「3e-160」の検索結果

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 92 V，121V。最小ブレークダウン電圧 = 64.6V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。1チップ当たりのエレメント数 = 1

バリスタ電圧 = 31 → 38V。最大AC定格電圧 = 20V。最大直流定格電圧 = 26V。制限電圧 = 58V。クランプ電流 = 1A。材料 = 金属J。シリーズ = MLV - E3 - 3T。最大サージ電流 = 30A。静電容量 = 160pF。長さ = 1.6mm。奥行き = 0.8mm。パッケージ/ケース = 0603 (1608M)。SMD多層Varistor MLVxxxxE3xxx3Tシリーズ. 双方向クランピングループ特性 優れたエネルギー / ボリューム比 リフローはんだ付けに最適 データ回線及びI/Oポート保護、ESDトランジェント保護、IC及びトランジスタのオンボード保護、モデム保護、LCD保護など、過電圧及びトランジェント電圧保護の用途を想定しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.25V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 75ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。