「3.9ω」の検索結果

抵抗 = 3.9Ω。定格電力 = 20W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 20。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。厚膜型の電力抵抗器 - 20 W - 金属ベース. 無誘導厚膜抵抗器 TO-220ハウジングに収められ、ヒートシンクに取り付けられたこれらの抵抗器は、コンパクトで定格電力が高く、小型パッケージに容易に実装できます。

抵抗 3.9kΩ。テクノロジー 薄膜。パッケージ/ケース 0805。許容差 ±1%。定格電力 0.125W。0805 CRCWシリーズ表面実装抵抗器 1 (ペーパーT/R) (0 → 9.31 kΩ). VishayのCRCWシリーズは、表面実装厚膜抵抗器で構成されています。これらのSMD抵抗器は、高品質セラミック製で、メタルグレーズが施されています。純スズめっきはんだコンタクトでは、鉛含有はんだ又は鉛フリーはんだを使用できます。. 特長と利点:. 0805パッケージサイズ 抵抗値の範囲が0 → 10 MΩのモデルを用意 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(+70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) 広い動作温度範囲: -55 +155 許容差: ±1 %. 用途:. これらのSMD抵抗器は、電気通信機器、カメラ、コンピュータなど、さまざまな用途に適しています。 AEC-Q200認定済みで、車載用途にも適しています。

MCS 0402、MCT 0603、MCU 0805、MCA 1206 業務用薄膜フラットチップ抵抗器は、信頼性と安定性が重要視される現代の業務用電子機器のほとんどの分野に最適です。主な用途は、通信、医療機器、ハイエンドコンピュータ、オーディオ / ビデオ電子機器などです。優れた総合的な安定性：クラス 0.5 業務用抵抗値許容差： ± 0.5 % 及び ± 1 % 損失 p70 はサイズ

抵抗 = 3.9kΩ。定格電力 = 3W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 金属皮膜。シリーズ = PR03。動作温度 Max = +155℃。動作温度 Min = -55℃。IEC115-1、IEC115-4、CECC40202-004、LNZ4404. PRO3 シリーズ金属皮膜抵抗器. オーディオ、IT、通信の分野で幅広く使用される金属皮膜抵抗器の製品です。 低ノイズ

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 22μF。電圧 = 16V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 3528-21。等価直列抵抗 = 1.9Ω。許容差 = ±10%。長さ = 3.5mm。奥行き = 2.8mm。高さ = 1.9mm。寸法 = 3.5 x 2.8 x 1.9mm。シリーズ = 293D。電解質の種類 = ソリッド℃。許容差(プラス) = +10%。293Dシリーズ. Vishay 293DシリーズTANTAMOUNTR産業等級コンデンサはソリッドタンタルを採用し、100 % つや消しスズ終端処理及び表面実装されています。 293Dシリーズは安定した電気特性、高い信頼性、長寿命を実現し、体積効率が必要な環境に適しています。. 性能 / 電気的特性. 動作温度： -55 → +125 ° C ( 85 ° C 超、電圧ディレーティングが必要)。静電容量範囲： 0.10 → 1000 μ F 。静電容量許容差： ± 5 % 、 ± 10 % 、 ± 20 % 100 % サージ電流テスト済み( D 及び E ケースコード)、定格電圧： 4 → 75 V dc. 特長. 成形ケースは6つのケースコードで用意 - 終端： 100% つや消しスズ標準、スズ / 鉛使用可能 - 「大量」自動ピックアンドプレース装置に対応 - EIA-535-BAAC の機械的要件およびパフォーマンス要件に適合しています - EIA-717 に適合しています - 耐湿性レベル 1 - 光文字認識認定済み - 準拠した終端. 用途. - 産業用 - 通信インフラ - 汎用

標準ツェナー電圧 = 6.8V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = DO-35。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 8Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 3.9 x 1.7 x 1.7mm。動作温度 Max = +175 ℃%/℃。ツェナーダイオード500 mW、BZX55Cシリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

標準ツェナー電圧 = 3.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = DO-35。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 28Ω。最大逆漏れ電流 = 25μA。寸法 = 1.7 (Dia.) x 3.9mm。標準電圧温度係数 = -0.07%/K。ツェナーダイオード500 mW、1N52xxシリーズ、Vishay Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = DO-35。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 550Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 1.7 (Dia.) x 3.9mm。標準電圧温度係数 = -0.02 %/℃， 0.02%/℃。ツェナーダイオード500 mW、BZX55Cシリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

標準ツェナー電圧 = 15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = DO-35。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 110Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 1.7 (Dia.) x 3.9mm。標準電圧温度係数 = 0.03 %/℃， 0.11%/℃。ツェナーダイオード500 mW、BZX55Cシリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

ダイオード構成 = シングルV。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = DO-35。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 80Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 1.7 (Dia.) x 3.9mm。標準電圧温度係数 = 0.12%/K。ツェナーダイオード500 mW、BZX55Cシリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

テクノロジー = タンタル。静電容量 = 15μF。電圧 = 10V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 3216-12。等価直列抵抗 = 2.9Ω。許容差 = ±10%。長さ = 3.2mm。奥行き = 1.6mm。高さ = 1.2mm。寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.2mm。シリーズ = TMCU。動作温度 Max = +125℃。誘電体材料 = タンタル%