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STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 5.2 A スルーホールパッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro

￥1,198税込￥1,318

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仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 5.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 800 V●シリーズ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 1.8 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 30 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 40 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 60 A， 3 ピンパッケージTO-220STMicro

￥1,798税込￥1,978

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 150 W動作温度 Min = -55 ℃NチャンネルSTripFETΩ II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFET， 100 V， 110 A， 3 ピンパッケージTO-220FPSTMicro

￥2,498税込￥2,748

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 110 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 30 W寸法 = 10.6 x 4.6 x 16.4mmNチャンネルSTripFETΩ H7シリーズ、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET200 V 9 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥8,198税込￥9,018

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チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 200 Vパッケージタイプ TO-220実装タイプスルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 400 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 75 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V長さ 10.4mm動作温度 Min -65 ℃mmNチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 35 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥10,980税込￥12,078

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仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 35 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 100 V●シリーズ： STripFET●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 45 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 115 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●動作温度 Max ： +175 ℃●高さ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 600 V 15 A， 3-Pin TO-220 シングルSTMicro

￥1,498税込￥1,648

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仕様●最大連続コレクタ電流： 15 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 600 V●最大ゲート-エミッタ間電圧： ±20V●パッケージタイプ： TO-220●実装タイプ：スルーホール●チャンネルタイプ： N●ピン数： 3●トランジスタ構成：シングル●寸法： 10.4×4.6×9.15mm●動作温度 Min ： -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 600 V 20 A， 3-Pin TO-220 シングルSTMicro

￥1,798税込￥1,978

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仕様●最大連続コレクタ電流： 20 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 600 V●最大ゲート-エミッタ間電圧： ±20V●パッケージタイプ： TO-220●実装タイプ：スルーホール●チャンネルタイプ： N●ピン数： 3●トランジスタ構成：シングル●寸法： 10.4×4.6×9.15mm●動作温度 Min ： -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET900 V 2.1 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥9,598税込￥10,558

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仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 2.1 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 900 V●シリーズ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 6.5 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 70 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 19.5 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 2.5 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥1,898税込￥2,088

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仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 2.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 800 V●シリーズ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 4.5 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 70 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 19 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 7 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥10,980税込￥12,078

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仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 7 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 600 V●シリーズ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 950 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 125 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●幅： 4.6mm●高さ： 9.15mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 20 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥29,980税込￥32,978

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仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 20 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 600 V●シリーズ： FDmesh●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 290 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 192 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 37 nC @ 10 Vmm●高さ： 9.15mm●NチャンネルFDmesh(TM)パワーMOSFET、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 14 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥469税込￥516

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仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 14 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 500 V●シリーズ： MDmesh●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 250 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 110W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -25 V， +25 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●高さ： 15.75mm●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 3 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥2,198税込￥2,418

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仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 3 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 800 V●シリーズ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 3.5 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 80 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 22.5 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 26 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥1,898税込￥2,088

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仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 26 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 100 V●シリーズ： STripFET●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 70 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 85 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 50 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥8,298税込￥9,128

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仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 100 V●シリーズ： STripFET●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 28 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 150 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●トランジスタ素材： Simm●高さ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 40 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥9,998税込￥10,998

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仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 40 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 100 V●シリーズ： STripFET●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 33 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧： 1V●最大パワー消費： 150 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -17 V， +17 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●高さ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET400 V 9 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥6,998税込￥7,698

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仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 9 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 400 V●シリーズ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 550 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 110 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●幅： 4.6mm●高さ： 9.15mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET1000 V 6.5 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥1,898税込￥2,088

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仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 6.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 1000 V●シリーズ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 1.85 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 160 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●幅： 4.6mm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 30 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥7,598税込￥8,358

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仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 30 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 60 V●パッケージタイプ： TO-220●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 40 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧： 1V●最大パワー消費： 70 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -18 V， +18 V●動作温度 Max ： +175 ℃mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET200 V 18 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥1,898税込￥2,088

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チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 200 Vシリーズ STripFET実装タイプスルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 125 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 110 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V幅 4.6mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET1500 V 2.5 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥32,980税込￥36,278

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仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 2.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 1500 V●パッケージタイプ： TO-220●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 9 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 140 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●幅： 4.6mm●高さ： 15.75mm●STMicroelectronics N チャネル 800 V → 1500 V MDmesh(TM)RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET1000 V 3.5 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥19,980税込￥21,978

1セット(50個)

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仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 3.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 1000 V●パッケージタイプ： TO-220●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 3.7 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 125 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●高さ： 9.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET550 V 13 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥559税込￥615

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仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 13 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 550 V●シリーズ： MDmesh M5●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 240 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 90 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -25 V， +25 V●幅： 4.6mm●高さ： 15.75mm●STMicroelectronics N チャンネル MDmesh(TM)M5 シリーズ. MDmesh M5 パワー MOSFET は、高電力 PFC と PWM トポロジ向けに最適化されています。主な機能には、シリコンエリア当たりの低オン状態損失と低ゲート電荷の組み合わせなどがあります。太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 7.2 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥11,980税込￥13,178

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仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 7.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 500 V●シリーズ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 850 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 110 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 10 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥2,598税込￥2,858

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仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 10 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 600 V●シリーズ： MDmesh●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 550 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 70 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -25 V， +25 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●高さ： 15.75mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET75 V 120 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥13,980税込￥15,378

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仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 120 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 75 V●パッケージタイプ： TO-220●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 8 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 310 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 21 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥29,980税込￥32,978

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仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 21 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 500 V●シリーズ： MDmesh●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 158 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 150 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -25 V， +25 V●幅： 4.6mm●高さ： 15.75mm●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 13 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥11,980税込￥13,178

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チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 13 A最大ドレイン-ソース間電圧 600 Vシリーズ MDmesh実装タイプスルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 285 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 110 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -25 V， +25 V幅 4.6mm高さ 15.75mmNチャンネルMDmesh、600 / 650 V、STMicroelectronics

RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET120 V 80 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥12,980税込￥14,278

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チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 80 A最大ドレイン-ソース間電圧 120 Vシリーズ STripFET実装タイプスルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 18 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 300 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V幅 4.6mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 4 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥8,898税込￥9,788

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チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 4 A最大ドレイン-ソース間電圧 600 Vシリーズ MDmesh， SuperMESH実装タイプスルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 2 Ωチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 70 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V幅 4.6mm高さ 9.15mmNチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics

RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 4.3A スルーホールパッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro

￥1,398税込￥1,538

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仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 4.3A●最大ドレイン-ソース間電圧： 800 V●パッケージタイプ： TO-220FP●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 2.4 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 30 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 32.4 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 60 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥7,198～税込￥7,918～

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RoHS指令(10物質対応)対応

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STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 120 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥1,498税込￥1,648

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仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 120 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 100 V●パッケージタイプ： TO-220●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 10.5 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 312 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●幅： 4.6mm●高さ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 5.2 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥12,980税込￥14,278

1セット(50個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 5.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 800 V●シリーズ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 1.8 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 125 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 29 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥44,980税込￥49,478

1セット(50個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 29 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 600 V●シリーズ： MDmesh●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 105 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 210 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -25 V， +25 V●動作温度 Max ： +150 ℃●高さ： 15.75mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET900 V 5.8 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥15,980税込￥17,578

1セット(50個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 5.8 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 900 V●パッケージタイプ： TO-220●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 2 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 140 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●高さ： 9.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 1200 V 6 A， 3-Pin TO-220FP シングルSTMicro

￥2,198税込￥2,418

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様●最大連続コレクタ電流： 6 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 1200 V●最大ゲート-エミッタ間電圧： ±20V●最大パワー消費： 25 W●パッケージタイプ： TO-220FP●実装タイプ：スルーホール●チャンネルタイプ： N●ピン数： 3●スイッチングスピード： 1MHz●トランジスタ構成：シングル●寸法： 10.4×4.6×16.4mm●動作温度 Min ： -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 600 V 6 A， 3-Pin TO-220FP シングルSTMicro

￥1,498税込￥1,648

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様●最大連続コレクタ電流： 6 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 600 V●最大ゲート-エミッタ間電圧： ±20V●最大パワー消費： 20 W●パッケージタイプ： TO-220FP●実装タイプ：スルーホール●チャンネルタイプ： N●ピン数： 3●スイッチングスピード： 1MHz●トランジスタ構成：シングル●寸法： 10.4×4.6×16.4mm●動作温度 Min ： -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 600 V 9 A， 3-Pin TO-220FP シングルSTMicro

￥1,798税込￥1,978

1袋(10個)

7日以内出荷

仕様●最大連続コレクタ電流： 9 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 600 V●最大ゲート-エミッタ間電圧： ±20V●最大パワー消費： 25 W●パッケージタイプ： TO-220FP●実装タイプ：スルーホール●チャンネルタイプ： N●ピン数： 3●スイッチングスピード： 1MHz●トランジスタ構成：シングル●寸法： 10.4×4.6×16.4mm●動作温度 Min ： -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 600 V 23 A， 3-Pin TO-220FP シングルSTMicro

￥2,698税込￥2,968

1袋(10個)

7日以内出荷

最大連続コレクタ電流 = 23 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 25 Wパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル寸法 = 10.4 x 4.6 x 20mm動作温度 Min = -55 ℃pFIGBTディスクリート、STMicroelectronics

RoHS指令(10物質対応)対応