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RoHS10物質対応(508)
Pb- Free N-Ch PowerPAK SO-8 BWL
VISHAY￥1,998税込￥2,1981袋(5個)7日以内出荷仕様IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 整流用 ブリッジダイオード 単相 45A， 800V， 4-Pin PB
VISHAY￥2,998税込￥3,2981袋(5個)7日以内出荷仕様ブリッジタイプ = 単相ピーク平均順方向電流 = 45Aピーク逆繰返し電圧 = 800V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PBピン数 = 4構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 450A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 500μA長さ = 30.3mm高さ = 20.3mmSIL基板実装、PBシリーズ、Vishay Semiconductor. PBシリーズブリッジ整流器、強化isoCink+Tμ SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor この汎用AC/DC全波ブリッジ整流器は、家庭用電化製品や白物家電の用途におけるリニア電源及びスイッチング電源に最適です。 この整流器は、熱伝導性の優れた、拡張型isoCink+μ高電流密度シングルインラインパッケージです。. 強化isoCink+μ ブリッジ整流器 電気的に絶縁されたデバイスの安全性を示すUL規格のテストを実施済みです。 UL 1557。 強化高電流密度シングルインラインパッケージ 優れた熱伝導性 基板(PCB)スルーホール実装RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 整流用 ブリッジダイオード 単相 40A， 800V， 30.3 x 5.1 x 20.3mm， PB4008-E3/45
VISHAY￥9,198税込￥10,1181セット(20個)7日以内出荷ピーク平均順方向電流 40A。ピーク逆繰返し電圧 800V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ PB。ピン数 4。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。回路構成 シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 400A。動作温度 Max +150 ℃。動作温度 Min -55 ℃。ピーク順方向電圧 1.1V。ピーク逆電流 500μA。寸法 30.3 5.1 20.3mm。高さ 20.3mm。SIL基板実装、PBシリーズ、Vishay Semiconductor. PBシリーズブリッジ整流器、強化isoCink+T SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor この汎用AC/DC全波ブリッジ整流器は、家庭用電化製品や白物家電の用途におけるリニア電源及びスイッチング電源に最適です。 この整流器は、熱伝導性の優れた、拡張型isoCink+高電流密度シングルインラインパッケージです。. 強化isoCink+ ブリッジ整流器 電気的に絶縁されたデバイスの安全性を示すUL規格のテストを実施済みです。 UL 1557。 強化高電流密度シングルインラインパッケージ 優れた熱伝導性 基板(PCB)スルーホール実装RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 6.7 A， 3 ピン パッケージTO-220AB
VISHAY￥279税込￥3071個当日出荷仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 43 W動作温度 Max = +175 ℃PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル パワーMOSFET， 400 V， 1.8 A， 3 ピン パッケージIPAK (TO-251)
VISHAY￥349税込￥3841個当日出荷仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7Ω最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = IPAK (TO-251)実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 50 W標準ターンオフ遅延時間 = 25 nsPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 整流用 3相ブリッジダイオード 90A， 1200V， 5-Pin INT-A-PAK
VISHAY￥10,980税込￥12,0781個当日出荷仕様ブリッジタイプ = 3相ピーク平均順方向電流 = 90Aピーク逆繰返し電圧 = 1200V実装タイプ = パネルマウントパッケージタイプ = INT-A-PAKピン数 = 5構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -40 ℃ピーク順方向電圧 = 1.55Vピーク逆電流 = 10mA長さ = 94mm幅 = 35mmUL E78996. ねじ端子付き三相ブリッジ整流器、VS-60MT / 70MT.KPbFシリーズ、Vishay Semiconductor. 業界標準のINT-A-PAKパッケージ、電源モジュールに完全対応 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 優れたパワーボリューム比、簡単に接続できるアウトライン 絶縁電圧: 4000 VrmsRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay ショットキーバリアダイオード， 240A， 150V， 2-Pin D 67
VISHAY￥7,298税込￥8,0281個当日出荷仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 150V実装タイプ = パネルマウントパッケージタイプ = D 67ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2長さ = 39.62mm幅 = 19.69mm高さ = 15.11mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 20kA高性能ショットキー整流器、50 → 400 A、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短時間です。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。. 低順方向電圧降下 低熱抵抗RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル パワーMOSFET， 400 V， 3.7 A， 3 ピン パッケージTO-220FP
VISHAY￥459税込￥5051個翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1Ω最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W標準ゲートチャージ @ Vgs = 38 nC @ 10 VNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 高電圧抵抗器 HTSシリーズ 10GΩ 3W ±5%
VISHAY￥14,980税込￥16,4781個当日出荷仕様抵抗 = 10GΩ定格電力 = 3W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = HTSケーススタイル = セラミック温度係数 = ±150ppm/℃終端スタイル = アキシャル寸法 = 8.5 (Dia.) x 47mm長さ = 47mm直径 = 8.5mmリード径 = 0.8mm高電圧 / 高抵抗の厚膜抵抗器 - HTSシリーズ. Vishay Sfernice HTSシリーズ厚膜抵抗器 高電圧: 1 → 20 kV 高負荷値: 最大50 GΩ 優れた安定性: 1 %RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 高電圧抵抗器 HTSシリーズ
VISHAY￥6,998～税込￥7,698～1個ほか当日出荷から7日以内出荷許容差±5%テクノロジー厚膜シリーズHTSケース形状セラミック温度係数(ppm/℃)±150終端スタイルアキシャル
高電圧抵抗器， 100MΩ， 1W， ±5% Vishay
VISHAY￥14,980税込￥16,4781個当日出荷仕様抵抗 = 100MΩ定格電力 = 1W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜ケーススタイル = セラミック温度係数 = ±150ppm/℃終端スタイル = アキシャル寸法 = 3.5 (Dia.) x 14mm長さ = 14mm直径 = 3.5mmリード径 = 0.8mmHTS範囲、アキシャル. Vishay Sfernice HTSシリーズは、厚膜、高抵抗 / 高電圧抵抗器です。 HTSシリーズは、はんだコーティングの銅端子を持つエポキシコーティング高純度セラミックコアを備えています。 優れた安定性(1 %)を持ち、低温度係数100 ppm/℃のHTSシリーズは、電力変換時の電流検出、産業用及び医療用電源、モータ制御回路の用途に適しています。RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay ショットキーバリアダイオード， コモンカソード， 300A， 100V， 3-Pin TO-244
VISHAY￥8,298税込￥9,1281個翌々日出荷仕様ダイオード構成 = コモンカソード1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = パネルマウントパッケージタイプ = TO-244ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 93mm幅 = 21mm高さ = 17.5mmピーク逆電流 = 4.5mA高性能ショットキー整流器、50 → 400 A、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短時間です。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。. 低順方向電圧降下 低熱抵抗RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET500 V 2.5 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
VISHAY￥4,498税込￥4,9481セット(50個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 2.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 50 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET200 V 5.2 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
VISHAY￥5,698税込￥6,2681セット(50個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 5.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 800 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 50 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET100 V 5.6 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
VISHAY￥3,698税込￥4,0681セット(50個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 5.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 540 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 43 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET400 V 2 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
VISHAY￥219税込￥2411個7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 36 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET200 V 9 A スルーホール パッケージTO-220AB
VISHAY￥4,998税込￥5,4981セット(50個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホールRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET400 V 10 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
VISHAY￥359税込￥3951個7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 125 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
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