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STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFETSTMicro(1件のレビュー)
959税込1,055
1個ほか
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STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET, 100 V, 110 A, 3 ピン パッケージTO-220FP STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET, 100 V, 110 A, 3 ピン パッケージTO-220FPSTMicro
2,498税込2,748
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 110 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 30 W寸法 = 10.6 x 4.6 x 16.4mmNチャンネルSTripFETΩ H7シリーズ、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 45 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 45 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンSTMicro
2,198税込2,418
1個
5日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 45 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 500 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 100 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 417 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●幅 : 5.15mm●動作温度 Min : -65 ℃●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 4 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 4 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro
8,898税込9,788
1セット(50個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 4 A最大ドレイン-ソース間電圧 600 Vシリーズ MDmesh, SuperMESH実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 2 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 70 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V幅 4.6mm高さ 9.15mmNチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 14 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 14 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンSTMicro
10,980税込12,078
1セット(30個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 14 A最大ドレイン-ソース間電圧 500 Vシリーズ MDmesh, SuperMESH実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 380 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 150 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V長さ 15.75mm高さ 20.15mmNチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 7 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 7 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro
15,980税込17,578
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 7 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●パッケージタイプ : TO-220FP●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 950 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 30 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●幅 : 4.6mm●高さ : 16.4mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET1500 V 2.5 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET1500 V 2.5 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro
32,980税込36,278
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 2.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 1500 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 9 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 140 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●幅 : 4.6mm●高さ : 15.75mm●STMicroelectronics N チャネル 800 V → 1500 V MDmesh(TM)RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET450 V 600 mA 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET450 V 600 mA 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピンSTMicro
199,800税込219,780
1セット(4000個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 600 mA●最大ドレイン-ソース間電圧 : 450 V●シリーズ : MDmesh K3, SuperMESH3●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 3.8 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 2 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●幅 : 3.7mm●高さ : 1.8mm●NチャンネルMDmesh(TM) K3シリーズ、SuperMESH3(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 7 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 7 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro
10,980税込12,078
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 7 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 950 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 125 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●幅 : 4.6mm●高さ : 9.15mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET400 V 9 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET400 V 9 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro
6,998税込7,698
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 9 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 400 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 550 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 110 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●幅 : 4.6mm●高さ : 9.15mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET900 V 9.2 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET900 V 9.2 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンSTMicro
19,980税込21,978
1セット(30個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 9.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 900 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 980 m Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 200 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●幅 : 5.15mm●高さ : 20.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET1000 V 3.5 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET1000 V 3.5 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンSTMicro
12,980税込14,278
1セット(30個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 3.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 1000 V●パッケージタイプ : TO-247●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 3.7 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 125 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●幅 : 5.15mm●高さ : 20.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
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