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STD20NF06T4
STMicro
￥1,798税込￥1,978
1セット(10個)
7日以内出荷
長さ(mm)6.6幅(mm)6.2高さ(mm)2.4タイプ【パッケージ】DPAK(TO-252)シリーズSTripFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプN材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)24最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)40最大ゲートしきい値電圧(V)4最小ゲートしきい値電圧(V)2最大ゲート-ソース間電圧(V)-20，+20トランジスタ構成シングル標準ゲートチャージ23nC@10V最大パワー消費60W最大動作温度(℃)175最小動作温度(℃)-55
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 4 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン
STMicro
￥319,800税込￥351,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 4 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 60 V●シリーズ： STripFET(TM)実装タイプ：表面実装●ピン数： 8●最大ドレイン-ソース間抵抗： 55 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧： 1V●最大パワー消費： 2 W●トランジスタ構成：絶縁型●最大ゲート-ソース間電圧： -15 V， +15 V●幅： 4mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)デュアルMOSFET、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 7.5 A 表面実装パッケージSO-8 8 ピン
STMicro
￥2,898税込￥3,188
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 7.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 60 V●パッケージタイプ： SO-8●実装タイプ：表面実装●ピン数： 8●最大ドレイン-ソース間抵抗： 21 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最低ゲートしきい値電圧： 1V●最大パワー消費： 2.5 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： ±16 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●順方向ダイオード電圧： 1.2VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFET
STMicro(1件のレビュー)
￥1,398～税込￥1,538～
1セット(5個)ほか
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バリエーション一覧へ(518)
STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 60 A， 3 ピンパッケージTO-220
STMicro
￥1,998税込￥2,198
1袋(5個)
3日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 150 W動作温度 Min = -55 ℃NチャンネルSTripFETΩ II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 60 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252)
STMicro
￥2,298税込￥2,528
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 110W動作温度 Min = -55 ℃NチャンネルSTripFETΩ II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 16 A， 3 ピンパッケージTO-220 STripFET シリーズ
STMicro
￥1,598税込￥1,758
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 315 pF @ 25 VNチャンネルSTripFETΩ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 24 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252)
STMicro
￥1,398税込￥1,538
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 24 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -18 V， +18 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 60 W動作温度 Max = +175 ℃NチャンネルSTripFETΩ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 24 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
STMicro
￥289,800税込￥318,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 24 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 60 V●シリーズ： STripFET●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 40 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 60 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 35 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
STMicro
￥2,298税込￥2,528
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 35 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 60 V●シリーズ： STripFET●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 28 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧： 1V●最大パワー消費： 70 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 23 nC @ 5 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 30 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピン
STMicro
￥7,598税込￥8,358
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 30 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 60 V●パッケージタイプ： TO-220●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 40 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧： 1V●最大パワー消費： 70 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -18 V， +18 V●動作温度 Max ： +175 ℃mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 4 A 表面実装パッケージSOT-223 3 ピン
STMicro
￥269,800税込￥296,780
1セット(4000個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 4 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 60 V●シリーズ： STripFET●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 100 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 2.8V●最低ゲートしきい値電圧： 1V●最大パワー消費： 3.3 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -16 V， +16 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 50 A スルーホールパッケージTO-220FP 3 ピン
STMicro
￥7,598税込￥8,358
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 60 V●シリーズ： STripFET(TM)II●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 18 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 30 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 60 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピン
STMicro
￥8,698～税込￥9,568～
1セット(50個)
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
バリエーション一覧へ(3)
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 50 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
STMicro
￥169,800税込￥186,780
1セット(1000個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 60 V●シリーズ： STripFET II●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 18 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 110 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応