラ / CMOS / DMOS構造 逆電流に対するラッチアップ保護: >500 mA ピーク出力電流: 1.5 A 動作電圧範囲: 4.5 → 18 V 低静止供給電流 4 mA、ロジック1入力 バイポーラ / CMOS / DMOS構造 逆電流に対するラッチアップ保護: >500 mA ピーク出力電流: 1.5 A 動作電圧範囲: 4.5 → 18 V 低静止供給電流 4 mA、ロジック1入力 400 μA、ロジック0入力 25 nsで1000 pFを切り替え可能 調和のとれた立ち上り / 立ち下り時間 出力インピーダンス: 7 Ω 遅延時間: <40 ns (標準)
仕様ロジックタイプ = CMOS， TTL出力電流 = 1.5 A供給電圧 = 18Vピン数 = 8パッケージタイプ = SOICns出力数 = 2上昇時間 = 40nsトポロジー = ローサイド高/低サイド依存性 = 独立ドライバ数 = 2ns実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ， シリアルEEPROM 512kbit シリアル-SPIMICROCHIP￥37,980税込￥41,778
1セット(100個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ：512kbit●インターフェースタイプ：シリアル-SPI●パッケージタイプ：SOIC●実装タイプ：表面実装●ピン数：8●構成：64 K x 8ビット●動作供給電圧 Min：2.5 V●動作供給電圧 Max：5.5 V●プログラミング電圧：2.5 → 5.5V●1ワード当たりのビット数：8bit●寸法：4.9 x 3.9 x 1.25mm●最大ランダムアクセス時間：50ns●25AA512/25LC512 SPIシリアルEEPROM. Microchipの25AA512/25LC512ファミリのデバイスは、32 KビットSPIシリアルEEPROMです。さまざまなパッケージ、温度、電源タイプを用意しています。 一般に、フラッシュベース製品に関連するページ、セクタ、チップ消去機能を搭載しています。 シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)はクロック入力(SCK)、データ入力(SI)、データ出力(SO)信号が必要な場合に利用します。 このデバイスの動作はホールドピン(HOLD)から一時停止できます。これにより、チップセレクト(CS)ピンから定義されている優先度の高い割り込みを除く入力が無視されます。. 特長. 最大クロック速度: 20 MHz バイト及びページレベルの書き込み操作(最大5 ms): ページ又はセクタ消去が不要 128バイトページ 最大書き込み電流: 5 mA @ 5.5 V、20 MHz 読み取り電流: 10 mA @ 5.5 V、20 MHz スタンバイ電流: 1 μA @ 2.5 V (ディープパワーダウン) デバイスID用の電子署名 セルフ時限の消去及び書き込みサイクル: ページ消去(5 ms、標準)、セクタ消去(10 ms/セクタ、標準)、バルク消去(10 ms、標準) セクタ書き込み保護(16 Kバイト/セクタ): 保護なし、1/41/2、全アレイ 内蔵書込み保護: 電源オン / オフ時データ保護回路、書き込み有効ラッチ、書き込み保護ピン 耐久性: 100万回の消去 / 書き込み データ保持: ＞200年間 ESD保護: ＞4000 VRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ SRAM メモリ 256kbit， 32 K×8ビット， 8-Pin 3.6VMICROCHIP￥21,980税込￥24,178
1セット(100個)
7日以内出荷
仕様メモリサイズ：256kbit 、 構成：32 K x 8ビット 、 ワード数：32K 、 1ワード当たりのビット数：8bit 、 最大ランダムアクセス時間：25ns 、 アドレスバス幅：16bit 、 クロック周波数：20MHz 、 ローパワー：あり 、 タイミングタイプ：シンクロナス 、 実装タイプ：表面実装 、 パッケージタイプ：TSSOP 、 ピン数：8 、 寸法：3 x 4.4 x 1mm 、 高さ：1mm 、 動作温度 Min：-40 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ， EEPROM 64kbit シリアル-SPI AEC-Q100MICROCHIP￥12,980税込￥14,278
1セット(100個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ ： 64kbit●インターフェースタイプ ： シリアル-SPI●パッケージタイプ ： TSSOP●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 8●構成 ： 8192 x 8ビット●動作供給電圧 Min ： 2.5 V●動作供給電圧 Max ： 5.5 V●プログラミング電圧 ： 2.5 → 5.5V●1ワード当たりのビット数 ： 8bit●寸法 ： 4.5 x 3.1 x 1.05mm●動作温度 Max ： +125 ℃ns●25AA640A / 25LC640A SPIシリアルEEPROMRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ， シリアルEEPROM 256kbit シリアル-SPI AEC-Q100MICROCHIP￥27,980税込￥30,778
1セット(100個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ：256kbit●インターフェースタイプ：シリアル-SPI●パッケージタイプ：PDIP●実装タイプ：スルーホール●ピン数：8●構成：32 K x 8ビット●動作供給電圧 Min：2.5 V●動作供給電圧 Max：5.5 V●プログラミング電圧：2.5 → 5.5V●1ワード当たりのビット数：8bit●寸法：9.4 x 6.35 x 3.3mm●動作温度 Max：+85 ℃ns●25AA256/25LC256 SPIシリアルEEPROM. Microchipの25AA256/25LC256ファミリのデバイスは、256 KビットSPIシリアルEEPROMです。さまざまなパッケージ、温度、電源タイプを用意しています。 シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)はクロック入力(SCK)、データ入力(SI)、データ出力(SO)信号が必要な場合に利用します。 このデバイスの動作はホールドピン(HOLD)から一時停止できます。これにより、チップセレクト(CS)ピンから定義されている優先度の高い割り込みを除く入力が無視されます。. 特長. 最大クロック: 10 MHz 最大書き込み電流: 5 mA 読み取り電流: 6 mA (標準) スタンバイ電流: 1 μA (標準) 32768 x 8ビット構成 64バイトページ セルフ時限の消去及び書き込みサイクル: 5 ms (最大) ブロック書き込み保護: 保護なし、1/41/2、全アレイ 内蔵書込み保護: 電源オン / オフ時データ保護回路、書き込み有効ラッチ、書き込み保護ピン シーケンシャル読み取り 耐久性: ＞1 M回の消去 / 書き込み データ保持: ＞200年間 ESD保護: ＞4000 VRoHS指令(10物質対応)対応
