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エコロジープロダクト
RoHS10物質対応(20)
「mw-150」の検索結果

ローム ツェナーダイオード 10V 表面実装 150 mW
ROHM¥1,998税込¥2,1981袋(200個)7日以内出荷仕様●ダイオード構成: シングルV●1チップ当たりのエレメント数: 1●最大パワー消費: 150 mW●パッケージタイプ: SOD-523●ツェナータイプ: 電圧レギュレータ●ピン数: 2●最大ツェナーインピーダンス: 60Ω●最大逆漏れ電流: 100nA●寸法: 1.25×0.85×0.7mm●順方向電流: 5mA●ツェナーダイオード150 mW、EDZ、EDZCシリーズ、ロームRoHS指令(10物質対応)対応
ローム ツェナーダイオード 10.21V 表面実装 150 mW
ROHM¥48,980税込¥53,8781セット(8000個)7日以内出荷仕様●ダイオード構成: 絶縁型V●実装タイプ: 表面実装●最大パワー消費: 150 mW●パッケージタイプ: SOD-523●ツェナータイプ: 電圧レギュレータ●ピン数: 2RoHS指令(10物質対応)対応
ROHM ツェナーダイオード 3.6V 表面実装 150 mW
ROHM¥629税込¥6921袋(25個)7日以内出荷仕様●ダイオード構成 : シングルV●1チップ当たりのエレメント数 : 1●最大パワー消費 : 150 mW●パッケージタイプ : SOD-523●ピン数 : 2RoHS指令(10物質対応)対応
ROHM ツェナーダイオード 22V 表面実装 150 mW
ROHM¥739税込¥8131袋(25個)7日以内出荷仕様●ダイオード構成 : シングルV●1チップ当たりのエレメント数 : 1●最大パワー消費 : 150 mW●パッケージタイプ : SOD-523●ピン数 : 2RoHS指令(10物質対応)対応
ローム ツェナーダイオード 5.6V 表面実装 150 mW
ROHM¥3,998税込¥4,3981袋(200個)7日以内出荷仕様●ダイオード構成: シングルV●1チップ当たりのエレメント数: 1●最大パワー消費: 150 mW●パッケージタイプ: SOD-523●ツェナータイプ: 電圧レギュレータ●ピン数: 2●テスト電流: 5mA●最大ツェナーインピーダンス: 200Ω●最大逆漏れ電流: 1μA●寸法: 1.25×0.85×0.7mm●動作温度 Max: +150 ℃●ツェナーダイオード150 mW、EDZ、EDZCシリーズ、ロームRoHS指令(10物質対応)対応
ROHM ツェナーダイオード 9.1V 表面実装 150 mW
ROHM¥48,980税込¥53,8781セット(8000個)7日以内出荷仕様●ダイオード構成 : シングルV●1チップ当たりのエレメント数 : 1●最大パワー消費 : 150 mW●パッケージタイプ : SOD-523●ピン数 : 2RoHS指令(10物質対応)対応
ローム ツェナーダイオード 6.3V 表面実装 150 mW
ROHM¥1,398税込¥1,5381袋(50個)7日以内出荷仕様●ダイオード構成: 絶縁型V●実装タイプ: 表面実装●最大パワー消費: 150 mW●パッケージタイプ: SOD-523●ツェナータイプ: 電圧レギュレータ●ピン数: 2RoHS指令(10物質対応)対応
ローム Pチャンネル MOSFET20 V 200 mA 表面実装 パッケージSOT-323 3 ピン
ROHM¥1,598税込¥1,7581袋(100個)翌々日出荷仕様●チャンネルタイプ: P●最大連続ドレイン電流: 200 mA●最大ドレイン-ソース間電圧: 20 V●シリーズ: RU1C002ZP●実装タイプ: 表面実装●ピン数: 3●最大ドレイン-ソース間抵抗: 9.6 Ω●チャンネルモード: エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧: 1V●最低ゲートしきい値電圧: 0.3V●最大パワー消費: 150 mW●最大ゲート-ソース間電圧: -10 V, +10 V●幅: 1.35mm●高さ: 1mm●ローム Pチャンネル MOSFET トランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
ローム Nチャンネル MOSFET20 V 200 mA 表面実装 パッケージSOT-723 3 ピン
ROHM¥1,998税込¥2,1981袋(100個)翌々日出荷仕様●チャンネルタイプ: N●最大連続ドレイン電流: 200 mA●最大ドレイン-ソース間電圧: 20 V●シリーズ: RUM002N02●実装タイプ: 表面実装●ピン数: 3●最大ドレイン-ソース間抵抗: 4.8 Ω●チャンネルモード: エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧: 1V●最低ゲートしきい値電圧: 0.3V●最大パワー消費: 150 mW●最大ゲート-ソース間電圧: -8 V, +8 V●長さ: 1.3mm●高さ: 0.45mm●ローム Nチャンネル MOSFET トランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
ROHM TVSダイオード, 単方向, 表面実装, EDZCVT2R6.8B
ROHM¥869税込¥9561袋(25個)7日以内出荷仕様●方向性タイプ : 単方向●最小ブレークダウン電圧 : 6.93V●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : SOD-523●ピン数 : 2●ピークパルスパワー消費 : 150mWRoHS指令(10物質対応)対応
ローム Nチャンネル MOSFET20 V 100 mA 表面実装 パッケージSOT-723 3 ピン
ROHM¥3,298税込¥3,6281袋(150個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ: N●最大連続ドレイン電流: 100 mA●最大ドレイン-ソース間電圧: 20 V●パッケージタイプ: SOT-723●実装タイプ: 表面実装●ピン数: 3●最大ドレイン-ソース間抵抗: 18 Ω●チャンネルモード: エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧: 1V●最低ゲートしきい値電圧: 0.3V●最大パワー消費: 150 mW●最大ゲート-ソース間電圧: -8 V, +8 V●動作温度 Max: +150 ℃mm●順方向ダイオード電圧: 1.2V●ローム Nチャンネル MOSFET トランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
ROHM トランジスタ, PNP, 表面実装, -150 mA, 2SA2029T2LQ
ROHM¥2,598税込¥2,8581袋(100個)7日以内出荷仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大DCコレクタ電流 : -150 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : -50 V●パッケージタイプ : VMT●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 150 mW●最小DC電流ゲイン : 120●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 60 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 6 V●最大動作周波数 : 140 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 0.5×1.2×0.8mm●ローム PNP小信号トランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
ローム Nチャンネル MOSFET20 V 200 mA 表面実装 パッケージSC-75 3 ピン
ROHM¥2,398税込¥2,6381袋(150個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ: N●最大連続ドレイン電流: 200 mA●最大ドレイン-ソース間電圧: 20 V●シリーズ: RE1C002UN●実装タイプ: 表面実装●ピン数: 3●最大ドレイン-ソース間抵抗: 4.8 Ω●チャンネルモード: エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧: 1V●最低ゲートしきい値電圧: 0.3V●最大パワー消費: 150 mW●最大ゲート-ソース間電圧: -8 V, +8 V●幅: 0.96mm●動作温度 Min: -55 ℃mm●ローム Nチャンネル MOSFET トランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
ローム Nチャンネル MOSFET20 V 100 mA 表面実装 パッケージSC-75 3 ピン
ROHM¥3,198税込¥3,5181袋(150個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ: N●最大連続ドレイン電流: 100 mA●最大ドレイン-ソース間電圧: 20 V●シリーズ: RE1C001UN●実装タイプ: 表面実装●ピン数: 3●最大ドレイン-ソース間抵抗: 18 Ω●チャンネルモード: エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧: 1V●最低ゲートしきい値電圧: 0.3V●最大パワー消費: 150 mW●最大ゲート-ソース間電圧: -8 V, +8 V●幅: 0.96mm●高さ: 0.8mm●ローム Nチャンネル MOSFET トランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
ローム ツェナーダイオード 16V 表面実装 200 mW
ROHM¥1,798税込¥1,9781袋(200個)7日以内出荷仕様●ダイオード構成: シングルV●1チップ当たりのエレメント数: 1●最大パワー消費: 200 mW●パッケージタイプ: SOD-323F●ツェナータイプ: 電圧レギュレータ●ピン数: 2●テスト電流: 5mA●最大ツェナーインピーダンス: 80Ω●最大逆漏れ電流: 100nA●寸法: 1.8×1.35×0.9mm●動作温度 Max: +150 ℃●ツェナーダイオード200 mW、UDZVシリーズ、ロームRoHS指令(10物質対応)対応
ローム, ツェナーダイオード, 2V, 200 mW, 2-Pin SOD-323F
ROHM¥1,998税込¥2,1981袋(200個)7日以内出荷仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323Fツェナータイプ = 電圧レギュレータピン数 = 2最大ツェナーインピーダンス = 1000Ω最大逆漏れ電流 = 120μA長さ = 1.8mm寸法 = 1.8 x 1.35 x 0.9mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード200 mW、UDZVシリーズ、ロームRoHS指令(10物質対応)対応
ローム トランジスタ, PNP, 表面実装, -150 mA, 2SA1037AKT146Q
ROHM¥1,998税込¥2,1981袋(150個)7日以内出荷仕様●トランジスタタイプ: PNP●最大DCコレクタ電流: -150 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧: -50 V●パッケージタイプ: SOT-346●実装タイプ: 表面実装●最大パワー消費: 200 mW●最小DC電流ゲイン: 120●トランジスタ構成: シングル●最大コレクタ-ベース間電圧: -60 V●最大エミッタ-ベース間電圧: -6 V●最大動作周波数: 140 MHz●ピン数: 3●1チップ当たりのエレメント数: 1●寸法: 3×1.8×1.2mm●ローム PNP小信号トランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
























