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STMicroelectronics PNP パワートランジスタ， 300 V， 500mA， 3-Pin SOT-32
STMicro￥889税込￥9781袋(5個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 Vパッケージタイプ = SOT-32実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 20.8 W最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 2.7mm高電圧トランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics トランジスタ， NPN， スルーホール， 500 mA， MJE340
STMicro￥839税込￥9231袋(10個)7日以内出荷トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 V。パッケージタイプ = SOT-32。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2800 mW。最小DC電流ゲイン = 30。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。高電圧トランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics トランジスタ， PNP， スルーホール， -500 mA， MJE350
STMicro￥899税込￥9891袋(5個)7日以内出荷トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -300 V。パッケージタイプ = SOT-32。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 20.8 W。最小DC電流ゲイン = 30。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 10.8 x 7.8 x 2.7mm。高電圧トランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， 整流ダイオード， シリーズ， 300mA， 30V 表面実装， 3-Pin SOT-323 ショットキーバリア 580mV
STMicro￥689税込￥7581袋(50個)7日以内出荷仕様●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOT-323●最大連続 順方向電流 ： 300mA●ピーク逆繰返し電圧 ： 30V●ダイオード構成 ： シリーズ●整流タイプ ： ショットキーダイオード●ダイオードタイプ ： ショットキー●ピン数 ： 3●最大順方向降下電圧 ： 580mV●1チップ当たりのエレメント数 ： 2●ダイオードテクノロジー ： ショットキーバリア●BAT30 シリーズは、 SOD-523 パッケージ又は SOT-323 パッケージに収められた 30 V ショットキーバリアダイオードを使用しています。このデバイスは、低順方向電圧降下ダイオードを必要とするスイッチングモード用途に特に適しています。超低導電損失 無視できるスイッチングロス 短い正転 / 逆転回復時間 超高速スイッチ 表面実装デバイス 低静電容量ダイオードRoHS指令(10物質対応)対応
