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STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 60 A， 3 ピン パッケージTO-220STMicro￥1,998税込￥2,198
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 150 W動作温度 Min = -55 ℃NチャンネルSTripFETΩ II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET， 100 V， 110 A， 3 ピン パッケージTO-220FPSTMicro￥2,398税込￥2,638
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 110 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 30 W寸法 = 10.6 x 4.6 x 16.4mmNチャンネルSTripFETΩ H7シリーズ、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET， 200 V， 15 A， 3 ピン パッケージTO-220 STripFET シリーズSTMicro￥1,698税込￥1,868
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 160 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 90 W標準ターンオフ遅延時間 = 19 nsNチャンネルSTripFETΩ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 16 A， 3 ピン パッケージTO-220 STripFET シリーズSTMicro￥1,298税込￥1,428
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 315 pF @ 25 VNチャンネルSTripFETΩ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 60 A， 3 ピン パッケージDPAK (TO-252)STMicro￥1,798税込￥1,978
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 110W動作温度 Min = -55 ℃NチャンネルSTripFETΩ II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics ハイサイドSTMicro￥2,498税込￥2,748
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様電源スイッチの種類：ハイサイドスイッチオン抵抗：100mΩ出力数：1電圧：36V電流：19A実装タイプ：表面実装パッケージタイプ：PowerSSOピン数：12寸法：5 x 4 x 1.65mm長さ：5mm幅：4mm高さ：1.65mm動作温度 Max：+150 ℃動作温度 Min：-40 ℃電力IC、ハイサイド電源スイッチ、STMicroelectronics. ハイサイドスイッチを使用すれば、抵抗性負荷、誘導性負荷、容量性負荷に高い電流を流しても安全です。 診断、保護、制御の機能に、信頼性の高い低オン抵抗パワースイッチと正確なアナログ回路の両方を必要とする厳しい車載環境で動作するように設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Pチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 10 A， 3 ピン パッケージDPAK (TO-252)STMicro￥1,998税込￥2,198
1袋(20個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 160 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1PチャンネルSTripFETΩパワーMOSFET、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics ハイサイドドライバスイッチSTMicro￥2,298税込￥2,528
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様電源スイッチの種類：ハイサイドドライバスイッチスイッチオン抵抗：32mΩ出力数：1電圧：36V電流：60A実装タイプ：表面実装パッケージタイプ：PowerSSOピン数：12寸法：5 x 4 x 1.65mm長さ：5mm幅：4mm高さ：1.65mm動作温度 Max：+150 ℃動作温度 Min：-40 ℃電力IC、ハイサイド電源スイッチ、STMicroelectronics. ハイサイドスイッチを使用すれば、抵抗性負荷、誘導性負荷、容量性負荷に高い電流を流しても安全です。 診断、保護、制御の機能に、信頼性の高い低オン抵抗パワースイッチと正確なアナログ回路の両方を必要とする厳しい車載環境で動作するように設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics 2チャンネル ハイサイドドライバSTMicro￥1,798税込￥1,978
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様電源スイッチの種類：ハイサイドドライバスイッチオン抵抗：320mΩ出力数：2電圧：36V電流：5A実装タイプ：表面実装パッケージタイプ：PowerSSOピン数：12寸法：5 x 4 x 1.65mm長さ：5mm幅：4mm高さ：1.65mm動作温度 Max：+150 ℃動作温度 Min：-40 ℃電力IC、ハイサイド電源スイッチ、STMicroelectronics. ハイサイドスイッチを使用すれば、抵抗性負荷、誘導性負荷、容量性負荷に高い電流を流しても安全です。 診断、保護、制御の機能に、信頼性の高い低オン抵抗パワースイッチと正確なアナログ回路の両方を必要とする厳しい車載環境で動作するように設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応
