「2.2ω 3w」の検索結果

抵抗 = 2.2Ω。定格電力 = 3W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 巻線。シリーズ = AC03。温度係数 = -80 → -10ppm/℃。AC03シリーズ、3 W、アキシャル. 総溶接構造 セラミックコア 不燃性セメント被覆 すずめっき銅クラッドアイアンリード(アキシャル部品用) スモールボリュームでのハイパワー損失 パルス用途に最適

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 2.2kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 3W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = はんだラグ。シャフト長さ = 25mm。軸径 = 6 mm。許容差 = ±10%。マウントナットとロックワッシャ. シャフトの寸法測定値はブッシュを含む. Vishay IP67 等級軍事 / 業務用グレードポテンショメータ. Vishayは、高品質のポテンショメータの製品群を提供します。これらのポテンショメータは最高の製造品質を誇り、軍事用途や専門作業においても活躍できます。完全密閉型のボディでIP67等級に対応し、あらゆる場合での使用に最適です。これらのポテンショメータは、スルーホール取り付けタイプのサーメット素子を採用しています。. 特長：. ボディ：19.7 mm 70 ℃ で高い定格電力 優れた熱安定性 頑丈な構造で、ボディは完全密閉構造になっています。IP67等級 終端長さ： 0.11インチレセプタクル厚さ： 0.5 mm 接触抵抗の変動： 3 % 又は 3 Ω (いずれか大きい方) 絶縁抵抗： 105 mΩ @ 500 V dc 環境クラス： 55/125/56

抵抗 2.2Ω。テクノロジー 薄膜。パッケージ/ケース 0603。許容差 ±5%。定格電力 0.1W。0603パルス防止厚膜チップ抵抗器、CRCW IF e3シリーズ 0.1 W. 高品質セラミックにメタルグレーズ グレーズ上を保護 優れた安定性(ΔR/R 1 (70 ℃で1000時間)) ニッケルバリヤ層のリード(Pb)フリーはんだコンタクト 純スズめっきにより、リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

抵抗 = 2.2Ω。テクノロジー = 金属皮膜。パッケージ/ケース = TO-252。許容差 = ±5%。定格電力 = 25W。温度係数 = ±150ppm/℃。シリーズ = DTO25。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +150℃。Vishay DTO25表面実装厚膜電力抵抗器. Vishay DTO25電力抵抗器は、厚膜素子とスズめっき銅の接続部で構成されています。0.016 → 700 kΩの幅広い抵抗を備えたこのシリーズは無誘導性で、抵抗は金属タブから絶縁されています。これらのVishay電力抵抗器は、AEC-Q200認定済みで車載用途に適しています。. 特長と利点:. 表面実装抵抗器 TO-252 (DPAK)パッケージ AEC-Q200認定 25 W @ 25 ℃. 用途:. 車載、産業及び軍事用途

抵抗 = 2.2Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 2.2kΩ。テクノロジー 薄膜。パッケージ/ケース 0805。許容差 ±1%。定格電力 0.125W。0805高出力厚膜チップ抵抗器、CRCW HP e3シリーズ 0.33 W. パルス防止の高出力厚膜チップ抵抗器シリーズは、信頼性、安定性、高い出力定格、優れたパルス負荷性能が重要視される電力測定電子機器のほとんどの分野に最適です。主な用途には、車載機器のバッテリ管理システムなどがあります。. 特長. 優れたパルス負荷耐量 定格電力の向上 両面にプリントされた抵抗素子 高品質セラミックにメタルグレーズ 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) ニッケルバリヤ層の鉛(Pb)フリーはんだコンタクト 純スズめっきにより、鉛( Pb )フリー及び鉛フリーに対応 はんだ付けプロセスを含む. 用途. 自動化 産業用

抵抗 2.2kΩ。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 1206 (3216M)。許容差 ±1%。定格電力 0.5W。温度係数 ±100ppm/K。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。1206高出力厚膜チップ抵抗器、CRCW HP e3シリーズ 0.75 W. 優れたパルス負荷機能 定格電力を向上 両面にプリントされた抵抗素子 高品質セラミックにメタルグレーズ グレーズ上を保護 優れた安定性(ΔR/R 1 (70 ℃で1000時間)) ニッケルバリヤ層のリード(Pb)フリーはんだコンタクト 純スズめっきにより、リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 3.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.2 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 74 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor