「0.02ω」の検索結果

抵抗 = 10MΩ。定格電力 = 0.5W。許容差 = ±0.02%。テクノロジー = 薄膜。シリーズ = CNS020。動作温度 Max = +155℃。リード間隔 = 5.08mm。高精度薄膜抵抗器CNS020シリーズ. 高精度で非常に優れた安定性 非常に低い温度係数 小型で優れた定格電力 安定性の高いニクロム薄膜素子

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = MiniMELF。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 550Ω。最大逆漏れ電流 = 10μA。寸法 = 1.6 (Dia.) x 3.7mm。標準電圧温度係数 = -0.02 %/℃， 0.02%/℃。ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = DO-35。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 550Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 1.7 (Dia.) x 3.9mm。標準電圧温度係数 = -0.02 %/℃， 0.02%/℃。ツェナーダイオード500 mW、BZX55Cシリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

標準ツェナー電圧 = 4.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = Quadro MiniMelf。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 600Ω。最大逆漏れ電流 = 10μA。寸法 = 1.6 (Dia.) x 3.7mm。標準電圧温度係数 = -0.05 %/℃， 0.02%/℃。ツェナーダイオード500 mW、BZT55シリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

Vishay 100 Ω 薄膜表面実装抵抗器は、ブレーキシステム、電源、電源スイッチングでの使用に最適です。はんだ接合部と上部抵抗層の間の熱抵抗は、終端の拡大によって抑制されています。低ノイズ、高精度の用途、優れた安定性、低い抵抗温度係数、及び低い電圧係数に適用できます。Vishay Sferrice の実績のある高精度薄膜ラップアラウンド抵抗器は、このタ

Vishay 100 Ω 薄膜表面実装抵抗器は、ブレーキシステム、電源、電源スイッチングでの使用に最適です。はんだ接合部と上部抵抗層の間の熱抵抗は、終端の拡大によって抑制されています。低ノイズ、高精度の用途、優れた安定性、低い抵抗温度係数、及び低い電圧係数に適用できます。Vishay Sferrice の実績のある高精度薄膜ラップアラウンド抵抗器は、このタ

抵抗 = 62Ω。テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = MELF 0204 ( MELF 0204 )。許容差 = ±0.1%。定格電力 = 0.07W。温度係数 = ±15ppm/K。自動車規格 = AEC-Q200。シリーズ = MMA。動作温度 Min = -10℃。動作温度 Max = +85℃。EN140401-803. MMA 0204精密MELF 0.1 %抵抗. アドバンスド薄膜テクノロジ 高い安定性: クラス0.05 幅広い精密範囲: 43 Ω → 220 kΩ 圧入スチールキャップ、すずめっきニッケルバリヤ ニッケルバリヤ層の純Sn終端処理 リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応