「16v 1500」の検索結果

静電容量 = 1500μF。電圧 = 16V dc。実装タイプ = ラジアル、 スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 12.5 (Dia.) x 20mm。高さ = 20mm。動作温度 Min = -55℃。直径 = 12.5mm。動作温度 Max = +125℃。寿命 = 3000h。許容差 = ±20%。146 RTIシリーズラジアル. ラジアルリード円筒型アルミケース、圧力リリーフとブルーPETスリーブによる絶縁 非常に低いESRと優れたリプル電流性能 産業、自動車、通信用の電源(SMPS、dc / dcコンバータ)に最適

静電容量 = 1500μF。電圧 = 16V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 12.5 x 12.5 x 16mm

静電容量 = 1500μF。電圧 = 16V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 12.5 x 30mm

標準ツェナー電圧 = 16V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1.3 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 15mA。最大ツェナーインピーダンス = 15Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 2.5 (Dia.) x 4.1mm。標準電圧温度係数 = 0.055 %/℃， 0.09%/℃。ツェナーダイオード1.3 W、BZX85シリーズ、Vishay Semiconductor. シリコン平面パワーツェナーダイオード 定格電力の高い安定回路及びクリッピング回路で使用

静電容量 = 1000μF。電圧 = 16V dc。実装タイプ = ラジアル、 スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 10 (Dia.) x 20mm。高さ = 20mm。動作温度 Min = -55℃。直径 = 10mm。動作温度 Max = +105℃。リード間隔 = 5mm。自動車規格 = AEC-Q200A。IEC60384-4/EN130300 です。 耐候性カテゴリ： IEC60068-2-6 / 105 / 56. 150 シリーズです. ミニチュアラジアル非固体電解コンデンサ 低インピーダンス及び高リプル電流 サービス寿命： 4000 → 10000 時間 @ 105 ° C

静電容量 = 1500μF。電圧 = 80V dc。実装タイプ = スナップイン。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 23 (Dia.) x 37mm。高さ = 37mm。動作温度 Min = -40℃。直径 = 23mm。動作温度 Max = +105℃。リード間隔 = 10mm。許容差 = ±20%。256シリーズ. MAL256シリーズの極性化アルミ電解コンデンサ、非固体電解質 アルミケースの上部圧力逃し弁 PET絶縁スリーブ. 有効寿命: +105 ℃で2000時間、+85 ℃では5000時間以上 電圧範囲: 16 → 100 V 用途: 一般用途、産業用途の標準及びスイッチモード電源、オーディオシステム、DC/DCコンバータ、通信、平滑化及びフィルタリング用途

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 150μF。電圧 = 16V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 7343-31。等価直列抵抗 = 100mΩ。許容差 = ±10%。長さ = 7.3mm。奥行き = 4.3mm。高さ = 2.8mm。寸法 = 7.3 x 4.3 x 2.8mm。シリーズ = TR3。動作温度 Max = +125℃。許容差(プラス) = +10%。TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

ピーク平均順方向電流 = 6A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBPC。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 175A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 500μA。長さ = 16mm。幅 = 16mm。UL、E54214. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPCシリーズ、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化単相ブリッジ整流器 0.5 μA未満の標準赤外線 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 ファストン端子

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 28.8V。最小ブレークダウン電圧 = 17.8V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 16V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 20.8A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

静電容量 = 2200μF。電圧 = 35V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 16 x 31mm

静電容量 = 1000μF。電圧 = 50V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 16 x 25mm

静電容量 = 100μF。電圧 = 63V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 16 x 31mm

静電容量 = 1000μF。電圧 = 50V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 16 x 25mm

静電容量 = 2200μF。電圧 = 35V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 16 x 31mm

静電容量 = 100μF。電圧 = 50V dc。実装タイプ = 表面実装。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 16 x 16 x 16mm