「40v」の検索結果

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-213AB最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 400Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A標準回復整流器、1 A → 450 V. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V幅 = 4.7mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大連続 順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 400Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 高速スイッチング整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.3V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 150nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50AVishay Semiconductor 高速リカバリ整流器 1.4 A → 20 A. 業界標準のパッケージスタイルの多用途で高効率の高速リカバリパワーダイオードです。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 200Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 1.8μsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 40A標準回復整流器、1 A → 450 V. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

静電容量 = 18pF電圧 = 100V dcパッケージ/ケース = 0402 (1005M)実装タイプ = 表面実装温度特性 = C0G許容差 = ±5%寸法 = 1.02 x 0.51 x 0.61mm長さ = 1.02mm奥行き = 0.51mm高さ = 0.61mmシリーズ = VJ HIFREQ動作温度 Max = +125℃Vishay VJシリーズ高周波多層セラミック. Vishay表面実装積層VJ高周波セラミックチップコンデンサシリーズは、非常に安定性の高い誘電体材料が採用されています。. 特長と利点:. GHzのシステムでも優れた低損失性能. 高周波. 用途:. ブロードバンドワイヤレス通信及び衛星通信、WiFi及びWiMaxシステム、VoIP及び携帯基地局、RF及びマイクロ波、医療機器及び試験装置、軍事機器

静電容量 = 1μF電圧 = 310V ac実装タイプ = スルーホール許容差 = ±10%シリーズ = F1772リード間隔 = 27.5mm長さ = 31.5mm奥行き = 15mm高さ = 25mm寸法 = 15 x 25 x 31.5mm温度特性 = ポリエステル末端仕様 = スルーホール実装リード径 = 0.8mm(EN132400) CEI384-14 iss. 2継続認定、VDE0565-1クラスX2、SEV1055 1978、DEMKO CEI384-14 1981、SEMKO CEI384-14 1981、NEMKO CEI384-14 1981、FIMKO CEI384-14 1981、UL1283 / UL1414 (最大1 μF)、CSA222 No.8-M 1986、IMQ CEI40-7/V1-1981、OVE CEI384-14 1981. X2クラス干渉防止コンデンサ、F1772-2000シリーズ310 V ac. 相間又は相とニュートラル間に取り付ける干渉抑制用メタライズドフィルムコンデンサ エポキシ樹脂封止型の難燃性ケース

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 96.8V最小ブレークダウン電圧 = 66.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 60Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 4.1A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 2.79mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = パネルマウントパッケージタイプ = Tモジュール最大連続 順方向電流 = 70Aピーク逆繰返し電圧 = 400Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 回復整流器ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.35V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1.3kAVishay シリコンジャンクションダイオード VS-T40HF .. 、 VS-T70HF .. 、 VS-T85HF .. 、 VS-T110HF .. このシリーズの T モジュールでは、標準の回復用パワー整流ダイオードが使用されています。半導体は金属ベースから電気的に絶縁されているため、共通のヒートシンクとコンパクトなアセンブリを作成できます。主な用途には、電源、バッテリ充電、溶接機、モータ制御、一般的な産業用電流整流などがあります。 特長 電気的に絶縁されたベースプレート 最大 1200 個の VRRM を入力します 絶縁電圧： 3500 Vrms 機械設計の簡素化、 Rapid Assembly 高サージ機能 大きな沿面距離 UL E78996 認定 RoHS 指令 2002/95/EC に準拠 工業レベルの設計と認定を受けている

ピーク平均順方向電流 = 35Aピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = スクリュー マウントパッケージタイプ = D 34ピン数 = 4ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.14Vピーク逆電流 = 10μA長さ = 28.5mm幅 = 28.5mmUL E300359. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、VS-36MBシリーズ、Vishay Semiconductor. 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 中心穴固定 優れたパワー / ボリューム比

静電容量 = 4700μF電圧 = 35V dcテクノロジー = アルミ電解寸法 = 18 x 40mm

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 48.4V最小ブレークダウン電圧 = 33.3V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 30Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 8.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 2.79mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 40 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 66 nC @ 10 V動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 400Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = アバランシェダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.15V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 4μsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A標準回復整流器、1.5 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流

静電容量 = 220nF電圧 = 310V ac実装タイプ = スルーホール許容差 = ±10%シリーズ = F1772リード間隔 = 22.5mm抑制クラス = X2長さ = 26.3mm奥行き = 8.3mm高さ = 16.3mm寸法 = 26.3 x 8.3 x 16.3mm温度特性 = ポリエステル末端仕様 = スルーホール実装パッケージ/ケース = 12mm(EN132400) CEI384-14 iss. 2継続認定、VDE0565-1クラスX2、SEV1055 1978、DEMKO CEI384-14 1981、SEMKO CEI384-14 1981、NEMKO CEI384-14 1981、FIMKO CEI384-14 1981、UL1283 / UL1414 (最大1 μF)、CSA222 No.8-M 1986、IMQ CEI40-7/V1-1981、OVE CEI384-14 1981. X2クラス干渉防止コンデンサ、F1772-2000シリーズ310 V ac. 相間又は相とニュートラル間に取り付ける干渉抑制用メタライズドフィルムコンデンサ エポキシ樹脂封止型の難燃性ケース

ダイオード構成 = シングルA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 400Vパッケージタイプ = SMAダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2V動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 4.5mm幅 = 2.79mm高さ = 2.09mm寸法 = 4.5 x 2.79 x 2.09mmVishay Semiconductor 高速回復整流器 1A. 業界標準のパッケージに収められ、汎用で高効率の高速リカバリダイオードです。. 高さ 1 mm の低プロファイルです アバランシェ整流器

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 4.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 850 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 40 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

最大順方向電流 = 3A1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 400Vパッケージタイプ = SMCダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2V動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 7.11mm幅 = 6.22mm高さ = 2.42mm寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm標準回復整流器、2 → 10 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大連続 順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 400Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.15V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 2μsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A標準回復整流器、1.5 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = MiniMELF最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 40Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 21チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーピーク逆回復時間 = 10nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 15A小信号ショットキーダイオード、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短時間です。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。