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STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 40 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥12,980税込￥14,278
1セット(50個)
翌々日出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 40 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 100 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 33 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 150 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -17 V， +17 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 7.2 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥13,980税込￥15,378
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 7.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 500 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 850 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 110 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET120 V 80 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥11,980税込￥13,178
1セット(50個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 80 A最大ドレイン-ソース間電圧 120 Vシリーズ STripFET実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 18 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 300 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V幅 4.6mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルSTripFET、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET1500 V 2.5 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥28,980税込￥31,878
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 2.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 1500 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 9 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 140 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●幅 ： 4.6mm●高さ ： 15.75mm●STMicroelectronics N チャネル 800 V → 1500 V MDmesh(TM)RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 5.2 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥11,980税込￥13,178
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 5.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 800 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 1.8 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 125 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET75 V 80 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥12,980税込￥14,278
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 80 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 75 V●シリーズ ： STripFET II●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 11 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 300 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●トランジスタ素材 ： Simm●高さ ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET900 V 5.8 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥12,980税込￥14,278
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 5.8 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 900 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 2 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 140 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 9.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， 整流ダイオード， 3A， 60V スルーホール， 2-Pin DO-15 ショットキーSTMicro￥20,980税込￥23,078
1袋(1000個)
7日以内出荷
仕様●実装タイプ ： スルーホール●パッケージタイプ ： DO-15●最大連続 順方向電流 ： 3A●ピーク逆繰返し電圧 ： 60V●ダイオード構成 ： シングル●整流タイプ ： ショットキー整流器●ダイオードタイプ ： ショットキー●ピン数 ： 2●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●ダイオードテクノロジー ： ショットキー●直径 ： 3.53mm●ピーク非繰返し順方向サージ電流 ： 100A●ショットキーバリアダイオード、2 A → 9 A、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 7 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥13,980税込￥15,378
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 7 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 600 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 950 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 125 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●幅 ： 4.6mm●高さ ： 9.15mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， 整流ダイオード， 500mA， 60V 表面実装， 2-Pin SOD-123 ショットキーSTMicro￥23,980税込￥26,378
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOD-123●最大連続 順方向電流 ： 500mA●ピーク逆繰返し電圧 ： 60V●ダイオード構成 ： シングル●整流タイプ ： ショットキー整流器●ダイオードタイプ ： ショットキー●ピン数 ： 2●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●ダイオードテクノロジー ： ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 ： 5.5A●ショットキーバリアダイオード、最大1 A、STMicroelectronics. 高出力、高効率、高密度RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 10 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro￥16,980税込￥18,678
1セット(50個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 600 Vシリーズ MDmesh， SuperMESH実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 750 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 35 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V幅 4.6mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 14 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro￥15,980税込￥17,578
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 14 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 500 V●パッケージタイプ ： TO-220FP●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 380 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 35 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●高さ ： 9.3mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， 整流ダイオード， 200A， 170V パネルマウント， 4-Pin ISOTOP ショットキー 850mVSTMicro￥32,980税込￥36,278
1セット(10個)
7日以内出荷
仕様●実装タイプ ： パネルマウント●パッケージタイプ ： ISOTOP●最大連続 順方向電流 ： 200A●ピーク逆繰返し電圧 ： 170V●ダイオード構成 ： シングル●整流タイプ ： ショットキー整流器●ダイオードタイプ ： ショットキー●ピン数 ： 4●最大順方向降下電圧 ： 850mV●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●ダイオードテクノロジー ： ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 ： 700A●STMicroelectronics ショットキーバリアダイオード 40 → 240 A. この高電圧ショットキー整流器は、高周波スイッチング電源に適しています。 このデバイスはISOTOPに収められ、二次整流に使用されます。. 特長. ；ul＞ ；li＞無視できるほど低いスイッチング損失 ；/li＞ ；li＞アバランシェ定格 ；/li＞ ；li＞低漏洩電流 ；/li＞ ；li＞漏洩電流と順方向電圧降下の良好なトレードオフ ；/li＞ ；li＞絶縁パッケージ ISOTOP： ；/li＞ ；/ul＞ 絶縁電圧： 2500 VRMS 静電容量：45 pFRoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， 整流ダイオード， 絶縁型， 160A， 100V パネルマウント， 4-Pin ISOTOP ショットキー 680mVSTMicro￥35,980税込￥39,578
1セット(10個)
7日以内出荷
仕様●実装タイプ ： パネルマウント●パッケージタイプ ： ISOTOP●最大連続 順方向電流 ： 160A●ピーク逆繰返し電圧 ： 100V●ダイオード構成 ： 絶縁型●整流タイプ ： ショットキー整流器●ダイオードタイプ ： ショットキー●ピン数 ： 4●最大順方向降下電圧 ： 680mV●1チップ当たりのエレメント数 ： 2●ダイオードテクノロジー ： ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 ： 1kA●STMicroelectronics ショットキーバリアダイオード 40 → 240 A. この高電圧ショットキー整流器は、高周波スイッチング電源に適しています。 このデバイスはISOTOPに収められ、二次整流に使用されます。. 特長. ；ul＞ ；li＞無視できるほど低いスイッチング損失 ；/li＞ ；li＞アバランシェ定格 ；/li＞ ；li＞低漏洩電流 ；/li＞ ；li＞漏洩電流と順方向電圧降下の良好なトレードオフ ；/li＞ ；li＞絶縁パッケージ ISOTOP： ；/li＞ ；/ul＞ 絶縁電圧： 2500 VRMS 静電容量：45 pFRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET1000 V 3.5 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥16,980税込￥18,678
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 3.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 1000 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 3.7 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 125 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 9.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 21 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥37,980税込￥41,778
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 21 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 500 V●シリーズ ： MDmesh●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 158 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 150 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -25 V， +25 V●幅 ： 4.6mm●高さ ： 15.75mm●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 80 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro￥15,980税込￥17,578
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 80 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 100 V●シリーズ ： STripFET II●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 15 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 45 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET75 V 120 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥16,980税込￥18,678
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 120 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 75 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 8 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 310 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 29 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥42,980税込￥47,278
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 29 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 600 V●シリーズ ： MDmesh●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 105 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 210 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -25 V， +25 V●動作温度 Max ： +150 ℃●高さ ： 15.75mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， 整流ダイオード， 絶縁型， 120A， 45V パネルマウント， 4-Pin ISOTOP ショットキー 670mVSTMicro￥29,980税込￥32,978
1セット(10個)
7日以内出荷
仕様●実装タイプ ： パネルマウント●パッケージタイプ ： ISOTOP●最大連続 順方向電流 ： 120A●ピーク逆繰返し電圧 ： 45V●ダイオード構成 ： 絶縁型●整流タイプ ： ショットキー整流器●ダイオードタイプ ： ショットキー●ピン数 ： 4●最大順方向降下電圧 ： 670mV●1チップ当たりのエレメント数 ： 2●ダイオードテクノロジー ： ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 ： 900A●STMicroelectronics ショットキーバリアダイオード 40 → 240 A. この高電圧ショットキー整流器は、高周波スイッチング電源に適しています。 このデバイスはISOTOPに収められ、二次整流に使用されます。. 特長. ；ul＞ ；li＞無視できるほど低いスイッチング損失 ；/li＞ ；li＞アバランシェ定格 ；/li＞ ；li＞低漏洩電流 ；/li＞ ；li＞漏洩電流と順方向電圧降下の良好なトレードオフ ；/li＞ ；li＞絶縁パッケージ ISOTOP： ；/li＞ ；/ul＞ 絶縁電圧： 2500 VRMS 静電容量：45 pFRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 7 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro￥14,980税込￥16,478
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 7 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 600 V●パッケージタイプ ： TO-220FP●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 950 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 30 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●幅 ： 4.6mm●高さ ： 16.4mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET900 V 5.8 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro￥11,980税込￥13,178
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 5.8 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 900 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 2 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 30 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET700 V 7.5 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro￥12,980税込￥14,278
1セット(50個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 7.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 700 Vシリーズ MDmesh， SuperMESH実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 1.2 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 35 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V標準ゲートチャージ Vgs 48 nC 10 Vmm高さ 16.4mmSTMicroelectronics チャネル MDmesh SuperMESH 700 → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 20 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥25,980税込￥28,578
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 20 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 600 V●シリーズ ： FDmesh●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 290 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 192 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 37 nC @ 10 Vmm●高さ ： 9.15mm●NチャンネルFDmesh(TM)パワーMOSFET、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， 整流ダイオード， 絶縁型， 80A， 45V パネルマウント， 4-Pin ISOTOP ショットキー 950mVSTMicro￥29,980税込￥32,978
1セット(10個)
7日以内出荷
仕様●実装タイプ ： パネルマウント●パッケージタイプ ： ISOTOP●最大連続 順方向電流 ： 80A●ピーク逆繰返し電圧 ： 45V●ダイオード構成 ： 絶縁型●整流タイプ ： ショットキー整流器●ダイオードタイプ ： ショットキー●ピン数 ： 4●最大順方向降下電圧 ： 950mV●ダイオードテクノロジー ： ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 ： 900A●STMicroelectronics ショットキーバリアダイオード 40 → 240 A. この高電圧ショットキー整流器は、高周波スイッチング電源に適しています。 このデバイスはISOTOPに収められ、二次整流に使用されます。. 特長. ；ul＞ ；li＞無視できるほど低いスイッチング損失 ；/li＞ ；li＞アバランシェ定格 ；/li＞ ；li＞低漏洩電流 ；/li＞ ；li＞漏洩電流と順方向電圧降下の良好なトレードオフ ；/li＞ ；li＞絶縁パッケージ ISOTOP： ；/li＞ ；/ul＞ 絶縁電圧： 2500 VRMS 静電容量：45 pFRoHS指令(10物質対応)対応
