「2010m.100」の検索結果

抵抗 = 100MΩ。テクノロジー = 厚膜。パッケージ/ケース = 2010 (5025M)。許容差 = ±1%。定格電力 = 0.5W。温度係数 = ±100ppm/℃。シリーズ = CRHV。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +150℃。2010高電圧厚膜チップ抵抗器、CRHVシリーズ - 0.5 W. CRHVシリーズは、最大3000 Vの高電圧厚膜チップ抵抗器 優れた安定性 ； 0.5 % 複数の方式、終端材、及び構成により、幅広い設計の柔軟性を実現

抵抗 = 10mΩ。テクノロジー = メタルストリップ。パッケージ/ケース = 2010 (5025M)。許容差 = ±1%。定格電力 = 1W。温度係数 = ±75ppm/℃。シリーズ = WSL。動作温度 Min = -65℃。動作温度 Max = +170℃。2010型WSL..18シリーズ. スイッチング及びリニア電源、計装機器、パワーアンプなど、あらゆるタイプの電流検出、電圧分割、パルス用途に最適 独自の処理テクニックにより非常に低い抵抗値を達成 厳選された安定素材により高い定格電力を実現(2 x 標準WSL定格) 総溶接構造

Vishay 100 k Ω 薄膜表面実装抵抗器は、ブレーキシステム、電源、電源スイッチングでの使用に最適です。はんだ接合部と上部抵抗層の間の熱抵抗は、終端の拡大によって抑制されています。低ノイズ、高精度の用途、優れた安定性、低い抵抗温度係数、及び低い電圧係数に適用できます。Vishay Sferrice の実績のある高精度薄膜ラップアラウンド抵抗器は、この

抵抗 100Ω。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 2010 (5025M)。許容差 ±1%。定格電力 0.75W。温度係数 ±100ppm/℃。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。2010型CRCWシリーズ 1 (ペーパーT/R) (10 → 100 kΩ). 高品質セラミックにメタルグレーズ グレーズ上を保護 優れた安定性(ΔR/R 1 (70 ℃で1000時間)) ニッケルバリヤ層のリード(Pb)フリーはんだコンタクト 純すずめっきにより、リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

抵抗 1.5kΩ。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 2010 (5025M)。許容差 ±1%。定格電力 0.75W。温度係数 ±100ppm/℃。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。2010型CRCWシリーズ 1 (ペーパーT/R) (10 → 100 kΩ). 高品質セラミックにメタルグレーズ グレーズ上を保護 優れた安定性(ΔR/R 1 (70 ℃で1000時間)) ニッケルバリヤ層のリード(Pb)フリーはんだコンタクト 純すずめっきにより、リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

抵抗 = 1GΩ。テクノロジー = 厚膜。パッケージ/ケース = 2010 (5025M)。許容差 = ±1%。定格電力 = 0.5W。温度係数 = ±100ppm/℃。シリーズ = CRHV。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +150℃。2010高電圧厚膜チップ抵抗器、CRHVシリーズ - 0.5 W. CRHVシリーズは、最大3000 Vの高電圧厚膜チップ抵抗器 優れた安定性 ； 0.5 % 複数の方式、終端材、及び構成により、幅広い設計の柔軟性を実現