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RoHS10物質対応(29)
「AB2」の検索結果
Vishay 整流ダイオード， スタッドアノード， 80A， 800V， 2-Pin DO-2013ABVISHAY￥939税込￥1,033
1個
当日出荷
仕様ダイオード構成 = スタッドアノード1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 800V実装タイプ = スタッドパッケージタイプ = DO-2013ABダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.4V長さ = 36.4mm幅 = 18.9mm高さ = 17.25mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1.6kA標準回復整流器、40 A超. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 6.7 A， 3 ピン パッケージTO-220ABVISHAY￥199税込￥219
1個
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 43 W動作温度 Max = +175 ℃PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay ショットキーバリアダイオード， コモンカソード， 60A， 100V， 3-Pin TO-220ABVISHAY￥1,698税込￥1,868
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = コモンカソード1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220ABダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 790mV長さ = 10.54mm幅 = 4.7mm高さ = 15.32mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 320ATMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、30 → 80 A、Vishay Semiconductor. Vishay製のTrench MOSバリアショットキー(TMBS(R))整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現. 特長RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay スイッチングダイオード， 1.5A， 1000V， 2-Pin DO-219AB，エレメント数 1， シングルVISHAY￥919税込￥1,011
1袋(25個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装最大逆電圧 = 1000Vパッケージタイプ = DO-219AB最大順方向降下電圧 = 1.1V動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 2.9mm幅 = 1.9mm高さ = 1.08mm寸法 = 2.9 x 1.9 x 1.08mm高速回復整流器(1.4 A → 20 A)、Vishay Semiconductor. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の高速回復ダイオードです。RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 単方向 TVSダイオード， 5000W， 29.2V， 2-Pin DO-214AB (SMC)VISHAY￥3,398税込￥3,738
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 29.2V最小ブレークダウン電圧 = 20V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 18Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 5000W最大ピークパルス電流 = 171.2A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +185 ℃長さ = 7.11mmPAR(R)過渡電圧サプレッサ、SMT単方向5000 W、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay ショットキーバリアダイオード， 3A， 100V， 2-Pin DO-214AB (SMC)VISHAY￥679税込￥747
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 790mV長さ = 7.11mm幅 = 6.22mm高さ = 2.42mm動作温度 Max = +175 ℃高性能ショットキー整流器、4 → 9 A、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は、非常に速いです。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay ショットキーバリアダイオード， 3A， 60V， 2-Pin DO-214AB (SMC)VISHAY￥779税込￥857
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 60V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 520mV長さ = 7.11mm幅 = 6.22mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1.2kA高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 整流ダイオード， 1.2A， 200V， 2-Pin DO-219ABVISHAY￥549税込￥604
1袋(20個)
欠品中
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-219ABダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 980mV長さ = 2.9mm幅 = 1.9mm高さ = 0.83mmピーク逆回復時間 = 25nsピーク逆電流 = 10μA超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay ショットキーバリアダイオード， 4A， 40V， 2-Pin DO-214AB (SMC)VISHAY￥499税込￥549
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2長さ = 7.11mm幅 = 6.22mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1.6kA高性能ショットキー整流器、4 → 9 A、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は、非常に速いです。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル パワーMOSFET， 200 V， 57 A， 3 ピン パッケージTO-220ABVISHAY￥3,198税込￥3,518
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 57 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 33 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 3.75 W動作温度 Max = +175 ℃NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay ショットキーバリアダイオード， 4A， 40V， 2-Pin DO-214AB (SMC)VISHAY￥819税込￥901
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2長さ = 7.11mm幅 = 6.22mmピーク逆電流 = 500μA高性能ショットキー整流器、4 → 9 A、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は、非常に速いです。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 単方向 TVSダイオード， 6600W， 53.3V， 2-Pin DO-218ABVISHAY￥499税込￥549
1個
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 53.3V最小ブレークダウン電圧 = 36.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-218AB最大逆スタンドオフ電圧 = 33Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 6600W最大ピークパルス電流 = 124A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +175 ℃幅 = 8.7mmPAR(R)過渡電圧サプレッサ、SMT単方向6600 W、SM8A、SM8Sシリーズ、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay ショットキーバリアダイオード， コモンカソード， 440A， 30V， 3-Pin TO-244ABVISHAY￥7,998税込￥8,798
1個
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = コモンカソード1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = パネルマウントパッケージタイプ = TO-244ABダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3長さ = 92.71mm幅 = 20.32mm高さ = 15.75mm動作温度 Min = -55 ℃高性能ショットキー整流器、50 → 400 A、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短時間です。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。. 低順方向電圧降下 低熱抵抗RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 導電性プラスチックポテンショメータ， 1kΩ， 1W， 回転数：360°連続VISHAY￥4,498税込￥4,948
1個
7日以内出荷
仕様最大抵抗 = 1kΩ回転数 = 連続ポテンショメータタイプ = リニア取り付けタイプ = パネルマウント軸径 = 6.35 mm取り付け穴径 = 9.525mm定格電力 = 1W終端スタイル = タレット許容差 = ±20%シリーズ = 357高さ = 34.5mm寸法 = 22.23 (Dia.) x 34.5mm温度係数 = ±600ppm/℃22 mm 357シリーズポテンショメータ. Vishayの357シリーズ精密ポテンショメータは一般的にオーディオ用途で使用されます。 357シリーズポテンショメータは、熱可塑樹脂ハウジングとステンレススチール製シャフトを備え、500万回のシャフト回転寿命を誇ります。. 特長と利点:. 導電性ポリマー素子 直線性許容差: ±1 %単独 絶縁抵抗: 1000 MΩ @ 500 V dc 電気的有効回転角度: 340 ° ± 3 ° 動作トルク: 3.68 mNm 取り付けブッシュ: Φ9.5 mm、長さ9.5 mmRoHS指令(10物質対応)対応
