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STD20NF06T4 STMicroSTD20NF06T4STMicro
1,398税込1,538
1セット(10個)
7日以内出荷
長さ(mm)6.6幅(mm)6.2高さ(mm)2.4タイプ【パッケージ】DPAK(TO-252)シリーズSTripFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプN材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)24最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)40最大ゲートしきい値電圧(V)4最小ゲートしきい値電圧(V)2最大ゲート-ソース間電圧(V)-20,+20トランジスタ構成シングル標準ゲートチャージ23nC@10V最大パワー消費60W最大動作温度(℃)175最小動作温度(℃)-55
STP80NF55-06 STMicroSTP80NF55-06STMicro
899税込989
1袋(2個)
7日以内出荷
長さ(mm)10.4幅(mm)4.6高さ(mm)9.15タイプ【パッケージ】TO-220シリーズSTripFETIIピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプN材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)80最大ドレイン-ソース間電圧(V)55最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)6.5最大ゲートしきい値電圧(V)4最小ゲートしきい値電圧(V)2最大ゲート-ソース間電圧(V)-20,+20トランジスタ構成シングル標準ゲートチャージ142nC@10V最大パワー消費300W最大動作温度(℃)175最小動作温度(℃)-55
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 4 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 4 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピンSTMicro
289,800税込318,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 4 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●シリーズ : STripFET(TM)実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 8●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 55 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 2.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 1V●最大パワー消費 : 2 W●トランジスタ構成 : 絶縁型●最大ゲート-ソース間電圧 : -15 V, +15 V●幅 : 4mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)デュアルMOSFET、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 7.5 A 表面実装 パッケージSO-8 8 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 7.5 A 表面実装 パッケージSO-8 8 ピンSTMicro
2,698税込2,968
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 7.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●パッケージタイプ : SO-8●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 8●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 21 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最低ゲートしきい値電圧 : 1V●最大パワー消費 : 2.5 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : ±16 V●動作温度 Max : +150 ℃mm●順方向ダイオード電圧 : 1.2VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFETSTMicro(1件のレビュー)
1,398税込1,538
1セット(5個)ほか
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STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 60 A, 3 ピン パッケージTO-220 STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 60 A, 3 ピン パッケージTO-220STMicro
1,798税込1,978
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 150 W動作温度 Min = -55 ℃NチャンネルSTripFETΩ II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 16 A, 3 ピン パッケージTO-220 STripFET シリーズ STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 16 A, 3 ピン パッケージTO-220 STripFET シリーズSTMicro
1,398税込1,538
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 315 pF @ 25 VNチャンネルSTripFETΩ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 24 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 24 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252)STMicro
979税込1,077
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 24 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -18 V, +18 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 60 W動作温度 Max = +175 ℃NチャンネルSTripFETΩ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 24 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 24 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンSTMicro
289,800税込318,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 24 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 40 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 60 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 35 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 35 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンSTMicro
1,798税込1,978
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 35 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 28 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 2.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 1V●最大パワー消費 : 70 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 23 nC @ 5 Vmm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 30 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 30 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro
7,598税込8,358
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 30 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 40 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 2.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 1V●最大パワー消費 : 70 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -18 V, +18 V●動作温度 Max : +175 ℃mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 4 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 4 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピンSTMicro
249,800税込274,780
1セット(4000個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 4 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 100 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 2.8V●最低ゲートしきい値電圧 : 1V●最大パワー消費 : 3.3 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -16 V, +16 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 50 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 50 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro
8,198税込9,018
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●シリーズ : STripFET(TM)II●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 18 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 30 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 60 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 60 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro
7,198税込7,918
1セット(50個)
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 50 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 50 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンSTMicro
169,800税込186,780
1セット(1000個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●シリーズ : STripFET II●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 18 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 110 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 60 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 60 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252)STMicro
1,998税込2,198
1袋(5個)
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 110W動作温度 Min = -55 ℃NチャンネルSTripFETΩ II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
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