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STMicroelectronics トランジスタ， NPN， 表面実装， 3 A， MJD31CT4STMicro￥149,800税込￥164,780
1セット(2500個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 15 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics PNP ダーリントントランジスタ， 100 V， 5 A， 3-Pin DPAK (TO-252)STMicro￥119,800税込￥131,780
1セット(2500個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大連続コレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 100最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 4.5 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.01mA幅 = 6.2mmPNPダーリントントランジスタ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics トランジスタ， NPN， 表面実装， 8 A， MJD44H11T4STMicro￥149,800税込￥164,780
1セット(2500個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 20 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 1 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンSTMicro￥159,800税込￥175,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 1 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 600 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 8.5 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 3.7V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2.25V●最大パワー消費 ： 30 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics バッテリ逆接続及びTVS， 表面実装， 40V， RBO40-40GSTMicro￥19,980税込￥21,978
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●最大クランピング電圧 ： 40V●最小ブレークダウン電圧 ： 24V●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： D2PAK (TO-263)●ピン数 ： 3●最大ピークパルス電流 ： 37.5A●動作温度 Min ： -40 ℃●動作温度 Max ： +150 ℃mm●自動車規格 ： AEC-Q100mm●ISO / DTR 7637-2. 逆バッテリ保護及び過電圧保護、STMicroelectronics. RBOxx ASDデバイスは、車載用途におけるバッテリの逆接続やロードダンプ過電圧から保護するように設計されています。. 「ロードダンプ」パルスからのTransil保護 8 A又は40 Aシリーズのダイオードで、バッテリ逆接続による損傷を防止 クランプ電圧: ±40 V(最大) RS製品コード ； 686-7486 686-7486 RBO08-40G 8 A D2PAK ； 249-252 249-252 RBO40-40G 40 A D2PAK ； 877-2813 877-2813 RBO40-40G-TR 40 A D2PAK ； 919-6352 919-6352 RBO40-40G 40 A D2PAK (50個入りパック)RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET30 V 17 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンSTMicro￥769税込￥846
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 17 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 30 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 60 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.2V●最低ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 30 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -16 V， +16 V●幅 ： 6.2mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NPN ダーリントントランジスタ， 100 V， 16 A， 3-Pin DPAK (TO-252)STMicro￥129,800税込￥142,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大連続コレクタ電流 ： 16 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●パッケージタイプ ： DPAK (TO-252)●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●トランジスタ構成 ： シングル●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●最小DC電流ゲイン ： 100●最大ベース-エミッタ間飽和電圧 ： 4.5 V●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 100 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 ： 4 V●最大コレクタカットオフ電流 ： 0.01mA●高さ ： 2.4mm●NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics トランジスタ， PNP， 表面実装， -5 A， STD888T4STMicro￥839税込￥923
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： PNP●最大DCコレクタ電流 ： -5 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： -30 V●パッケージタイプ ： DPAK (TO-252)●実装タイプ ： 表面実装●最大パワー消費 ： 15 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 60 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 6 V●ピン数 ： 3●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●寸法 ： 2.4×6.6×6.2mm●PNPパワートランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， スイッチングダイオード 表面実装， 8A， 200V， シングル，エレメント数 1 DPAK (TO-252)， 3-Pin 1.05VSTMicro￥2,198税込￥2,418
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様●ダイオード構成 ： シングルA●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●最大逆電圧 ： 200V●パッケージタイプ ： DPAK (TO-252)●ダイオードテクノロジー ： シリコンジャンクション●ピン数 ： 3V●動作温度 Max ： +175 ℃●長さ ： 6.6mm●幅 ： 6.2mm●高さ ： 2.4mm●寸法 ： 6.6×6.2×2.4mm●整流ダイオード、4 A → 9 A、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics トランジスタ， NPN， 表面実装， 6 A， 2STD1665T4STMicro￥1,498税込￥1,648
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大DCコレクタ電流 ： 6 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 65 V●パッケージタイプ ： DPAK (TO-252)●実装タイプ ： 表面実装●最大パワー消費 ： 15000 mW●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 150 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 7 V●ピン数 ： 3●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm●STMicroelectronics NPNパワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 35 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンSTMicro￥1,798税込￥1,978
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 35 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 28 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 70 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 23 nC @ 5 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， 整流ダイオード， コモンカソード， 8A， 200V 表面実装， 3-Pin DPAK (TO-252) シリコンジャンクション 1.25VSTMicro￥4,998税込￥5,498
1セット(75個)
7日以内出荷
仕様●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： DPAK (TO-252)●最大連続 順方向電流 ： 8A●ピーク逆繰返し電圧 ： 200V●ダイオード構成 ： コモンカソード●整流タイプ ： スイッチング●ダイオードタイプ ： 整流器●ピン数 ： 3●最大順方向降下電圧 ： 1.25V●1チップ当たりのエレメント数 ： 2●ダイオードテクノロジー ： シリコンジャンクション●ピーク逆回復時間 ： 25ns●ピーク非繰返し順方向サージ電流 ： 50A●整流ダイオード、4 A → 9 A、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Pチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 12 A， 3 ピン パッケージDPAK (TO-252)STMicro￥1,798税込￥1,978
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 12 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 45 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 40 W長さ = 6.6mmPチャンネルSTripFETΩパワーMOSFET、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics バッテリ逆接続及びTVS， 双方向、単方向， 表面実装， 40V， RBO40-40G-TRSTMicro￥2,998税込￥3,298
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ ： 双方向、単方向●最大クランピング電圧 ： 40V●最小ブレークダウン電圧 ： 22V●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： D2PAK (TO-263)●最大逆スタンドオフ電圧 ： 20V●ピン数 ： 3●ピークパルスパワー消費 ： 1500W●最大ピークパルス電流 ： 37.5A●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●動作温度 Min ： -40 ℃●動作温度 Max ： +150 ℃mm●最大逆漏れ電流 ： 100μA●ISO / DTR 7637-2. 逆バッテリ保護及び過電圧保護、STMicroelectronics. RBOxx ASDデバイスは、車載用途におけるバッテリの逆接続やロードダンプ過電圧から保護するように設計されています。. 「ロードダンプ」パルスからのTransil保護 8 A又は40 Aシリーズのダイオードで、バッテリ逆接続による損傷を防止 クランプ電圧: ±40 V(最大) RS製品コード ； 686-7486 686-7486 RBO08-40G 8 A D2PAK ； 249-252 249-252 RBO40-40G 40 A D2PAK ； 877-2813 877-2813 RBO40-40G-TR 40 A D2PAK ； 919-6352 919-6352 RBO40-40G 40 A D2PAK (50個入りパック)RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 24 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンSTMicro￥289,800税込￥318,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 24 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 40 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 60 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics PNP ダーリントントランジスタ， 100 V， 5 A， 3-Pin DPAK (TO-252)STMicro￥119,800税込￥131,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： PNP●最大連続コレクタ電流 ： 5 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●パッケージタイプ ： DPAK (TO-252)●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●トランジスタ構成 ： シングル●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●最小DC電流ゲイン ： 100●最大ベース-エミッタ間飽和電圧 ： 4.5 V●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 100 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 ： 4 V●最大コレクタカットオフ電流 ： 0.01mA●幅 ： 6.2mm●PNPダーリントントランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics トランジスタ， NPN， 表面実装， 8 A， MJD44H11T4STMicro￥149,800税込￥164,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大DCコレクタ電流 ： 8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 80 V●パッケージタイプ ： DPAK (TO-252)●実装タイプ ： 表面実装●最大パワー消費 ： 20 W●最小DC電流ゲイン ： 40●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 80 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●ピン数 ： 3●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm●STMicroelectronics NPNパワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， サイリスタ， SCR， 5A， 600V， TS820-600B-TRSTMicro￥179,800税込￥197,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●定格平均オン電流 ： 5A●サイリスタタイプ ： SCR●パッケージタイプ ： DPAK (TO-252)●繰返しピーク逆方向電圧 ： 600V●サージ電流レーティング ： 73A●実装タイプ ： 表面実装●最大ゲートトリガー電流 ： 200μA●最大ゲートトリガー電圧 ： 0.8V●最大保持電流 ： 5mA●ピン数 ： 3●寸法 ： 6.73×6.22×2.4mm●繰返しピークオフステート電流 ： 5μA●STMicroelectronics 高感度ゲートサイリスタ. STMicroelectronics の高感度ゲートサイリスタ製品は、ゲートトリガ電流が制限されている用途に適しています。主な用途は、漏電遮断器と残留電流装置です。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET200 V 18 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンSTMicro￥2,098税込￥2,308
1袋(5個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 200 Vシリーズ STripFET実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 125 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2.5V最低ゲートしきい値電圧 1V最大パワー消費 110 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V幅 6.2mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルSTripFET、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， 整流ダイオード， 5A， 100V 表面実装， 3-Pin DPAK (TO-252) ショットキー 610mVSTMicro￥569税込￥626
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： DPAK (TO-252)●最大連続 順方向電流 ： 5A●ピーク逆繰返し電圧 ： 100V●ダイオード構成 ： シングル●整流タイプ ： ショットキー整流器●ダイオードタイプ ： ショットキー●ピン数 ： 3●最大順方向降下電圧 ： 610mV●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●ダイオードテクノロジー ： ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 ： 75A●ショットキーバリアダイオード、2 A → 9 A、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， トライアック， 600V， 4A， 3-Pin DPAK (TO-252)STMicro￥1,198税込￥1,318
1袋(10個)
7日以内出荷
定格平均オン電流 = 4A実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DPAK (TO-252)最大ゲートトリガー電流 = 5mA繰返しピーク逆方向電圧 = 600Vサージ電流レーティング = 31Aピン数 = 3最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V最大保持電流 = 10mA寸法 = 6.6 x 6.2 x 2.4mm長さ = 6.6mm幅 = 6.2mm高さ = 2.4mm繰返しピークオフステート電流 = 0.005mAトライアック、最大6 A、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET55 V 80 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンSTMicro￥669,800税込￥736,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 80 A最大ドレイン-ソース間電圧 55 Vシリーズ STripFET F3実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 8.5 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 110 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V長さ 6.6mm高さ 2.4mmNチャンネルSTripFET F3、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 60 A， 3 ピン パッケージDPAK (TO-252)STMicro￥1,998税込￥2,198
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 110W動作温度 Min = -55 ℃NチャンネルSTripFETΩ II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics トランジスタ， NPN， 表面実装， 3 A， MJD31CT4STMicro￥149,800税込￥164,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大DCコレクタ電流 ： 3 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 100 V●パッケージタイプ ： DPAK (TO-252)●実装タイプ ： 表面実装●最大パワー消費 ： 15 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●ピン数 ： 3●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●寸法 ： 2.4×6.6×6.2mm●STMicroelectronics NPNパワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Pチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 10 A， 3 ピン パッケージDPAK (TO-252)STMicro￥2,598税込￥2,858
1袋(20個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 160 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1PチャンネルSTripFETΩパワーMOSFET、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 24 A， 3 ピン パッケージDPAK (TO-252)STMicro￥979税込￥1,077
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 24 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -18 V， +18 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 60 W動作温度 Max = +175 ℃NチャンネルSTripFETΩ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， トライアック， 1200V， 25A， 3-Pin D2PAK (TO-263)STMicro￥22,980税込￥25,278
1セット(50個)
7日以内出荷
定格平均オン電流 = 25A実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)最大ゲートトリガー電流 = 50mA繰返しピーク逆方向電圧 = 1200Vサージ電流レーティング = 252Aピン数 = 3最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V繰返しピーク順方向抑止電圧 = 1200V最大保持電流 = 60mA寸法 = 10.28 x 9.35 x 4.6mm長さ = 10.28mm幅 = 9.35mm高さ = 4.6mmピークオンステージ電圧 = 1.55VSTMicroelectronics 25 → 40 A トライアック
RoHS指令(10物質対応)対応
