「220w-3」の検索結果
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 10トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.2 VPNPパワートランジスタ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥499
税込￥549
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最大連続コレクタ電流 = 23 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V。最大パワー消費 = 25 W。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 10.4 x 4.6 x 20mm。動作温度 Min = -55 ℃pF。IGBTディスクリート、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥2,198
税込￥2,418
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 10トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃NPNパワートランジスタ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥679
税込￥747
7日以内出荷
仕様●最大連続コレクタ電流 ： 6 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 600 V●最大ゲート-エミッタ間電圧 ： ±20V●最大パワー消費 ： 20 W●パッケージタイプ ： TO-220FP●実装タイプ ： スルーホール●チャンネルタイプ ： N●ピン数 ： 3●スイッチングスピード ： 1MHz●トランジスタ構成 ： シングル●寸法 ： 10.4×4.6×16.4mm●動作温度 Min ： -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,498
税込￥1,648
7日以内出荷
仕様●最大連続コレクタ電流 ： 9 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 600 V●最大ゲート-エミッタ間電圧 ： ±20V●最大パワー消費 ： 25 W●パッケージタイプ ： TO-220FP●実装タイプ ： スルーホール●チャンネルタイプ ： N●ピン数 ： 3●スイッチングスピード ： 1MHz●トランジスタ構成 ： シングル●寸法 ： 10.4×4.6×16.4mm●動作温度 Min ： -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥1,798
税込￥1,978
7日以内出荷
仕様●最大連続コレクタ電流 ： 6 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 1200 V●最大ゲート-エミッタ間電圧 ： ±20V●最大パワー消費 ： 25 W●パッケージタイプ ： TO-220FP●実装タイプ ： スルーホール●チャンネルタイプ ： N●ピン数 ： 3●スイッチングスピード ： 1MHz●トランジスタ構成 ： シングル●寸法 ： 10.4×4.6×16.4mm●動作温度 Min ： -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,398
税込￥1,538
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大DCコレクタ電流 ： 8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 450 V●パッケージタイプ ： TO-220FP●実装タイプ ： スルーホール●最大パワー消費 ： 70 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 12 V●ピン数 ： 3●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●寸法 ： 10.4×4.6×16.4mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥1,798
税込￥1,978
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 160 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 90 W標準ターンオフ遅延時間 = 19 nsNチャンネルSTripFETΩ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥1,598
税込￥1,758
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大DCコレクタ電流 ： 3 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 60 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●最大パワー消費 ： 2 W●最小DC電流ゲイン ： 10●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 60 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●ピン数 ： 3●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●寸法 ： 9.15×10.4×4.6mm●STMicroelectronics NPNパワートランジスタ
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥4,198
税込￥4,618
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大DCコレクタ電流 ： 3 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 100 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●最大パワー消費 ： 2 W●最小DC電流ゲイン ： 10●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●ピン数 ： 3●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●寸法 ： 9.15×10.4×4.6mm●STMicroelectronics NPNパワートランジスタ
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥3,698
税込￥4,068
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 25 W動作温度 Max = +150 ℃NチャンネルMDmeshΩ SuperMESHΩ、700 → 1200 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥2,398
税込￥2,638
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： PNP●最大DCコレクタ電流 ： -3 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： -100 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●最大パワー消費 ： 2 W●最小DC電流ゲイン ： 10●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●ピン数 ： 3●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm●PNPパワートランジスタ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥3,898
税込￥4,288
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 150 W動作温度 Min = -55 ℃NチャンネルSTripFETΩ II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,898
税込￥2,088
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