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STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 1 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
STMicro￥159,800税込￥175,7801セット(2500個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 1 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 600 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 8.5 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 3.7V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2.25V●最大パワー消費 ： 30 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， 整流ダイオード， 1A， 40V スルーホール， 2-Pin DO-41 ショットキーバリア
STMicro￥1,398税込￥1,5381袋(50個)翌々日出荷仕様●実装タイプ ： スルーホール●パッケージタイプ ： DO-41●最大連続 順方向電流 ： 1A●ピーク逆繰返し電圧 ： 40V●ダイオード構成 ： シングル●整流タイプ ： ショットキー整流器●ダイオードタイプ ： ショットキー●ピン数 ： 2●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●ダイオードテクノロジー ： ショットキーバリア●直径 ： 2.71mm●ピーク非繰返し順方向サージ電流 ： 25A●STMicroelectronics 1N5817/8/9低ドロップパワーショットキー整流器. Vishay 1N58171N58181N5819 低ドロップ1 Aショットキー整流ダイオードの製品群です。スイッチング電源と高周波DC-DCコンバータ用に設計されています。 特長: 高速スイッチング 低い順方向電圧降下 小さな導電損失 非常に低いスイッチング損失 どこに使用されていますか? 1N5817-1N5819は、低電圧、高周波インバータ、フリーホイール、極性保護、小型充電器用に設計されています。 動作ジャンクション温度はどのくらいですか? -65 → +150 ℃ バージョンを用意: 1N5817 - 20 V 1N5818 - 30 V 1N5819 - 40 VRoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， 整流ダイオード， 1A， 30V スルーホール， 2-Pin DO-41 ショットキーバリア 550mV
STMicro￥599税込￥6591袋(25個)7日以内出荷実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-41。最大連続 順方向電流 1A。ピーク逆繰返し電圧 30V。ダイオード構成 シングル。整流タイプ ショットキー整流器。ダイオードタイプ ショットキー。ピン数 2。最大順方向降下電圧 550mV。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー ショットキーバリア。直径 2.71mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 25A。STMicroelectronics 1N5817/8/9低ドロップパワーショットキー整流器. Vishay 1N5817、1N5818、1N5819 低ドロップ1 Aショットキー整流ダイオードの製品群です。スイッチング電源と高周波DC-DCコンバータ用に設計されています。 特長: 高速スイッチング 低い順方向電圧降下 小さな導電損失 非常に低いスイッチング損失 どこに使用されていますか? 1N5817-1N5819は、低電圧、高周波インバータ、フリーホイール、極性保護、小型充電器用に設計されています。 動作ジャンクション温度はどのくらいですか? -65 +150 バージョンを用意: 1N5817 20 1N5818 30 1N5819 40 VRoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， 整流ダイオード， 1A， 30V スルーホール， 2-Pin DO-41 ショットキーバリア 550mV
STMicro￥639税込￥7031袋(25個)7日以内出荷仕様●実装タイプ ： スルーホール●パッケージタイプ ： DO-41●最大連続 順方向電流 ： 1A●ピーク逆繰返し電圧 ： 30V●ダイオード構成 ： シングル●整流タイプ ： ショットキー整流器●ダイオードタイプ ： ショットキー●ピン数 ： 2●最大順方向降下電圧 ： 550mV●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●ダイオードテクノロジー ： ショットキーバリア●直径 ： 2.71mm●ピーク非繰返し順方向サージ電流 ： 25A●STMicroelectronics 1N5817/8/9低ドロップパワーショットキー整流器. Vishay 1N58171N58181N5819 低ドロップ1 Aショットキー整流ダイオードの製品群です。スイッチング電源と高周波DC-DCコンバータ用に設計されています。 特長: 高速スイッチング 低い順方向電圧降下 小さな導電損失 非常に低いスイッチング損失 どこに使用されていますか? 1N5817-1N5819は、低電圧、高周波インバータ、フリーホイール、極性保護、小型充電器用に設計されています。 動作ジャンクション温度はどのくらいですか? -65 → +150 ℃ バージョンを用意: 1N5817 - 20 V 1N5818 - 30 V 1N5819 - 40 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET400 V 9 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピン
STMicro￥8,798税込￥9,6781セット(50個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 9 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 400 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 550 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大パワー消費 ： 30 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 16.4mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronics
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 21 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン
STMicro￥21,980税込￥24,1781セット(30個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 21 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 500 V●シリーズ ： MDmesh●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 158 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 150 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -25 V， +25 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 20.15mm●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 10 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
STMicro￥2,598税込￥2,8581袋(5個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 10 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 600 V●シリーズ ： MDmesh●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 550 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 70 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -25 V， +25 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 15.75mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 53 A スクリュー マウント パッケージISOTOP 4 ピン
STMicro￥49,980税込￥54,9781セット(10個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 53 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 500 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スクリュー マウント●ピン数 ： 4●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 80 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 460 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 9.1mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET1500 V 8 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン
STMicro￥46,980税込￥51,6781セット(30個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 8 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 1500 V●シリーズ ： MDmesh●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 2.5 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 320 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル 800 V → 1500 V MDmesh(TM)RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET900 V 5.8 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
STMicro￥15,980税込￥17,5781セット(50個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 5.8 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 900 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 2 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 140 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 9.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 7.2 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
STMicro￥11,980税込￥13,1781セット(50個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 7.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 500 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 850 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 110 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET1000 V 3.5 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
STMicro￥19,980税込￥21,9781セット(50個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 3.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 1000 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 3.7 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 125 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 9.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 5.2 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
STMicro￥12,980税込￥14,2781セット(50個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 5.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 800 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 1.8 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 125 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET1000 V 8.3 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン
STMicro￥13,980税込￥15,3781セット(30個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 8.3 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 1000 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 1.38 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 230 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET900 V 5.8 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピン
STMicro￥12,980税込￥14,2781セット(50個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 5.8 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 900 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 2 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 30 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET200 V 9 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
STMicro￥8,198税込￥9,0181セット(50個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 9 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 200 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 400 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 75 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 40 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
STMicro￥9,998税込￥10,9981セット(50個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 40 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 100 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 33 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 150 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -17 V， +17 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 26 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
STMicro￥1,898税込￥2,0881袋(5個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 26 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 100 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 70 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 85 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 24 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
STMicro￥289,800税込￥318,7801セット(2500個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 24 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 40 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 60 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 50 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピン
STMicro￥8,198税込￥9,0181セット(50個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●シリーズ ： STripFET(TM)II●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 18 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 30 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 60 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
STMicro￥7,198～税込￥7,918～1セット(50個)7日以内出荷RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 20 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン
STMicro￥16,980税込￥18,6781セット(30個)7日以内出荷RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 4 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン
STMicro￥249,800税込￥274,7801セット(4000個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 4 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 100 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.8V●最低ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 3.3 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -16 V， +16 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 50 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
STMicro￥169,800税込￥186,7801セット(1000個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●シリーズ ： STripFET II●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 18 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 110 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 80 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピン
STMicro￥13,980税込￥15,3781セット(50個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 80 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 100 V●シリーズ ： STripFET II●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 15 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 45 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET75 V 75 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
STMicro￥319,800税込￥351,7801セット(1000個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 75 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 75 V●シリーズ ： STripFET II●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 11 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 300 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -15 V， +15 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET75 V 120 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
STMicro￥13,980税込￥15,3781セット(50個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 120 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 75 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 8 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 310 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET650 V 33 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
STMicro￥1,698,000税込￥1,867,8001セット(1000個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 33 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 650 V●シリーズ ： MDmesh M5●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 79 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 190 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -25 V， +25 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 4.6mm●STMicroelectronics N チャンネル MDmesh(TM) M5 シリーズ. MDmesh M5 パワー MOSFET は、高電力 PFC と PWM トポロジ向けに最適化されています。主な機能には、シリコンエリア当たりの低オン状態損失と低ゲート電荷の組み合わせなどがあります。太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 600 V 80 A， 3-Pin TO-247 シングル
STMicro￥1,598税込￥1,7581袋(2個)7日以内出荷仕様●最大連続コレクタ電流 ： 80 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 600 V●最大ゲート-エミッタ間電圧 ： ±20V●最大パワー消費 ： 250 W●パッケージタイプ ： TO-247●実装タイプ ： スルーホール●チャンネルタイプ ： N●ピン数 ： 3●スイッチングスピード ： 1MHz●トランジスタ構成 ： シングル●寸法 ： 15.75×5.15×20.15mm●動作温度 Min ： -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 600 V 6 A， 3-Pin TO-220FP シングル
STMicro￥1,498税込￥1,6481袋(5個)7日以内出荷仕様●最大連続コレクタ電流 ： 6 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 600 V●最大ゲート-エミッタ間電圧 ： ±20V●最大パワー消費 ： 20 W●パッケージタイプ ： TO-220FP●実装タイプ ： スルーホール●チャンネルタイプ ： N●ピン数 ： 3●スイッチングスピード ： 1MHz●トランジスタ構成 ： シングル●寸法 ： 10.4×4.6×16.4mm●動作温度 Min ： -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 600 V 9 A， 3-Pin TO-220FP シングル
STMicro￥1,798税込￥1,9781袋(10個)7日以内出荷仕様●最大連続コレクタ電流 ： 9 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 600 V●最大ゲート-エミッタ間電圧 ： ±20V●最大パワー消費 ： 25 W●パッケージタイプ ： TO-220FP●実装タイプ ： スルーホール●チャンネルタイプ ： N●ピン数 ： 3●スイッチングスピード ： 1MHz●トランジスタ構成 ： シングル●寸法 ： 10.4×4.6×16.4mm●動作温度 Min ： -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 1200 V 6 A， 3-Pin TO-220FP シングル
STMicro￥2,198税込￥2,4181袋(5個)7日以内出荷仕様●最大連続コレクタ電流 ： 6 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 1200 V●最大ゲート-エミッタ間電圧 ： ±20V●最大パワー消費 ： 25 W●パッケージタイプ ： TO-220FP●実装タイプ ： スルーホール●チャンネルタイプ ： N●ピン数 ： 3●スイッチングスピード ： 1MHz●トランジスタ構成 ： シングル●寸法 ： 10.4×4.6×16.4mm●動作温度 Min ： -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
