「10v 1200」の検索結果

静電容量 = 2200μF。電圧 = 10V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 12.5 x 25mm

静電容量 = 2200μF。電圧 = 10V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 12.5 x 30mm

Solid Tantalum Surface Mount Chip Capacitors， Molded Case， 0805 SizeSmall size， suitable for high-density packaging Terminations: 100 % matte tin APPLICATIONS Industrial Audio and visual equipment General purpose

ピーク平均順方向電流 = 35A。ピーク逆繰返し電圧 = 1200V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = D 63。ピン数 = 5。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.19V。ピーク逆電流 = 200μA。寸法 = 28.5 x 28.5 x 10mm。幅 = 28.5mm。UL E300359. Vishay VS-36MT シリーズブリッジ整流器. 効率的で信頼性の高い動作を実現する、極めてコンパクトな密閉型三相ブリッジ整流器シリーズです。汎用及び計装用途向けです。. ユニバーサル、 3 極端子：プッシュオン、ラップアラウンド、はんだ 高い熱伝導性パッケージ、電気絶縁ケース センター穴固定 優れたパワー / ボリューム比 UL E300359 認定 ニッケルめっき端子は鉛( Pb )フリーではんだ付け可能 はんだ、はんだ合金 Sn / Ag / Cu ( SAC305 )、はんだ 温度： 260 → 275 ° C 工業レベルおよび消費者レベルに対応した設計と認定

ピーク平均順方向電流 = 25A。ピーク逆繰返し電圧 = 1200V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = D 63。ピン数 = 5。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 375A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.26V。ピーク逆電流 = 200μA。長さ = 28.5mm。幅 = 28.5mm。UL E300359. プッシュオン端子付き三相ブリッジ整流器、VS-26MTシリーズ、Vishay Semiconductor. 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 中心穴固定 優れたパワー / ボリューム比

ピーク平均順方向電流 = 35A。ピーク逆繰返し電圧 = 1200V。実装タイプ = スクリュー マウント。パッケージタイプ = D 34。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.14V。ピーク逆電流 = 10μA。長さ = 28.5mm。幅 = 28.5mm。UL E300359. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、VS-36MBシリーズ、Vishay Semiconductor. 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 中心穴固定 優れたパワー / ボリューム比

ピーク平均順方向電流 = 25A。ピーク逆繰返し電圧 = 1200V。実装タイプ = スクリュー マウント。パッケージタイプ = D 34。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 420A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.11V。ピーク逆電流 = 10μA。長さ = 28.5mm。幅 = 28.5mm。UL E300359. Vishay VS-26MB シリーズブリッジ整流器. 超コンパクトな密閉型単相製品です ブリッジ整流器で効率的かつ信頼性の高い動作を実現 これらは、一般的な目的や用途で使用することを目的としています 計装用途. ユニバーサル、 3 極端子：プッシュオン、ラップアラウンド、はんだ 高い熱伝導性パッケージ、電気絶縁ケース センター穴固定 優れたパワー / ボリューム比 UL E300359 認定 ニッケルめっき端子は鉛( Pb )フリーではんだ付け可能 はんだ、はんだ合金 Sn / Ag / Cu ( SAC305 )、はんだ 温度： 260 → 275 ° C 工業レベルの設計と認定を受けている

静電容量 = 10nF。電圧 = 100V dc。パッケージ/ケース = 0805 (2012M)。実装タイプ = 表面実装。温度特性 = X7R。許容差 = ±10%。寸法 = 2 x 1.25 x 1.45mm。長さ = 2mm。奥行き = 1.25mm。高さ = 1.45mm。シリーズ = VJ。動作温度 Min = -55℃。VJ0805シリーズ. VishayのVJシリーズのセラミックコンデンサには、さまざまな静電容量値、ケースサイズ、及び定格電圧のタイプが揃っています。 このシリーズのVJセラミックコンデンサは、C0G (NPO)及びX7Rの誘電体を選択可能なため、さまざまな用途に適しています。 C0Gタイプは、安定性が極めて高く、容量の温度係数が非常に低くなっています。. 製品用途の情報. ウェットビルドプロセス 信頼性の高い貴金属電極(NME)システム 優れた経時変化特性. これらのセラミックコンデンサに適した用途には、サージ抑制、フィルタリング、デカップリングなどがあります。 VJシリーズセラミックコンデンサは、センサやスキャナの用途だけでなく、タイミング回路や同調回路にも最適です。

静電容量 = 10μF。電圧 = 200V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 10 x 12mm

バリスタ電圧 = 100V。最大AC定格電圧 = 60V。最大直流定格電圧 = 85V。制限電圧 = 165V。クランプ電流 = 10A。材料 = ZnOセラミックJ。シリーズ = VDRS。直径 = 9mm。最大サージ電流 = 1200A。静電容量 = 700pF。長さ = 35mm。厚さ = 4.1mm。寸法 = 9 Dia. x 4.1mm。リード間隔 = 5mm

バリスタ電圧 = 430V。最大AC定格電圧 = 275V。最大直流定格電圧 = 350V。制限電圧 = 710V。クランプ電流 = 10A。材料 = ZnOセラミックJ。シリーズ = VDRS。直径 = 9mm。最大サージ電流 = 1200A。静電容量 = 140pF。長さ = 35mm。厚さ = 4.9mm。寸法 = 9 Dia. x 4.9mm。リード間隔 = 5mm。VDR金属酸化物バリスタ(標準)特長 低β高純度酸化亜鉛ディスク ハロゲンフリー絶縁エポキシコーティング 酸化亜鉛ディスク、HFエポキシコーティング

静電容量 = 22pF。電圧 = 500V ac。実装タイプ = スルーホール。シリーズ = VY1。許容差 = ±10%。温度特性 = U2J。直径 = 8mm。奥行き = 5mm。高さ = 11mm。寸法 = 8 (Dia.) x 5mm。抑制クラス = X1， Y1。末端仕様 = ラジアル℃。UL、CSA、VDE. X1 / Y1セラミックディスクVY1シリーズ. このコンデンサは、両側に銀めっきが施されたセラミックディスクで構成されています。接続リードは、直径0.6 mmのスズめっき銅クラッドスチール製です。このコンデンサには、リード間隔が10.0 mm又は12.5 mmの縦向き(インライン)キンクリードが付属しています。UL94 V-0 に準拠した難燃性エポキシ樹脂で封入されています。. 特長. - IEC 60384-14 第 4 版に準拠 - 高い信頼性 - 縦向き(インライン)のキンクまたはストレートリード ・単層 AC ディスク安全コンデンサ. 塗布. -X1 、 Y1 、 IEC60384-14.4 準拠 - 回線をまたいで - ラインバイパス - アンテナカップリング. 承認. IEC60384-14.4 UL60384-14 DIN EN60384-14 CSA E60384-1 ： 03 、 CSA E60384-14 ： 09CQC11-471112-2009

実装タイプ = パネルマウント。パッケージタイプ = D-55。最大連続 順方向電流 = 40A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 回復整流器。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600A。Vishay シリコンジャンクションダイオード VS-T40HF .. 、 VS-T70HF .. 、 VS-T85HF .. 、 VS-T110HF .. このシリーズの T モジュールでは、標準の回復用パワー整流ダイオードが使用されています。半導体は金属ベースから電気的に絶縁されているため、共通のヒートシンクとコンパクトなアセンブリを作成できます。主な用途には、電源、バッテリ充電、溶接機、モータ制御、一般的な産業用電流整流などがあります。 特長 電気的に絶縁されたベースプレート 最大 1200 個の VRRM を入力します 絶縁電圧： 3500 Vrms 機械設計の簡素化、 Rapid Assembly 高サージ機能 大きな沿面距離 UL E78996 認定 RoHS 指令 2002/95/EC に準拠 工業レベルの設計と認定を受けている

静電容量 = 47μF。電圧 = 100V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 10 x 30mm

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 12 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 150 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 44 nC @ 10 Vmm。高さ = 20.7mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

静電容量 = 100μF。電圧 = 63V dc。実装タイプ = スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 10 x 30mm

VishayPHPAシリーズチップ抵抗器は、自己不動態化処理が強化されたタンタル窒化膜を採用しており、優れた耐湿性、ESD、電圧係数、抵抗安定性性能を発揮します。この製品は、背面の終端を拡大して設計されており、エンドユーザーの回路基板上の上部抵抗層とはんだ接合部の間の熱抵抗を低減します。実際の電力処理能力は、エンドユーザーの取り付けプロセスによって制限されます。高出力チップ抵抗器と同様に、発生した熱を除去するAbilityは、デバイスの全体的な性能に不可欠です。窒化タンタル材料抵抗範囲：10Ω→30.1kΩ電圧係数<：0.1ppm/V動作電圧：200V動作温度範囲：-55→+155℃ノイズ<：-30dB

静電容量 = 100nF。電圧 = 100V dc。パッケージ/ケース = 1206 (3216M)。実装タイプ = 表面実装。温度特性 = X7R。許容差 = ±10%

フォトトライアック付き Vishay オプトカプラは、光学的に結合された GaAs IRLED から、ノイズ抑制機能と非ゼロクロッシング機能を備えた感光性サイリスタシステムで構成されています。サイリスタシステムは、1 mA の低トリガ電流を実現し、10 kV/ μ s 以上の dV/dt 比と最大 800 V の負荷電圧を備えています低電圧ロジックを高電圧 120 V ac、240 V ac、380 V ac ラインから絶縁し、モータ、ソレノイド、高電力サイリスタ、トライアック、ソリッドステートリレーなどの抵抗、誘導、又は静電容量の AC 負荷を制御する、最適なマイクロコントローラに適したソリューションです。RoHS 指令(2022年10月現在)、に準拠しています SMD-6 パッケージに収容されています

フォトトライアック付き Vishay オプトカプラは、光学的に結合された GaAs IRLED から、ノイズ抑制機能と非ゼロクロッシング機能を備えた感光性サイリスタシステムで構成されています。サイリスタシステムは、1 mA の低トリガ電流を実現し、10 kV/ μ s 以上の dV/dt 比と最大 800 V の負荷電圧を備えていますIL420 及び IL4208 は、低電圧ロジックを高電圧 120 V ac、240 V ac、380 V ac ラインから絶縁し、モータ、ソレノイド、高電力サイリスタ、トライアックやソリッドステートリレーなどの抵抗、誘導、静電容量の AC 負荷を制御する最適なマイクロコントローラに適したソリューションです。RoHS 指令(2022年10月現在)、に準拠しています SMD-6 パッケージに収容されています

静電容量 = 100μF。電圧 = 50V dc。実装タイプ = ラジアル、 スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 10 (Dia.) x 12mm。高さ = 12mm。動作温度 Min = -55℃。直径 = 10mm。動作温度 Max = +125℃。リード間隔 = 5mm。自動車規格 = AEC-Q200mA。146 RTIシリーズラジアル. ラジアルリード円筒型アルミケース、圧力リリーフとブルーPETスリーブによる絶縁 非常に低いESRと優れたリプル電流性能 産業、自動車、通信用の電源(SMPS、dc / dcコンバータ)に最適

静電容量 = 1nF。電圧 = 500V dc。パッケージ/ケース = 1206 (3216M)。実装タイプ = 表面実装。温度特性 = X7R。許容差 = ±10%。寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.7mm。長さ = 3.2mm。奥行き = 1.6mm。高さ = 1.7mm。シリーズ = VJ。動作温度 Min = -55℃。Vishay VJシリーズ. 高電圧処理機能 スナバー及びサージ抑制用途に最適

テクノロジー = タンタル。静電容量 = 100nF。電圧 = 25V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 2012-12。等価直列抵抗 = 33Ω。許容差 = ±10%。長さ = 2mm。奥行き = 1.25mm。高さ = 1.2mm。寸法 = 2 x 1.25 x 1.2mm。シリーズ = TMCP。動作温度 Max = +125℃。許容差(マイナス) = -10%。Solid Tantalum Surface Mount Chip Capacitors， Molded Case， 0805 SizeSmall size， suitable for high-density packaging Terminations: 100 % matte tin APPLICATIONS Industrial Audio and visual equipment General purpose

静電容量 = 1nF。電圧 = 500V ac。実装タイプ = スルーホール。シリーズ = VY1。許容差 = ±20%。温度特性 = Y5U。直径 = 9mm。奥行き = 5mm。高さ = 12mm。寸法 = 9 (Dia.) x 5mm。抑制クラス = X1， Y1。末端仕様 = スルーホール実装℃。UL、CSA、VDE. X1 / Y1セラミックディスクVY1シリーズ. このコンデンサは、両側に銀めっきが施されたセラミックディスクで構成されています。接続リードは、直径0.6 mmのスズめっき銅クラッドスチール製です。このコンデンサには、リード間隔が10.0 mm又は12.5 mmの縦向き(インライン)キンクリードが付属しています。UL94 V-0 に準拠した難燃性エポキシ樹脂で封入されています。. 特長. - IEC 60384-14 第 4 版に準拠 - 高い信頼性 - 縦向き(インライン)のキンクまたはストレートリード ・単層 AC ディスク安全コンデンサ. 塗布. -X1 、 Y1 、 IEC60384-14.4 準拠 - 回線をまたいで - ラインバイパス - アンテナカップリング. 承認. IEC60384-14.4 UL60384-14 DIN EN60384-14 CSA E60384-1 ： 03 、 CSA E60384-14 ： 09CQC11-471112-2009

静電容量 = 4.7nF。電圧 = 500V ac。実装タイプ = スルーホール。シリーズ = VY1。許容差 = ±20%。温度特性 = Y5U。直径 = 16mm。奥行き = 5mm。高さ = 19mm。寸法 = 16 (Dia.) x 5mm。抑制クラス = X1， Y1。末端仕様 = スルーホール実装℃。UL、CSA、VDE. X1 / Y1セラミックディスクVY1シリーズ. このコンデンサは、両側に銀めっきが施されたセラミックディスクで構成されています。接続リードは、直径0.6 mmのスズめっき銅クラッドスチール製です。このコンデンサには、リード間隔が10.0 mm又は12.5 mmの縦向き(インライン)キンクリードが付属しています。UL94 V-0 に準拠した難燃性エポキシ樹脂で封入されています。. 特長. - IEC 60384-14 第 4 版に準拠 - 高い信頼性 - 縦向き(インライン)のキンクまたはストレートリード ・単層 AC ディスク安全コンデンサ. 塗布. -X1 、 Y1 、 IEC60384-14.4 準拠 - 回線をまたいで - ラインバイパス - アンテナカップリング. 承認. IEC60384-14.4 UL60384-14 DIN EN60384-14 CSA E60384-1 ： 03 、 CSA E60384-14 ： 09CQC11-471112-2009

静電容量 = 100nF。電圧 = 50V dc。パッケージ/ケース = 0805 (2012M)。実装タイプ = 表面実装。温度特性 = X7R。許容差 = ±10%。寸法 = 2 x 1.25 x 1.45mm。長さ = 2mm。奥行き = 1.25mm。高さ = 1.45mm。シリーズ = VJ。動作温度 Min = -55℃。VJ0805シリーズ. VishayのVJシリーズのセラミックコンデンサには、さまざまな静電容量値、ケースサイズ、及び定格電圧のタイプが揃っています。 このシリーズのVJセラミックコンデンサは、C0G (NPO)及びX7Rの誘電体を選択可能なため、さまざまな用途に適しています。 C0Gタイプは、安定性が極めて高く、容量の温度係数が非常に低くなっています。. 製品用途の情報. ウェットビルドプロセス 信頼性の高い貴金属電極(NME)システム 優れた経時変化特性. これらのセラミックコンデンサに適した用途には、サージ抑制、フィルタリング、デカップリングなどがあります。 VJシリーズセラミックコンデンサは、センサやスキャナの用途だけでなく、タイミング回路や同調回路にも最適です。

静電容量 = 220μF。電圧 = 100V dc。実装タイプ = スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 18 x 30mm

静電容量 = 22000μF。電圧 = 100V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 76 x 105mm

静電容量 = 100μF。電圧 = 100V dc。実装タイプ = スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 12.5 x 30mm

ピーク平均順方向電流 = 25A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBPC。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 300A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 28.8mm。幅 = 28.8mm。UL E54214. Vishay GBPC25 シリーズブリッジダイオード. UL認証(ファイル番号：E54214 ) 一般的な3種類の端子：スナップオン、ラップアラウンド、基板取付 標準 IR：0.3 μA 以下 耐高サージ電流 低熱抵抗 はんだ耐熱性：最大温度 275 ℃(10秒)/JESD 22-B106 準拠. 代表的な用途 電源、家電製品、オフィス機器、産業オートメーション用途の AC/DC ブリッジ全波整流で汎用的に使用されます。. 機械データ ケース ：GBPC 、 GBPC-W 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合 ベース P/N-E4-RoHS 準拠・商用グレード 端子 ：ニッケルめっきファストンラグ、又は銀めっき ワイヤリード、J-STD-002 と JESD22-B102 準拠のはんだ付けに対応可能 配線リードを示す接尾辞「 W 」が追加されました (例：GBPC12005W )。 極性 ：マークされているように、プラス極リードは面取りコーナーに設置 締め付けトルク ：最大 20 in・lbs

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 120 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.6 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 4V。最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V。最大パワー消費 = 375 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 21 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = PowerPAK SO-8。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 47 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V。最大パワー消費 = 29.7 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 5.26mm。高さ = 1.12mm。NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

静電容量 = 1000μF。電圧 = 40V dc。実装タイプ = スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 18 x 30mm