「3e-70」の検索結果

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 113V。最小ブレークダウン電圧 = 77.8V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMC。最大逆スタンドオフ電圧 = 70V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 13.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm。高さ = 2.42mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向1500 W、Vishay Semiconductor

抵抗 2.2Ω。テクノロジー 薄膜。パッケージ/ケース 0603。許容差 ±5%。定格電力 0.1W。0603パルス防止厚膜チップ抵抗器、CRCW IF e3シリーズ 0.1 W. 高品質セラミックにメタルグレーズ グレーズ上を保護 優れた安定性(ΔR/R 1 (70 ℃で1000時間)) ニッケルバリヤ層のリード(Pb)フリーはんだコンタクト 純スズめっきにより、リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

抵抗 5.6Ω。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 1206 (3216M)。許容差 ±5%。定格電力 0.25W。温度係数 ±200ppm/K。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。1206厚膜チップ抵抗器、CRCW IF e3シリーズ 0.25W. 高品質セラミックにメタルグレーズ グレーズ上を保護 優れた安定性(ΔR/R 1 (70 ℃で1000時間)) ニッケルバリヤ層のリード(Pb)フリーはんだコンタクト 純スズめっきにより、リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

抵抗 1kΩ。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 1206 (3216M)。許容差 ±5%。定格電力 0.25W。温度係数 ±200ppm/K。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。1206厚膜チップ抵抗器、CRCW IF e3シリーズ 0.25W. 高品質セラミックにメタルグレーズ グレーズ上を保護 優れた安定性(ΔR/R 1 (70 ℃で1000時間)) ニッケルバリヤ層のリード(Pb)フリーはんだコンタクト 純スズめっきにより、リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

抵抗 100Ω。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 0805 (2012M)。許容差 ±5%。定格電力 0.125W。温度係数 ±200ppm/K。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。0805パルス防止厚膜チップ抵抗器、CRCW IF e3シリーズ 0.125 W. 高品質セラミックにメタルグレーズ グレーズ上を保護 優れた安定性(ΔR/R 1 (70 ℃で1000時間)) ニッケルバリヤ層のリード(Pb)フリーはんだコンタクト 純スズめっきにより、リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

抵抗 4.7Ω。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 1206 (3216M)。許容差 ±5%。定格電力 0.25W。温度係数 ±200ppm/K。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。1206厚膜チップ抵抗器、CRCW IF e3シリーズ 0.25W. 高品質セラミックにメタルグレーズ グレーズ上を保護 優れた安定性(ΔR/R 1 (70 ℃で1000時間)) ニッケルバリヤ層のリード(Pb)フリーはんだコンタクト 純スズめっきにより、リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

抵抗 1Ω。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 1206 (3216M)。許容差 ±5%。定格電力 0.25W。温度係数 ±200ppm/K。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。1206厚膜チップ抵抗器、CRCW IF e3シリーズ 0.25W. 高品質セラミックにメタルグレーズ グレーズ上を保護 優れた安定性(ΔR/R 1 (70 ℃で1000時間)) ニッケルバリヤ層のリード(Pb)フリーはんだコンタクト 純スズめっきにより、リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

抵抗 1.5kΩ。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 1206 (3216M)。許容差 ±5%。定格電力 0.25W。温度係数 ±200ppm/K。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。1206厚膜チップ抵抗器、CRCW IF e3シリーズ 0.25W. 高品質セラミックにメタルグレーズ グレーズ上を保護 優れた安定性(ΔR/R 1 (70 ℃で1000時間)) ニッケルバリヤ層のリード(Pb)フリーはんだコンタクト 純スズめっきにより、リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

抵抗 10kΩ。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 0805 (2012M)。許容差 ±5%。定格電力 0.125W。温度係数 ±200ppm/K。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。0805パルス防止厚膜チップ抵抗器、CRCW IF e3シリーズ 0.125 W. 高品質セラミックにメタルグレーズ グレーズ上を保護 優れた安定性(ΔR/R 1 (70 ℃で1000時間)) ニッケルバリヤ層のリード(Pb)フリーはんだコンタクト 純スズめっきにより、リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

抵抗 10Ω。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 0603 (1608M)。許容差 ±5%。定格電力 0.1W。温度係数 ±200ppm/K。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。0603パルス防止厚膜チップ抵抗器、CRCW IF e3シリーズ 0.1 W. 高品質セラミックにメタルグレーズ グレーズ上を保護 優れた安定性(ΔR/R 1 (70 ℃で1000時間)) ニッケルバリヤ層のリード(Pb)フリーはんだコンタクト 純スズめっきにより、リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

ダイオード構成 = コモンカソードmA。実装タイプ = 表面実装。最大逆電圧 = 70V。パッケージタイプ = SOT-23。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。最大順方向降下電圧 = 1.25V。最大ダイオードキャパシタンス = 1.5pF。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 3.1mm。幅 = 1.43mm。高さ = 1.05mm。寸法 = 3.1 x 1.43 x 1.05mm。ガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示