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RoHS10物質対応(7)
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Vishay 金属皮膜抵抗器 MRS16シリーズVISHAY￥389～税込￥428～
1袋(25個)ほか
7日以内出荷
仕様0.4 W MRS16シリーズ. MRS16は業務用の金属薄膜リード付き抵抗器です 低ノイズ 無鉛はんだコンタクト 純スズめっきにより、無鉛及び鉛含有はんだプロセスに対応長さ(mm)3.6寸法(mm)1.6(Dia.)×3.6ケース形状フォーマル直径(Φmm)1.6シリーズMRS16定格電力(W)0.4許容差±1%RoHS指令(10物質対応)対応終端スタイルアキシャルテクノロジー薄膜温度係数(ppm/℃)±50
Vishay 金属皮膜抵抗器 MRS16シリーズ 33kΩ 0.4W ±1%VISHAY￥429税込￥472
1袋(25個)
翌々日出荷
仕様抵抗 = 33kΩ定格電力 = 0.4W許容差 = ±1%テクノロジー = 薄膜シリーズ = MRS16ケーススタイル = フォーマル温度係数 = ±50ppm/℃終端スタイル = アキシャル寸法 = 1.6 (Dia.) x 3.6mm長さ = 3.6mm直径 = 1.6mm最小温度係数 = -50ppm/℃0.4 W MRS16シリーズ. MRS16は業務用の金属薄膜リード付き抵抗器です 低ノイズ 無鉛はんだコンタクト 純スズめっきにより、無鉛及び鉛含有はんだプロセスに対応RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 金属皮膜抵抗器 MRS16シリーズ 20kΩ 0.4W ±1%VISHAY￥399税込￥439
1袋(25個)
当日出荷
仕様抵抗 = 20kΩ定格電力 = 0.4W許容差 = ±1%テクノロジー = 薄膜シリーズ = MRS16ケーススタイル = フォーマル温度係数 = ±50ppm/℃終端スタイル = アキシャル寸法 = 1.6 (Dia.) x 3.6mm長さ = 3.6mm直径 = 1.6mm最小温度係数 = -50ppm/℃0.4 W MRS16シリーズ. MRS16は業務用の金属薄膜リード付き抵抗器です 低ノイズ 無鉛はんだコンタクト 純スズめっきにより、無鉛及び鉛含有はんだプロセスに対応RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 金属皮膜抵抗器 MRS16シリーズ 1kΩ 0.4W ±1%VISHAY￥339税込￥373
1袋(25個)
当日出荷
仕様抵抗 = 1kΩ定格電力 = 0.4W許容差 = ±1%テクノロジー = 薄膜シリーズ = MRS16ケーススタイル = フォーマル温度係数 = ±50ppm/℃終端スタイル = アキシャル寸法 = 1.6 (Dia.) x 3.6mm長さ = 3.6mm直径 = 1.6mm最小温度係数 = -50ppm/℃0.4 W MRS16シリーズ. MRS16は業務用の金属薄膜リード付き抵抗器です 低ノイズ 無鉛はんだコンタクト 純スズめっきにより、無鉛及び鉛含有はんだプロセスに対応RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay SMDレジスタ， 165kΩ， 0402 (1005M) CRCW0402165KFKEDVISHAY￥1,798税込￥1,978
1セット(1000個)
7日以内出荷
抵抗 165kΩ。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 0402 (1005M)。許容差 ±1%。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。0402 CRCWシリーズ表面実装抵抗器 1 (ペーパーT/R) (10 kΩ 10 MΩ). VishayのCRCWシリーズは、表面実装厚膜抵抗器で構成されています。これらのSMD抵抗器は、高品質セラミック製で、メタルグレーズが施されています。純スズめっきはんだコンタクトでは、鉛含有はんだ又は鉛フリーはんだを使用できます。. 特長と利点:. 0402パッケージサイズ 抵抗値の範囲が0 → 10 MΩのモデルを用意 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(+70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) 広い動作温度範囲: -55 +155 許容差: ±1 %. 用途:. これらのSMD抵抗器は、電気通信機器、カメラ、コンピュータなど、さまざまな用途に適しています。 AEC-Q200認定済みで、車載用途にも適しています。
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET20 V 3.5 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンVISHAY￥99,980税込￥109,978
1セット(3000個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 165 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 1.8 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
