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RoHS10物質対応(13)
「rotronic」の検索結果
STMicroelectronics PNP トランジスタ， 80 V， 3 A， 3-Pin SOT-32
STMicro￥119税込￥1311個当日出荷仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = SOT-32実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1.25 W最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.5 V汎用PNPトランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics PNP パワートランジスタ， 300 V， 500mA， 3-Pin SOT-32
STMicro￥889税込￥9781袋(5個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 Vパッケージタイプ = SOT-32実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 20.8 W最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 2.7mm高電圧トランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NPN トランジスタ， 45 V， 3 A， 3-Pin SOT-32
STMicro￥1,198税込￥1,3181袋(20個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-32実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1250 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 45 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃汎用NPNトランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NPN ダーリントンペア， 100 V， 4 A， 3-Pin SOT-32
STMicro￥239税込￥2631個7日以内出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 4 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = SOT-32実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 750最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 2.5 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.2mA動作温度 Min = -65 ℃NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics オペアンプ， 3～5V， 5-Pin SOT-23
STMicro￥999税込￥1,0991袋(10個)7日以内出荷仕様アンプタイプ = 汎用実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23電源タイプ = シングル1チップ当たりのチャンネル数 = 1ピン数 = 5標準シングル供給電圧 = 3 V、5 V標準ゲインバンド幅積 = 1.4MHz標準スルーレート = 0.6V/μs動作温度 Max = +125 ℃高さ = 1.3mmTSV321、TSV324、TSV358、低電圧レールツーレールI/O汎用オペアンプ. LM358 / LM324の低電圧バージョン 電源: 2.5 → 6 V レールツーレール入力 / 出力 32 Ωの負荷抵抗を駆動可能 出力電流: 80 mA (代表値)RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics MOSFET 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン
STMicro￥46,980税込￥51,6781セット(1000個)7日以内出荷仕様●パッケージタイプ ： SOT-223●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大パワー消費 ： 1.6 W●トランジスタ構成 ： シングル●幅 ： 3.7mm●高さ ： 1.8mm●The device in manufactured in low voltage PNP planar technology by using a ”；Base Island”； layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.Very low collector to emitter saturation voltage 3A continuous collector current DC current gain， hFE >100 SOT-223 plastic package for surface mounting circuits in tape and reel packing 40 V breakdown voltage V(BR)CER Applications Power management in portable equipment Voltage regulation in bias supply circuits Switching regulator in battery charger applications Heavy load driverRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics ローパワー オペアンプ， 2.7～5V， 5-Pin SOT-23
STMicro￥1,898税込￥2,0881袋(50個)7日以内出荷仕様アンプタイプ = ローパワー実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23電源タイプ = シングル1チップ当たりのチャンネル数 = 1ピン数 = 5標準シングル供給電圧 = 2.7 V、5 V標準ゲインバンド幅積 = 1.3MHz標準スルーレート = 0.6V/μs最大動作周波数 = 10 kHz動作温度 Min = -40 ℃オフセット電圧 = 7mVLMV321L、LMV358L、低電力 レールツーレール出力オペアンプ. LMV321L (シングル)及びLMV358L (デュアル)は、低電圧動作の汎用オペアンプです。. 低消費電力: 250 μA @ 5 V (最大) レールツーレール出力 低オフセット電圧: 7 mV @ 25 ℃ (最大) 電源電圧: 2.7 → 5.5 V ゲイン帯域幅積: 1.3 MHzRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics PNP ダーリントンペア， 100 V， 4 A， 3-Pin SOT-32
STMicro￥919税込￥1,0111袋(5個)7日以内出荷仕様トランジスタタイプ = PNP最大連続コレクタ電流 = 4 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = SOT-32実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 750最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 2.5 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.2mA動作温度 Max = +150 ℃PNPダーリントントランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 4 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン
STMicro￥249,800税込￥274,7801セット(4000個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 4 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 100 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.8V●最低ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 3.3 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -16 V， +16 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NPN ダーリントントランジスタ， 80 V， 4 A， 3-Pin SOT-32
STMicro￥3,698税込￥4,0681セット(50個)7日以内出荷仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大連続コレクタ電流 ： 4 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 80 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●パッケージタイプ ： SOT-32●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●トランジスタ構成 ： シングル●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●最小DC電流ゲイン ： 750●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 80 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 ： 2.8 V●最大コレクタカットオフ電流 ： 0.2mA●幅 ： 2.7mm●NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET450 V 600 mA 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン
STMicro￥199,800税込￥219,7801セット(4000個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 600 mA●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 450 V●シリーズ ： MDmesh K3， SuperMESH3●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 3.8 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 2 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●幅 ： 3.7mm●高さ ： 1.8mm●NチャンネルMDmesh(TM) K3シリーズ、SuperMESH3(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
