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MIC4426 / 4427 / 4428ファミリは、BiCMOS / DMOSプロセスで製造された信頼性の高いデュアルローサイドMOSFETドライバで、低消費電力と高効率を実現します。このドライバは、TTL又はCMOS入力ロジックレベルを正の供給電圧又は接地の25 mV以内でスイングする出力電圧レベルに変換します。同等品のバイポーラデバイスは、供給電圧の1 V以内でのみスイングすることができます。MIC4426 / 7 / 8には、デュアル反転、デュアル非反転、1つの反転 / 1つの非反転出力の3つの構成を用意しています。バイポーラ / CMOS / DMOS構造 逆電流に対するラッチアップ保護: >500 mA ピーク出力電流: 1.5 A 動作電圧範囲: 4.5 → 18 V 低静止供給電流 4 mA、ロジック1入力 バイポーラ / CMOS / DMOS構造 逆電流に対するラッチアップ保護: >500 mA ピーク出力電流: 1.5 A 動作電圧範囲: 4.5 → 18 V 低静止供給電流 4 mA、ロジック1入力 400 μA、ロジック0入力 25 nsで1000 pFを切り替え可能 調和のとれた立ち上り / 立ち下り時間 出力インピーダンス: 7 Ω 遅延時間: <40 ns (標準)

Microchip Technology MOSFETMicrochip Technology MOSFET ドライバは、頑丈で、効率的で使いやすいドライバです。非反転ドライバです。MOSFET 9 (ピーク)の出力が可能で、改善された動作マージンで最大の MOSFET を駆動できます。 外付けの速度アップコンデンサや抵抗器ネットワークなしで、 2.4 から VS へのロジック入力に対応します。独自の回路により、部品を損傷することなく、入力を V まで負にスイングできます。特長と利点完全に分離されたプロセスは、すべてのラッチアップに対する本質的な耐性を備えています 大容量負荷駆動は 47，000pF です 高ピーク出力電流は A Peak です 入力は最大 V の負のスイングに耐える 鉛( Pb )フリー 2.4 から VS へのあらゆる電圧のロジック高入力 低等価入力容量 低出力インピーダンス ロジック 入力で 450 A の低供給電流 最小パルス幅は 50ns です ジャンクション動作温度範囲： -40 C 150 C 供給電圧範囲： 4.5 18 V用途クラス スイッチングアンプ MOSFET または IGBT パラレルチップモジュールを駆動 ラインドライバ ローカル電源オン オフスイッチ モータ制御 パルス発生器 パルストランスドライバ スイッチモード電源認定 ANSI/ESD S20.20 2014 BS EN 61340-5-1 2007

Microchip AT28HC64BFは、高パフォーマンスの64 KビットパラレルEEPROMで、220 mWの消費電力で、55 nsのアクセス時間を提供しています。選択解除時のCMOSスタンバイ電流は100 μA未満です。外部コンポーネントなしで、読み取り / 書き込みサイクルで静的RAMのようにアクセスされます。64バイトのページレジスタを使用し、最大64バイトの書き込みを同時に実行できます。オプションのソフトウェアデータ保護メカニズムは、不注意による書き込みを防止し、さらに追加の64バイトのEEPROMにより、デバイスの識別や追跡を可能にします。その他の特長: 8 Kビット x 8 (64 Kビット) 5 V ±10 %電源 パラレルインターフェイス アクセス時間: 70 ns セルフ時限の消去及び書き込みサイクル ページの書き込みとバイトの書き込み 書き込み検出終了のデータポーリング 2 ms最大オプション 低電力消費: 読み取り / 書き込み電流: 40 mA (最大) スタンバイ電流: TTL 2 mA (最大)、CMOS: 100 μA (最大) 書き込み保護 ハードウェア保護 ソフトウェアデータ保護 10万回を超える消去 / 書き込みサイクル データ保持: > 10年

メモリサイズ = 64kbit。インターフェースタイプ = パラレル。パッケージタイプ = PLCC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 32。構成 = 8 K x 8ビット。動作供給電圧 Min = 4.5 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 4.5 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 11.5 x 14.04 x 3.17mm。ワード数 = 8Kns。Microchip AT28HC64BFは、高パフォーマンスの64 KビットパラレルEEPROMで、220 mWの消費電力で、55 nsのアクセス時間を提供しています。選択解除時のCMOSスタンバイ電流は100 μA未満です。外部コンポーネントなしで、読み取り / 書き込みサイクルで静的RAMのようにアクセスされます。64バイトのページレジスタを使用し、最大64バイトの書き込みを同時に実行できます。オプションのソフトウェアデータ保護メカニズムは、不注意による書き込みを防止し、さらに追加の64バイトのEEPROMにより、デバイスの識別や追跡を可能にします。その他の特長: 8 Kビット x 8 (64 Kビット) 5 V ±10 %電源 パラレルインターフェイス アクセス時間: 70 ns セルフ時限の消去及び書き込みサイクル ページの書き込みとバイトの書き込み 書き込み検出終了のデータポーリング 2 ms最大オプション 低電力消費: 読み取り / 書き込み電流: 40 mA (最大) スタンバイ電流: TTL 2 mA (最大)、CMOS: 100 μA (最大) 書き込み保護 ハードウェア保護 ソフトウェアデータ保護 10万回を超える消去 / 書き込みサイクル データ保持: > 10年

複合プログラム可能ロジックデバイス

EPROM (ワンタイムプログラマブル)、 Atmel