カテゴリ

制御機器(10)

絞り込み

MICROCHIP
サカエ(10)
SILVER STONE(シルバーストーン)(8)
岡崎精工(5)
ムラテックKDS(5)
ツボサン(5)
Festo(5)
コノエ(3)
イマオコーポレーション(2)
TRUSCO(2)
PALL(ポール)(2)
モリタ宮田(2)
ALPS TOOL(アルプスツール)(2)
三和[電気材料](2)
相原電機(1)
コクヨ(1)
旭金属工業(旧:新日本ツール)(1)
清和工業(1)
セフティー3(1)
ブランドをもっと見る

RoHS10物質対応(10)

価格で絞り込む

当日・翌日以内・翌々日以内・3日以内・4日以内

「sst-10」の検索結果

関連キーワード

マイクロチップ，フラッシュメモリ 1Mbit パラレル， 32-Pin， SST39VF010-70-4I-NHE
MICROCHIP
￥9,498税込￥10,448
1セット(30個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ： 1Mbit●インターフェースタイプ：パラレル●パッケージタイプ： PLCC●ピン数： 32●構成： 128 K x 8ビット●実装タイプ：表面実装●セルタイプ：スプリットゲート●動作供給電圧 Min ： 2.7 V●動作供給電圧 Max ： 3.6 V●ブロック構成：対称●長さ： 14.05mm●高さ： 2.84mm●幅： 11.51mm●寸法： 11.51 x 14.05 x 2.84mm●シリーズ： SST39bit●SST39VF010/020/040パラレルSuperFlashRメモリRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ，フラッシュメモリ 1Mbit SPI， 8-Pin， SST25VF010A-33-4I-SAE
MICROCHIP
￥12,980税込￥14,278
1セット(100個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ： 1Mbit●インターフェースタイプ： SPI●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 8●構成： 128 K x 8ビット●実装タイプ：表面実装●セルタイプ：スプリットゲート●動作供給電圧 Min ： 2.7 V●動作供給電圧 Max ： 3.6 V●ブロック構成：対称●長さ： 5mm●高さ： 1.5mm●幅： 4mm●寸法： 4 x 5 x 1.5mm●シリーズ： SST25bit●SST25VF010AシリアルSPI SuperFlashRメモリRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ，フラッシュメモリ 1MB パラレル， 32-Pin， SST39SF010A-70-4I-NHE
MICROCHIP
￥9,998税込￥10,998
1セット(30個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ 1MB●インターフェースタイプパラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 128 x 8ビット●実装タイプ表面実装●セルタイプスプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●シリーズ SST39bit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作耐久性 100000回(標準) 低消費電力アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ自動書き込み時間内部VPP生成 End-of-Write検出トグルビットデータ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ， 4Mbit フラッシュメモリパラレル， 4.5→5.5V， 32-Pin PLCC
MICROCHIP
￥2,198税込￥2,418
1袋(5個)
当日出荷
仕様メモリサイズ：4Mbit、インターフェースタイプ：パラレル、パッケージタイプ：PLCC、ピン数：32、構成：512 K x 8ビット、実装タイプ：表面実装、セルタイプ：スプリットゲート、動作供給電圧 Min：4.5 V、動作供給電圧 Max：5.5 V、長さ：11.43mm、高さ：2.79mm、幅：13.97mm、寸法：11.43 x 13.97 x 2.79mm、ワード数：512K、SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは、パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作耐久性ー100，000回(標準) 低消費電力 - アクティブ電流10 mA、スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ読み取りアクセス時間: 55 → 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間ー14 μs(標準) チップ書換え時間ーSST39SF010A 2秒、SST39SF020A 4秒、SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ自動書き込みー内部VPP生成 End-of-Write検出ートグルビットーデータ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格ーフラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ，フラッシュメモリ 2MB パラレル， 32-Pin， SST39SF020A-70-4C-PHE
MICROCHIP
￥6,298税込￥6,928
1セット(11個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ 2MB●インターフェースタイプパラレル●パッケージタイプ PDIP●ピン数 32●構成 256 x 8ビット●実装タイプスルーホール●セルタイプスプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成対称●長さ 42.04mm●高さ 3.81mm●幅 13.97mm●寸法 42.04 13.97 3.81mm●シリーズ SST39ns●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作耐久性 100000回(標準) 低消費電力アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ自動書き込み時間内部VPP生成 End-of-Write検出トグルビットデータ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ，フラッシュメモリ 4Mbit パラレル， 32-Pin， SST39SF040-70-4C-NHE
MICROCHIP
￥939税込￥1,033
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ 4Mbit●インターフェースタイプパラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 512 x 8ビット●実装タイプ表面実装●セルタイプスプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 11.51 14.05 2.84mm●最大ランダムアクセス時間 70ns●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作耐久性 100000回(標準) 低消費電力アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ自動書き込み時間内部VPP生成 End-of-Write検出トグルビットデータ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ，フラッシュメモリ 4MB パラレル， 32-Pin， SST39SF040-70-4I-NHE
MICROCHIP
￥2,598税込￥2,858
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ 4MB●インターフェースタイプパラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 512 x 8ビット●実装タイプ表面実装●セルタイプスプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●1ワード当たりのビット数 8bit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作耐久性 100000回(標準) 低消費電力アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ自動書き込み時間内部VPP生成 End-of-Write検出トグルビットデータ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ， 4Mbit フラッシュメモリパラレル， 32-Pin PLCC
MICROCHIP
￥16,980税込￥18,678
1セット(30個)
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
バリエーション一覧へ(2)
マイクロチップ， 4Mbit フラッシュメモリパラレル， 2.7→3.6V， 32-Pin PLCC
MICROCHIP
￥879～税込￥967～
1袋(2個)ほか
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
バリエーション一覧へ(3)
マイクロチップ， 4Mbit フラッシュメモリパラレル， 32-Pin PLCC
MICROCHIP
￥14,980税込￥16,478
1セット(30個)
7日以内出荷
仕様メモリサイズ：4Mbit 、インターフェースタイプ：パラレル、パッケージタイプ：PLCC 、ピン数：32 、構成：512 K x 8ビット、実装タイプ：表面実装、セルタイプ：スプリットゲート、動作供給電圧 Min：2.7 V 、動作供給電圧 Max：3.6 V 、ブロック構成：対称、長さ：11.51mm 、高さ：2.84mm 、幅：14.05mm 、寸法：11.51 x 14.05 x 2.84mm 、動作温度 Min：0 ℃ 、 SST39VF010/020/040パラレルSuperFlashRメモリRoHS指令(10物質対応)対応