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RoHS10物質対応(35)
「ab1」の検索結果
Vishay ノブ付き電位差計， 100kΩ， 1W
VISHAY￥2,498税込￥2,7481個翌々日出荷仕様最大抵抗 = 100kΩ回転数 = 1ポテンショメータタイプ = リニア取り付けタイプ = パネルマウント取り付け穴径 = 10mm定格電力 = 1W終端スタイル = はんだラグ許容差 = ±20%シリーズ = P16長さ = 16mm寸法 = 16 (Dia.) x 16mm直径 = 16mmナット、ロックワッシャ、シーリングリング. 16 mm P16シリーズ. プラスチック製(NP)又は金属性(NM)ノブを組み込んだ独自のデザイン パネルに直接取り付け パネルの背後に最小隙間が必要 気密封止及びパネルシールド 許容差±20 % 定格電力1 WRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay ノブ付き電位差計， 220Ω， 1W
VISHAY￥2,298税込￥2,5281個7日以内出荷仕様最大抵抗 = 220Ω回転数 = 1ポテンショメータタイプ = リニア取り付けタイプ = パネルマウント取り付け穴径 = 10mm定格電力 = 1W終端スタイル = はんだラグ許容差 = ±20%シリーズ = P16長さ = 16mm寸法 = 16 (Dia.) x 16mm直径 = 16mmナット、ロックワッシャ、シーリングリング. 16 mm P16シリーズ. プラスチック製(NP)又は金属性(NM)ノブを組み込んだ独自のデザイン パネルに直接取り付け パネルの背後に最小隙間が必要 気密封止及びパネルシールド 許容差±20 % 定格電力1 WRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay サーメットポテンショメータ， 10MΩ， 0.012W
VISHAY￥5,998税込￥6,5981個7日以内出荷仕様最大抵抗 = 10MΩ回転数 = 1ポテンショメータタイプ = リニア取り付けタイプ = パネルマウント軸径 = 6 mm取り付け穴径 = 10.5mm定格電力 = 0.012W終端スタイル = はんだラグ許容差 = ±20%シリーズ = P13長さ = 35.5mm寸法 = 14 (Dia.) x 35.5mm直径 = 14mmNFC 83253、CECC 41301-001、MIL-R-94. Vishayの1.5 W、6 mm軸、密閉型サーメットトラック単回転ポテンショメータ - P13シリーズ. このサーメットトラックシリーズはNFC 83253規格に準拠しています。 IP67シールドエンクロージャ。 P13はRV6と互換性があり、安定した動作時公称特性を提供。業務用及び軍用機器にも使用できます。 はんだ端子による接続。RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay スイッチングダイオード， 1.5A， 1000V， 2-Pin DO-219AB，エレメント数 1， シングル
VISHAY￥469税込￥5161袋(25個)翌々日出荷仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装最大逆電圧 = 1000Vパッケージタイプ = DO-219AB最大順方向降下電圧 = 1.1V動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 2.9mm幅 = 1.9mm高さ = 1.08mm寸法 = 2.9 x 1.9 x 1.08mm高速回復整流器(1.4 A → 20 A)、Vishay Semiconductor. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の高速回復ダイオードです。RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay ショットキーバリアダイオード， 3A， 100V， 2-Pin DO-214AB (SMC)
VISHAY￥719税込￥7911袋(5個)翌々日出荷仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 790mV長さ = 7.11mm幅 = 6.22mm高さ = 2.42mm動作温度 Max = +175 ℃高性能ショットキー整流器、4 → 9 A、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は、非常に速いです。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 単方向 TVSダイオード， 5000W， 29.2V， 2-Pin DO-214AB (SMC)
VISHAY￥1,998税込￥2,1981袋(10個)翌々日出荷仕様ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 29.2V最小ブレークダウン電圧 = 20V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 18Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 5000W最大ピークパルス電流 = 171.2A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +185 ℃長さ = 7.11mmPAR(R)過渡電圧サプレッサ、SMT単方向5000 W、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay ショットキーバリアダイオード， コモンカソード， 440A， 30V， 3-Pin TO-244AB
VISHAY￥9,198税込￥10,1181個7日以内出荷仕様ダイオード構成 = コモンカソード1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = パネルマウントパッケージタイプ = TO-244ABダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3長さ = 92.71mm幅 = 20.32mm高さ = 15.75mm動作温度 Min = -55 ℃高性能ショットキー整流器、50 → 400 A、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短時間です。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。. 低順方向電圧降下 低熱抵抗RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay ショットキーバリアダイオード， 4A， 40V， 2-Pin DO-214AB (SMC)
VISHAY￥759税込￥8351袋(5個)7日以内出荷仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2長さ = 7.11mm幅 = 6.22mmピーク逆電流 = 500μA高性能ショットキー整流器、4 → 9 A、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は、非常に速いです。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル パワーMOSFET， 100 V， 85 A， 3 ピン パッケージTO-220AB
VISHAY￥1,098税込￥1,2081個7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 85 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.5 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 250 W寸法 = 10.41 x 4.7 x 9.01mmNチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay ショットキーバリアダイオード， 4A， 40V， 2-Pin DO-214AB (SMC)
VISHAY￥489税込￥5381袋(10個)7日以内出荷仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2長さ = 7.11mm幅 = 6.22mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1.6kA高性能ショットキー整流器、4 → 9 A、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は、非常に速いです。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 整流ダイオード， 1.2A， 200V， 2-Pin DO-219AB
VISHAY￥469税込￥5161袋(20個)7日以内出荷仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-219ABダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 980mV長さ = 2.9mm幅 = 1.9mm高さ = 0.83mmピーク逆回復時間 = 25nsピーク逆電流 = 10μA超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay ショットキーバリアダイオード， 3A， 60V， 2-Pin DO-214AB (SMC)
VISHAY￥689税込￥7581袋(5個)7日以内出荷仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 60V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 520mV長さ = 7.11mm幅 = 6.22mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1.2kA高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 単方向 TVSダイオード， 6600W， 53.3V， 2-Pin DO-218AB
VISHAY￥449税込￥4941個7日以内出荷仕様ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 53.3V最小ブレークダウン電圧 = 36.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-218AB最大逆スタンドオフ電圧 = 33Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 6600W最大ピークパルス電流 = 124A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +175 ℃幅 = 8.7mmPAR(R)過渡電圧サプレッサ、SMT単方向6600 W、SM8A、SM8Sシリーズ、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay ショットキーバリアダイオード， コモンカソード， 60A， 100V， 3-Pin TO-220AB
VISHAY￥1,998税込￥2,1981袋(5個)7日以内出荷仕様ダイオード構成 = コモンカソード1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220ABダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 790mV長さ = 10.54mm幅 = 4.7mm高さ = 15.32mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 320ATMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、30 → 80 A、Vishay Semiconductor. Vishay製のTrench MOSバリアショットキー(TMBS(R))整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現. 特長RoHS指令(10物質対応)対応
