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静電容量 = 47nF。電圧 = 160 V ac， 250 V dc。実装タイプ = スルーホール。許容差 = ±10%。シリーズ = 368， MKT368。リード間隔 = 10mm。長さ = 12.5mm。奥行き = 4.5mm。高さ = 13.5mm。寸法 = 4.5 x 13.5 x 12.5mm。温度特性 = ポリエステル。末端仕様 = スルーホール実装。リード径 = 0.6mm。Vishay MKT386メタライズドポリエステルフィルムコンデンサ. VishayのMKT368シリーズのメタライズドポリエステルフィルムコンデンサは、巻回型モノ構造で、難燃性エポキシコーティングが施されています。. 特長:. UL94V-0コーティング. 性能等級: グレード1 (長寿命). 製品の用途:. このポリエステルフィルムコンデンサに適した用途には、ブロッキング、カップリング、バイパス、蓄電などがあります。

静電容量 = 220nF。電圧 = 63 V ac， 100 V dc。実装タイプ = スルーホール。許容差 = ±10%。シリーズ = 368， MKT368。リード間隔 = 10mm。長さ = 12.5mm。奥行き = 4.5mm。高さ = 13.6mm。寸法 = 4.5 x 13.6 x 12.5mm。温度特性 = ポリエステル。末端仕様 = スルーホール実装。動作温度 Min = -55℃。Vishay MKT386メタライズドポリエステルフィルムコンデンサ. VishayのMKT368シリーズのメタライズドポリエステルフィルムコンデンサは、巻回型モノ構造で、難燃性エポキシコーティングが施されています。. 特長:. UL94V-0コーティング. 性能等級: グレード1 (長寿命). 製品の用途:. このポリエステルフィルムコンデンサに適した用途には、ブロッキング、カップリング、バイパス、蓄電などがあります。

シリーズ BFC2。電圧 250V dc。温度特性 PTFE。実装タイプ スルーホール。寸法 10 11 11mm。奥行き 11mm。高さ 11mm。長さ 10mm。最小静電容量 5pF。動作温度 Min -40℃。LNZ 4404. 080 調整可能なコンデンサ. 業務用コンデンサーで、調整デバイスが両面にあります。 小型測定アセンブリ用に開発され、高温での動作に特化して設計されています。 同調高周波回路の微調整が可能です。

静電容量 = 33nF。電圧 = 220 V ac， 400 V dc。実装タイプ = スルーホール。許容差 = ±10%。シリーズ = 368， MKT368。リード間隔 = 10mm。長さ = 12.5mm。奥行き = 4.6mm。高さ = 13.7mm。寸法 = 4.6 x 13.7 x 12.5mm。温度特性 = ポリエステル。末端仕様 = スルーホール実装。動作温度 Min = -55℃。Vishay MKT386メタライズドポリエステルフィルムコンデンサ. VishayのMKT368シリーズのメタライズドポリエステルフィルムコンデンサは、巻回型モノ構造で、難燃性エポキシコーティングが施されています。. 特長:. UL94V-0コーティング. 性能等級: グレード1 (長寿命). 製品の用途:. このポリエステルフィルムコンデンサに適した用途には、ブロッキング、カップリング、バイパス、蓄電などがあります。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 2.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 50 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 5.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 800 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 50 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 5.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 540 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 43 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 36 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール