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STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 50 A スルーホールパッケージTO-220FP 3 ピン
STMicro
￥8,198税込￥9,018
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 60 V●シリーズ： STripFET(TM)II●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 18 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 30 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET75 V 75 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
STMicro
￥319,800税込￥351,780
1セット(1000個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 75 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 75 V●シリーズ： STripFET II●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 11 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧： 1V●最大パワー消費： 300 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -15 V， +15 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 60 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピン
STMicro
￥7,198～税込￥7,918～
1セット(50個)
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
バリエーション一覧へ(3)
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 80 A スルーホールパッケージTO-220FP 3 ピン
STMicro
￥13,980税込￥15,378
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 80 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 100 V●シリーズ： STripFET II●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 15 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 45 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 50 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
STMicro
￥169,800税込￥186,780
1セット(1000個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 60 V●シリーズ： STripFET II●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 18 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 110 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET40 V 120 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
STMicro
￥1,098税込￥1,208
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 120 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 40 V●シリーズ： STripFET II●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 5 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 300 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 110 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応