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エコロジープロダクト
RoHS10物質対応(9)
「st120」の検索結果
STマイクロ， ファストリカバリー 整流ダイオード， 絶縁型， 120A， 1200V， 4-Pin ISOTOPSTMicro￥5,498税込￥6,048
1個
当日出荷
仕様最大連続 順方向電流 = 120A整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 1200V実装タイプ = パネルマウントパッケージタイプ = ISOTOPダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 4最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 38.2mm幅 = 25.5mm高さ = 9.1mmピーク逆回復時間 = 125ns動作温度 Min = -65 ℃整流ダイオード、10 A → 240 A、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， 整流ダイオード， 20A， 120V スルーホール， 2-Pin TO-220AB ショットキー 930mVSTMicro￥999税込￥1,099
1袋(10個)
7日以内出荷
実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220AB最大連続 順方向電流 = 20Aピーク逆繰返し電圧 = 120Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 930mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200ASTMicroelectronics ショットキーバリアダイオード 20 → 25 A
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 120 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンSTMicro￥359,800税込￥395,780
1セット(1000個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 120 A最大ドレイン-ソース間電圧 100 Vパッケージタイプ D2PAK (TO-263)実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 10.5 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 312 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V長さ 10.4mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルSTripFET II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET120 V 80 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥12,980税込￥14,278
1セット(50個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 80 A最大ドレイン-ソース間電圧 120 Vシリーズ STripFET実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 18 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 300 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V幅 4.6mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルSTripFET、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 120 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥1,498税込￥1,648
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 120 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 100 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 10.5 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 312 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●幅 ： 4.6mm●高さ ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， 整流ダイオード， 絶縁型， 120A， 200V パネルマウント， 4-Pin ISOTOP シリコンジャンクション 1.2VSTMicro￥4,598税込￥5,058
1個
7日以内出荷
仕様●実装タイプ ： パネルマウント●パッケージタイプ ： ISOTOP●最大連続 順方向電流 ： 120A●ピーク逆繰返し電圧 ： 200V●ダイオード構成 ： 絶縁型●整流タイプ ： スイッチング●ダイオードタイプ ： 整流器●ピン数 ： 4●最大順方向降下電圧 ： 1.2V●1チップ当たりのエレメント数 ： 2●ダイオードテクノロジー ： シリコンジャンクション●ピーク逆回復時間 ： 50ns●ピーク非繰返し順方向サージ電流 ： 1kA●整流ダイオード、10 A → 240 A、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， 整流ダイオード， 絶縁型， 120A， 45V パネルマウント， 4-Pin ISOTOP ショットキー 670mVSTMicro￥33,980税込￥37,378
1セット(10個)
7日以内出荷
仕様●実装タイプ ： パネルマウント●パッケージタイプ ： ISOTOP●最大連続 順方向電流 ： 120A●ピーク逆繰返し電圧 ： 45V●ダイオード構成 ： 絶縁型●整流タイプ ： ショットキー整流器●ダイオードタイプ ： ショットキー●ピン数 ： 4●最大順方向降下電圧 ： 670mV●1チップ当たりのエレメント数 ： 2●ダイオードテクノロジー ： ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 ： 900A●STMicroelectronics ショットキーバリアダイオード 40 → 240 A. この高電圧ショットキー整流器は、高周波スイッチング電源に適しています。 このデバイスはISOTOPに収められ、二次整流に使用されます。. 特長. ；ul＞ ；li＞無視できるほど低いスイッチング損失 ；/li＞ ；li＞アバランシェ定格 ；/li＞ ；li＞低漏洩電流 ；/li＞ ；li＞漏洩電流と順方向電圧降下の良好なトレードオフ ；/li＞ ；li＞絶縁パッケージ ISOTOP： ；/li＞ ；/ul＞ 絶縁電圧： 2500 VRMS 静電容量：45 pFRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 1200 V 6 A， 3-Pin TO-220FP シングルSTMicro￥2,198税込￥2,418
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●最大連続コレクタ電流 ： 6 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 1200 V●最大ゲート-エミッタ間電圧 ： ±20V●最大パワー消費 ： 25 W●パッケージタイプ ： TO-220FP●実装タイプ ： スルーホール●チャンネルタイプ ： N●ピン数 ： 3●スイッチングスピード ： 1MHz●トランジスタ構成 ： シングル●寸法 ： 10.4×4.6×16.4mm●動作温度 Min ： -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 1200 V 60 A， 3-Pin TO-247 シングルSTMicro￥1,298税込￥1,428
1袋(2個)
7日以内出荷
最大連続コレクタ電流 = 60 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 1200 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±25V最大パワー消費 = 220 Wパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3スイッチングスピード = 1MHzトランジスタ構成 = シングル寸法 = 15.75 x 5.15 x 20.15mm動作温度 Max = +150 ℃IGBTディスクリート、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
