「5w-50」の検索結果

抵抗 = 50kΩ。定格電力 = 5W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 巻線。シリーズ = RS。温度係数 = ±20ppm/℃。動作温度 Min = -65℃。Vishay RS シリーズ. Vishay RS シリーズの巻線型抵抗器は、高温シリコンコーティングを施した高精度高電力リード付き抵抗器です。RS シリーズは、抵抗値に応じて、銅ニッケル合金又はニッケルクロム合金を使用した完全溶接構造を備えています。. 高温 完全溶接構造 優れた動作安定性

抵抗 = 5Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 5Ω。定格電力 = 50W。シリーズ = RH。許容差 = ±1%。テクノロジー = 巻線。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +250℃。最小温度係数 = -50ppm/℃。最大温度係数 = +50ppm/℃。定格電力は300 x 300 x 1.5 mmのアルミパネルに実装された抵抗器をベースとしています。非実装定格は20 W @ 25 ℃です。 定格電力については、メーカーのデータを参照してください。. 50 W RH050シリーズ±1 %. Vishay RH050シリーズ巻線型シャーシ取り付け抵抗器は、アルミハウジング全体が溶接及び成形された構造になっており、環境全体を保護します。これらの抵抗器は直接シャーシに取り付けられ、シートシンク効果を利用します。この巻線型抵抗器製品は従来の定格電力で高い安定性を実現し、表面には簡単に識別できるフラットマークが付いています。. 特長と利点. シートシンク効果を利用したシャーシ取り付け 総合的な環境保護性能を提供する成形構造 高い安定性: ；0.05 %/年 抵抗値許容差: 1 %

抵抗 = 47Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 4.7Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 10Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃)

抵抗 = 15Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃)

抵抗 = 100Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 1Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 22Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +155℃。動作温度 Min = -55℃。50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃)

抵抗 = 22Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 100Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃)

抵抗 = 4.7Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃)

抵抗 = 10kΩ。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃)

抵抗 = 1kΩ。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +150℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 100mΩ。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +150℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 470mΩ。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±250ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 100Ω。定格電力 = 50W。シリーズ = RCH50。パッケージ/ケース = 平面。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。終端スタイル = はんだタブ。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。最小温度係数 = -150ppm/℃。最大温度係数 = +150ppm/℃。50W RCH50シリーズ. これらの50W RCH50シリーズ抵抗器は、ヒートシンクに取り付けるように設計されています。 短時間の高過負荷状態への耐性と無誘導性を兼ね備えており、高周波動作及びカットアウト回路に最適です。

抵抗 = 47Ω。定格電力 = 50W。シリーズ = RCH50。パッケージ/ケース = 平面。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。終端スタイル = はんだタブ。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。最小温度係数 = -150ppm/℃。最大温度係数 = +150ppm/℃。50W RCH50シリーズ. これらの50W RCH50シリーズ抵抗器は、ヒートシンクに取り付けるように設計されています。 短時間の高過負荷状態への耐性と無誘導性を兼ね備えており、高周波動作及びカットアウト回路に最適です。

抵抗 = 680Ω。定格電力 = 50W。シリーズ = RCH50。パッケージ/ケース = 平面。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。終端スタイル = はんだタブ。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。最小温度係数 = -150ppm/℃。最大温度係数 = +150ppm/℃。50W RCH50シリーズ. これらの50W RCH50シリーズ抵抗器は、ヒートシンクに取り付けるように設計されています。 短時間の高過負荷状態への耐性と無誘導性を兼ね備えており、高周波動作及びカットアウト回路に最適です。

抵抗 = 1Ω。定格電力 = 50W。シリーズ = RCH50。パッケージ/ケース = 平面。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。終端スタイル = はんだタブ。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。最小温度係数 = -150ppm/℃。最大温度係数 = +150ppm/℃。50W RCH50シリーズ. これらの50W RCH50シリーズ抵抗器は、ヒートシンクに取り付けるように設計されています。 短時間の高過負荷状態への耐性と無誘導性を兼ね備えており、高周波動作及びカットアウト回路に最適です。

抵抗 = 4.7Ω。定格電力 = 50W。シリーズ = RCH50。パッケージ/ケース = 平面。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。終端スタイル = はんだタブ。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。最小温度係数 = -150ppm/℃。最大温度係数 = +150ppm/℃。50W RCH50シリーズ. これらの50W RCH50シリーズ抵抗器は、ヒートシンクに取り付けるように設計されています。 短時間の高過負荷状態への耐性と無誘導性を兼ね備えており、高周波動作及びカットアウト回路に最適です。

抵抗 = 10Ω。定格電力 = 50W。シリーズ = RCH50。パッケージ/ケース = 平面。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。終端スタイル = はんだラグ。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。最小温度係数 = -150ppm/℃。最大温度係数 = +150ppm/℃。50W RCH50シリーズ. これらの50W RCH50シリーズ抵抗器は、ヒートシンクに取り付けるように設計されています。 短時間の高過負荷状態への耐性と無誘導性を兼ね備えており、高周波動作及びカットアウト回路に最適です。

抵抗 = 2.2kΩ。定格電力 = 50W。シリーズ = RCH50。パッケージ/ケース = 平面。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。終端スタイル = はんだタブ。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。最小温度係数 = -150ppm/℃。最大温度係数 = +150ppm/℃。50W RCH50シリーズ. これらの50W RCH50シリーズ抵抗器は、ヒートシンクに取り付けるように設計されています。 短時間の高過負荷状態への耐性と無誘導性を兼ね備えており、高周波動作及びカットアウト回路に最適です。

抵抗 = 1kΩ。定格電力 = 50W。シリーズ = RCH50。パッケージ/ケース = 平面。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。終端スタイル = はんだタブ。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。最小温度係数 = -150ppm/℃。最大温度係数 = +150ppm/℃。50W RCH50シリーズ. これらの50W RCH50シリーズ抵抗器は、ヒートシンクに取り付けるように設計されています。 短時間の高過負荷状態への耐性と無誘導性を兼ね備えており、高周波動作及びカットアウト回路に最適です。

抵抗 = 10kΩ。定格電力 = 50W。シリーズ = RCH50。パッケージ/ケース = 平面。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。終端スタイル = はんだラグ。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。最小温度係数 = -150ppm/℃。最大温度係数 = +150ppm/℃。50W RCH50シリーズ. これらの50W RCH50シリーズ抵抗器は、ヒートシンクに取り付けるように設計されています。 短時間の高過負荷状態への耐性と無誘導性を兼ね備えており、高周波動作及びカットアウト回路に最適です。

抵抗 = 50mΩ。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±700ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 50kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 5。定格電力 = 1.5W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = 巻線型。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = はんだラグ。シャフト長さ = 22.2mm。軸径 = 6.35 mm。アクチュエータタイプ = 溝付きシャフト%。金属製ロックワッシャ、ナット. Vishay 535 シリーズ巻線型ポテンショメータ - 5 回転. ブッシングとサーボマウントを用意 直線性 ± 0.25 % 、ご要望に応じて 0.05 % まで低下 1% までの特殊抵抗値許容差 リヤシャフトエクステンションおよびサポートベアリング メトリックシャフトを用意 デュアルギャング構成と同心シャフト 高トルク、センタータップ、要求に応じてクラッチがスリップ 特殊なマーキングとフロントシャフトエクステンション

1206型抵抗器、RCPシリーズ。VishayのRCPシリーズの厚膜抵抗器は、窒化アルミ(AlN)材上に安定した厚膜抵抗素子を備え、エポキシで密閉されています。 RCPシリーズの厚膜抵抗器は、小さなパッケージサイズに非常に高い熱伝導性を備えており、-55 → +155℃の温度で動作します。 この厚膜抵抗器は、高出力の航空宇宙、軍事、産業、電気通信システム向けに最

RCP シリーズ 0603 型抵抗器。Vishay の RCP シリーズの厚膜抵抗器は、アルミ窒化アルミニウム( AIN )基板上に安定した厚膜抵抗素子を備え、エポキシで封入されています。RCPシリーズの厚膜抵抗器は、小型で非常に高い熱伝導性を備えており、-55 → +155℃の温度で動作します。この厚膜抵抗器は、高出力の航空宇宙、軍事、産業、電気通信システム向けに

Vishay 終端スタイルは、3 辺ラップアラウンド終端又はで構成されています シングル終端フリップチップ規格 5 面ラップアラウンド終端が用意されています最大 3000 V の高電圧 フローはんだ付け可能 カスタムサイズを用意