「8ω」の検索結果

静電容量 = 33000μF電圧 = 63V dc実装タイプ = スクリューターミナルテクノロジー = アルミ電解寸法 = 65 (Dia.) x 105mm高さ = 105mm動作温度 Min = -40℃直径 = 65mm動作温度 Max = +85℃寿命 = 20000h等価直列抵抗 = 8mΩ106 PED-STシリーズ. Vishayの106 PED-STシリーズの電解コンデンサは、+85 ℃で最長20，000時間の長寿命を誇ります。また、ESRとESLがとても低いので、非常に高いリプル電流負荷に対応します。 これらのアルミ電解コンデンサは、絶縁された円筒ケースに密閉された非電解質で構成されており、充電と放電を防止します。 幅広い用途に対応し、フィルタリングと平滑化、パルスシステムにおける蓄電、産業システム、標準電源とスイッチモード電源、コンピュータと通信を含む用途に適しています。. 標準及びスイッチモードの電源に最適なPower Eurodinねじ端子 低ESR 低ESL 振動と衝撃に対する優れた耐性 高信頼性 シーリングによる圧力逃しを実現

シリーズ = NTCS0603E3.....T温度係数のタイプ = NTC熱係数 = -3.98%/℃熱時定数 = 8s抵抗@ 25℃ = 10kΩ許容差 = ±1%パッケージ/ケース = 0603 (1608M)最大定格電力 = 125mW長さ = 1.6mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mmNTCS0603E3...Tシリーズガラス保護NTCサーミスタ. NiSn端子 全体をガラスコートで保護 ウェーブ又はリフローはんだ付けに最適 用途: 自動車、産業、通信、消費者用途の温度検出、保護及び補正

RWM6x34シリーズ8W、軸エナメル塗装巻線型電力抵抗器アキシャルリード線耐火性

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 41 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 5 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm動作温度 Min = -55 ℃mmデュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.2 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大パワー消費 = 6 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 21 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = PowerPAK SO-8実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 47 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大パワー消費 = 29.7 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 5.26mm高さ = 1.12mmNチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 5 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 190 mA， 300 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SC-89-6実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω， 8 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 250 mWトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmデュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大パワー消費 = 2.5 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 5mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor

シリーズ = NTCS0603E3.....T温度係数のタイプ = NTC熱係数 = -4.28%/℃熱時定数 = 8s抵抗@ 25℃ = 4.7kΩ許容差 = ±1%パッケージ/ケース = 0603 (1608M)最大定格電力 = 125mW長さ = 1.6mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mmNTCS0603E3...Tシリーズガラス保護NTCサーミスタ. NiSn端子 全体をガラスコートで保護 ウェーブ又はリフローはんだ付けに最適 用途: 自動車、産業、通信、消費者用途の温度検出、保護及び補正

シリーズ = NTCS0603E3.....T温度係数のタイプ = NTC熱係数 = -4.52%/℃熱時定数 = 8s抵抗@ 25℃ = 100kΩ許容差 = ±5%パッケージ/ケース = 0603 (1608M)最大定格電力 = 125mW長さ = 1.6mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mmNTCS0603E3...Tシリーズガラス保護NTCサーミスタ. NiSn端子 全体をガラスコートで保護 ウェーブ又はリフローはんだ付けに最適 用途: 自動車、産業、通信、消費者用途の温度検出、保護及び補正

抵抗 = 10Ω定格電力 = 8W許容差 = ±5%テクノロジー = 巻線シリーズ = RWM 6x34パッケージ/ケース = 0634温度係数 = ±75ppm/℃動作温度 Min = -55℃RWM 6x34シリーズ8 W、軸. エナメル塗装巻線型電力抵抗器 アキシャルリード線 耐火性

抵抗 = 15kΩ定格電力 = 8W許容差 = ±5%テクノロジー = 巻線シリーズ = RWM 6x34パッケージ/ケース = 0634動作温度 Max = +200℃動作温度 Min = -55℃RWM 6x34シリーズ8 W、軸. エナメル塗装巻線型電力抵抗器 アキシャルリード線 耐火性

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 8 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 35 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 960 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V幅 = 1.4mm高さ = 1.02mmPチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 1.56 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = ±4.3 A， ±6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ， 140 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2.78 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm動作温度 Min = -55 ℃mmデュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 7.2 A、8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩ， 28 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大パワー消費 = 3.1 W、3.2 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V、-16 V、+16 V、+20 V長さ = 5mm高さ = 1.55mmデュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 4.7 A、6.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 42.5 mΩ， 62 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大パワー消費 = 3 W、3.1 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 5mm動作温度 Min = -55 ℃mmデュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

シリーズ = NTCS0603E3.....T温度係数のタイプ = NTC熱係数 = -3.98%/℃熱時定数 = 8s抵抗@ 25℃ = 10kΩ許容差 = ±5%パッケージ/ケース = 0603 (1608M)最大定格電力 = 125mW長さ = 1.6mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm動作温度 Min = -40℃NTCS0603E3...Tシリーズガラス保護NTCサーミスタ. NiSn端子 全体をガラスコートで保護 ウェーブ又はリフローはんだ付けに最適 用途: 自動車、産業、通信、消費者用途の温度検出、保護及び補正

シリーズ = NTCS0603E3.....T温度係数のタイプ = NTC熱係数 = -3.81%/℃熱時定数 = 8s抵抗@ 25℃ = 2kΩ許容差 = ±5%パッケージ/ケース = 0603 (1608M)最大定格電力 = 125mW長さ = 1.6mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm動作温度 Min = -40℃NTCS0603E3...Tシリーズガラス保護NTCサーミスタ. NiSn端子 全体をガラスコートで保護 ウェーブ又はリフローはんだ付けに最適 用途: 自動車、産業、通信、消費者用途の温度検出、保護及び補正

抵抗 = 15Ω定格電力 = 11W許容差 = ±5%テクノロジー = 巻線シリーズ = RWM 8x45パッケージ/ケース = 0845動作温度 Max = +200℃動作温度 Min = -55℃RWM 8 x 45シリーズ、11 W. エナメル塗装巻線型電力抵抗器 アキシャルリード線 耐火性

抵抗 17.8kΩテクノロジー 厚膜パッケージ/ケース 0805 (2012M)許容差 ±1%定格電力 0.125W温度係数 ±100ppm/℃自動車規格 AEC-Q200シリーズ CRCW動作温度 Min -55℃動作温度 Max +155℃0805 CRCWシリーズ表面実装抵抗器 1 (ペーパーT/R) (10 kΩ 5.6 MΩ). VishayのCRCWシリーズは、表面実装(SMD)厚膜抵抗器で構成されています。これらのSMD抵抗器は、高品質セラミック製で、メタルグレーズが施されています。純スズはんだコンタクトでは、鉛含有はんだ又は鉛フリーはんだを使用できます。. 特長と利点:. 0805パッケージサイズ 抵抗値の範囲が0 → 10 MΩのモデルを用意 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(+70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) 広い動作温度範囲: -55 +155 許容差: ±1 %. 用途:. これらのSMD抵抗器は、電気通信機器、カメラ、コンピュータなど、さまざまな用途に適しています。 AEC-Q200認定済みで、車載用途にも適しています。

抵抗 34.8kΩテクノロジー 厚膜パッケージ/ケース 0402 (1005M)許容差 ±1%自動車規格 AEC-Q200シリーズ CRCW動作温度 Min -55℃動作温度 Max +155℃0402 CRCWシリーズ表面実装抵抗器 1 (ペーパーT/R) (10 kΩ 10 MΩ). VishayのCRCWシリーズは、表面実装厚膜抵抗器で構成されています。これらのSMD抵抗器は、高品質セラミック製で、メタルグレーズが施されています。純スズめっきはんだコンタクトでは、鉛含有はんだ又は鉛フリーはんだを使用できます。. 特長と利点:. 0402パッケージサイズ 抵抗値の範囲が0 → 10 MΩのモデルを用意 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(+70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) 広い動作温度範囲: -55 +155 許容差: ±1 %. 用途:. これらのSMD抵抗器は、電気通信機器、カメラ、コンピュータなど、さまざまな用途に適しています。 AEC-Q200認定済みで、車載用途にも適しています。

抵抗 = 8mΩテクノロジー = メタルストリップパッケージ/ケース = 2010 (5025M)許容差 = ±1%定格電力 = 1W温度係数 = ±75ppm/℃シリーズ = WSL...18 High Power動作温度 Min = -65℃動作温度 Max = +170℃2010型WSL..18シリーズ. スイッチング及びリニア電源、計装機器、パワーアンプなど、あらゆるタイプの電流検出、電圧分割、パルス用途に最適 独自の処理テクニックにより非常に低い抵抗値を達成 厳選された安定素材により高い定格電力を実現(2 x 標準WSL定格) 総溶接構造

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.1 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2.4 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 5mm動作温度 Min = -55 ℃mmデュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 35 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = PowerPAK 1212-8実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9.8 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 52 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V幅 = 3.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 7.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 49 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 4.2 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 25 nC @ 10 Vmm高さ = 1.55mmPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.1 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = ThunderFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 31 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大パワー消費 = 5.7 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 5mm高さ = 1.5mmNチャンネルMOSFET、中電圧 / ThunderFETR、Vishay Semiconductor