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RoHS10物質対応(3)
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STMicroelectronics Pチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 10 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252)
STMicro¥2,598税込¥2,8581袋(20個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 160 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1PチャンネルSTripFETΩパワーMOSFET、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Pチャンネル パワーMOSFET, 30 V, 12 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252)
STMicro¥1,798税込¥1,9781袋(10個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 12 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 45 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 40 W長さ = 6.6mmPチャンネルSTripFETΩパワーMOSFET、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics IGBT 600 V 60 A, 1MHz, 3-Pin TO-3PF シングル
STMicro¥1,198税込¥1,3181袋(2個)7日以内出荷RoHS指令(10物質対応)対応







