「br-20p」の検索結果

最大抵抗 = 20Ω。回転数 = 20。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 1/2W。シリーズ = 43P。方位 = 側面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 20.57mm。奥行き = 4.83mm。高さ = 6.35mm。寸法 = 20.57 x 4.83 x 6.35mm。軸径 = 2.54 mm。許容差 = ±10%。温度係数 = -100 → +200ppm/℃。19 mm (3/4インチ) 500 mW長方形端面調整型43Pシリーズ、標準. 独自のスライダブロックによる優れた設定能力 マルチフィンガーワイパーによるCRVの最小化 密閉による液浸基板洗浄への耐性 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 行程末端でワイパー停止 パネル取り付けアダプタを用意、品番 ； 855-305 855-305

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 165 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 1.8 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = TSOP-6。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 3.3 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。長さ = 3.1mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 35 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = PowerPAK 1212-8。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9.8 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 52 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V。幅 = 3.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 10kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 1.5W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。シャフト長さ = 50mm。軸径 = 6 mm。許容差 = ±20%。Vishay P13SMシリーズ完全密閉ポテンショメータ. Vishay P13SMシリーズの完全密閉容器サーメットポテンショメータは、水深30 m (100フィート)までの深海条件に浸漬したポテンショメータを使用して電気パラメータを設定する必要がある用途に最適です。. 高い定格電力、1.5 W @70 ℃ 海水の侵入にも耐えるステンレススチールの軸とブッシングを採用 深さ30 mで動作 / 完全密閉IP68パネル 厳密な温度係数(代表値±75 ppm/℃) 深海に対応する密閉パネル 耐塩腐食(試験時間960 h) ヘビーデューティ構造 RoHS Directive 2002/95/ECに適合

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 10kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 1.5W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。シャフト長さ = 16mm。軸径 = 6 mm。許容差 = ±20%。Vishay P13SMシリーズ完全密閉ポテンショメータ. Vishay P13SMシリーズの完全密閉容器サーメットポテンショメータは、水深30 m (100フィート)までの深海条件に浸漬したポテンショメータを使用して電気パラメータを設定する必要がある用途に最適です。. 高い定格電力、1.5 W @70 ℃ 海水の侵入にも耐えるステンレススチールの軸とブッシングを採用 深さ30 mで動作 / 完全密閉IP68パネル 厳密な温度係数(代表値±75 ppm/℃) 深海に対応する密閉パネル 耐塩腐食(試験時間960 h) ヘビーデューティ構造 RoHS Directive 2002/95/ECに適合

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 10kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 1.5W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。シャフト長さ = 25mm。軸径 = 6 mm。許容差 = ±20%。Vishay P13SMシリーズ完全密閉ポテンショメータ. Vishay P13SMシリーズの完全密閉容器サーメットポテンショメータは、水深30 m (100フィート)までの深海条件に浸漬したポテンショメータを使用して電気パラメータを設定する必要がある用途に最適です。. 高い定格電力、1.5 W @70 ℃ 海水の侵入にも耐えるステンレススチールの軸とブッシングを採用 深さ30 mで動作 / 完全密閉IP68パネル 厳密な温度係数(代表値±75 ppm/℃) 深海に対応する密閉パネル 耐塩腐食(試験時間960 h) ヘビーデューティ構造 RoHS Directive 2002/95/ECに適合

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 8 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 35 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 960 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.4mm。高さ = 1.02mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 47kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 1W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = はんだラグ。シャフト長さ = 8.8mm。軸径 = 16 mm。許容差 = ±20%。ノブポテンショメータ、スイッチ付き - P16S. P16Sシリーズのパネル取り付けスイッチ付きポテンショメータは、ノブ駆動とサーメットポテンショメータで構成されています。 この独自の設計により、取り付けハードウェアや端子に必要となるパネル奥の取り付けスペースが極めて小さくなっています。 用途: 携帯機器、通信ハンドセット、暗視ゴーグル、コックピットパネルコントローラなど. 小型設計 ディテント及び電気的カットオフ(移動開始時) 完全密閉及びパネルシールド テスト基準はCECC 41000又はIEC 60393-1

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 1kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 1W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = はんだラグ。シャフト長さ = 8.8mm。軸径 = 16 mm。許容差 = ±20%。ナット、ロックワッシャ、シーリングリング. Vishay P16 シリーズノブポテンショメータ. P16 は、パネル取り付けポテンショメータの画期的なコンセプトです。この独自の設計は、サーメットポテンショメータを採用しているノブ駆動方式で構成されています。パネルの背面に取り付け用の金具と端子のみがあり、必要な隙間を最小限に抑えられます。. CECC 41000 または IEC 60393-1 に従ってテストします P16 タイプは、業務用および産業用に適しています 用途(サーメット) 1 W @ 40 ° C コンパクト(内蔵) 高絶縁耐性： 2500 VRMS 完全密閉、パネルシール 金属製またはプラスチック製のノブオプション ご要望に応じてカスタムノブをご用意

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.2 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 43 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 4.7kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 1W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = はんだラグ。シャフト長さ = 8.8mm。軸径 = 16 mm。許容差 = ±20%。ナット、ロックワッシャ、シーリングリング. Vishay P16 シリーズノブポテンショメータ. P16 は、パネル取り付けポテンショメータの画期的なコンセプトです。この独自の設計は、サーメットポテンショメータを採用しているノブ駆動方式で構成されています。パネルの背面に取り付け用の金具と端子のみがあり、必要な隙間を最小限に抑えられます。. CECC 41000 または IEC 60393-1 に従ってテストします P16 タイプは、業務用および産業用に適しています 用途(サーメット) 1 W @ 40 ° C コンパクト(内蔵) 高絶縁耐性： 2500 VRMS 完全密閉、パネルシール 金属製またはプラスチック製のノブオプション ご要望に応じてカスタムノブをご用意

最大抵抗 = 2kΩ。実装タイプ = パネル取り付け、 スルーホール。回転数 = 20。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = 43P。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 27.81mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。ボディーカラーは青です。. 19 mm ( インチ) 500 mW 長方形端面調整型 43P シリーズ パネル取り付け. 独自のスライダブロックによる優れた設定性 CRVを最小限に抑えるマルチフィンガーワイパー 浸漬型基板洗浄に耐える密封構造 スタンドオフを内蔵した成型ボディ 行程末端ではワイパーは空転

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 4.7kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 1W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = はんだラグ。シャフト長さ = 9.4mm。軸径 = 16 mm。許容差 = ±20%。ナット、ロックワッシャ、シーリングリング. Vishay P16 シリーズノブポテンショメータ. P16 は、パネル取り付けポテンショメータの画期的なコンセプトです。この独自の設計は、サーメットポテンショメータを採用しているノブ駆動方式で構成されています。パネルの背面に取り付け用の金具と端子のみがあり、必要な隙間を最小限に抑えられます。. CECC 41000 または IEC 60393-1 に従ってテストします P16 タイプは、業務用および産業用に適しています 用途(サーメット) 1 W @ 40 ° C コンパクト(内蔵) 高絶縁耐性： 2500 VRMS 完全密閉、パネルシール 金属製またはプラスチック製のノブオプション ご要望に応じてカスタムノブをご用意

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 2.2kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 1W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = はんだラグ。シャフト長さ = 8.8mm。軸径 = 16 mm。許容差 = ±20%。ナット、ロックワッシャ、シーリングリング. Vishay P16 シリーズノブポテンショメータ. P16 は、パネル取り付けポテンショメータの画期的なコンセプトです。この独自の設計は、サーメットポテンショメータを採用しているノブ駆動方式で構成されています。パネルの背面に取り付け用の金具と端子のみがあり、必要な隙間を最小限に抑えられます。. CECC 41000 または IEC 60393-1 に従ってテストします P16 タイプは、業務用および産業用に適しています 用途(サーメット) 1 W @ 40 ° C コンパクト(内蔵) 高絶縁耐性： 2500 VRMS 完全密閉、パネルシール 金属製またはプラスチック製のノブオプション ご要望に応じてカスタムノブをご用意

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 2.2kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 1W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = はんだラグ。シャフト長さ = 9.4mm。軸径 = 16 mm。許容差 = ±20%。ナット、ロックワッシャ、シーリングリング. Vishay P16 シリーズノブポテンショメータ. P16 は、パネル取り付けポテンショメータの画期的なコンセプトです。この独自の設計は、サーメットポテンショメータを採用しているノブ駆動方式で構成されています。パネルの背面に取り付け用の金具と端子のみがあり、必要な隙間を最小限に抑えられます。. CECC 41000 または IEC 60393-1 に従ってテストします P16 タイプは、業務用および産業用に適しています 用途(サーメット) 1 W @ 40 ° C コンパクト(内蔵) 高絶縁耐性： 2500 VRMS 完全密閉、パネルシール 金属製またはプラスチック製のノブオプション ご要望に応じてカスタムノブをご用意

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 470kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 0.26W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = はんだラグ。シャフト長さ = 8.8mm。軸径 = 16 mm。許容差 = ±20%。ナット、ロックワッシャ、シーリングリング. Vishay P16 シリーズノブポテンショメータ. P16 は、パネル取り付けポテンショメータの画期的なコンセプトです。この独自の設計は、サーメットポテンショメータを採用しているノブ駆動方式で構成されています。パネルの背面に取り付け用の金具と端子のみがあり、必要な隙間を最小限に抑えられます。. CECC 41000 または IEC 60393-1 に従ってテストします P16 タイプは、業務用および産業用に適しています 用途(サーメット) 1 W @ 40 ° C コンパクト(内蔵) 高絶縁耐性： 2500 VRMS 完全密閉、パネルシール 金属製またはプラスチック製のノブオプション ご要望に応じてカスタムノブをご用意

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 1MΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 0.12W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = はんだラグ。シャフト長さ = 8.8mm。軸径 = 16 mm。許容差 = ±20%。ナット、ロックワッシャ、シーリングリング. Vishay P16 シリーズノブポテンショメータ. P16 は、パネル取り付けポテンショメータの画期的なコンセプトです。この独自の設計は、サーメットポテンショメータを採用しているノブ駆動方式で構成されています。パネルの背面に取り付け用の金具と端子のみがあり、必要な隙間を最小限に抑えられます。. CECC 41000 または IEC 60393-1 に従ってテストします P16 タイプは、業務用および産業用に適しています 用途(サーメット) 1 W @ 40 ° C コンパクト(内蔵) 高絶縁耐性： 2500 VRMS 完全密閉、パネルシール 金属製またはプラスチック製のノブオプション ご要望に応じてカスタムノブをご用意

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 220kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 1W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = はんだラグ。シャフト長さ = 8.8mm。軸径 = 16 mm。許容差 = ±20%。ナット、ロックワッシャ、シーリングリング. Vishay P16 シリーズノブポテンショメータ. P16 は、パネル取り付けポテンショメータの画期的なコンセプトです。この独自の設計は、サーメットポテンショメータを採用しているノブ駆動方式で構成されています。パネルの背面に取り付け用の金具と端子のみがあり、必要な隙間を最小限に抑えられます。. CECC 41000 または IEC 60393-1 に従ってテストします P16 タイプは、業務用および産業用に適しています 用途(サーメット) 1 W @ 40 ° C コンパクト(内蔵) 高絶縁耐性： 2500 VRMS 完全密閉、パネルシール 金属製またはプラスチック製のノブオプション ご要望に応じてカスタムノブをご用意

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 345 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 1 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 2.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 1 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 42 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.22mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 40 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

最大抵抗 = 100kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 20。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = 43P。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 2.54 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。19 mm (3/4インチ) 500 mW長方形端面調整型43Pシリーズ、標準. 独自のスライダブロックによる優れた設定能力 マルチフィンガーワイパーによるCRVの最小化 密閉による液浸基板洗浄への耐性 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 行程末端でワイパー停止 パネル取り付けアダプタを用意、品番 ； 855-305 855-305

最大抵抗 = 500kΩ。実装タイプ = パネル取り付け、 スルーホール。回転数 = 20。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = 43P。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 27.81mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。ボディーカラーは青です。. 19 mm ( インチ) 500 mW 長方形端面調整型 43P シリーズ パネル取り付け. 独自のスライダブロックによる優れた設定性 CRVを最小限に抑えるマルチフィンガーワイパー 浸漬型基板洗浄に耐える密封構造 スタンドオフを内蔵した成型ボディ 行程末端ではワイパーは空転

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 41 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 5 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

最大抵抗 = 10kΩ。実装タイプ = パネル取り付け、 スルーホール。回転数 = 20。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = 43P。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 27.81mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。ボディーカラーは青です。. 19 mm ( インチ) 500 mW 長方形端面調整型 43P シリーズ パネル取り付け. 独自のスライダブロックによる優れた設定性 CRVを最小限に抑えるマルチフィンガーワイパー 浸漬型基板洗浄に耐える密封構造 スタンドオフを内蔵した成型ボディ 行程末端ではワイパーは空転

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.1 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2.4 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

最大抵抗 = 20kΩ。実装タイプ = パネル取り付け、 スルーホール。回転数 = 20。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = 43P。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 27.81mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。ボディーカラーは青です。. 19 mm ( インチ) 500 mW 長方形端面調整型 43P シリーズ パネル取り付け. 独自のスライダブロックによる優れた設定性 CRVを最小限に抑えるマルチフィンガーワイパー 浸漬型基板洗浄に耐える密封構造 スタンドオフを内蔵した成型ボディ 行程末端ではワイパーは空転

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 21 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 180 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 5.31mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 50 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 73.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.22mm。順方向ダイオード電圧 = 1.5V。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

最大抵抗 = 5kΩ。実装タイプ = パネル取り付け、 スルーホール。回転数 = 20。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = 43P。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 27.81mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。ボディーカラーは青です。. 19 mm ( インチ) 500 mW 長方形端面調整型 43P シリーズ パネル取り付け. 独自のスライダブロックによる優れた設定性 CRVを最小限に抑えるマルチフィンガーワイパー 浸漬型基板洗浄に耐える密封構造 スタンドオフを内蔵した成型ボディ 行程末端ではワイパーは空転

最大抵抗 = 1kΩ。実装タイプ = パネル取り付け、 スルーホール。回転数 = 20。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = 43P。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 27.81mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。ボディーカラーは青です。. 19 mm ( インチ) 500 mW 長方形端面調整型 43P シリーズ パネル取り付け. 独自のスライダブロックによる優れた設定性 CRVを最小限に抑えるマルチフィンガーワイパー 浸漬型基板洗浄に耐える密封構造 スタンドオフを内蔵した成型ボディ 行程末端ではワイパーは空転

最大抵抗 = 50kΩ。実装タイプ = パネル取り付け、 スルーホール。回転数 = 20。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = 43P。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 27.81mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。ボディーカラーは青です。. 19 mm ( インチ) 500 mW 長方形端面調整型 43P シリーズ パネル取り付け. 独自のスライダブロックによる優れた設定性 CRVを最小限に抑えるマルチフィンガーワイパー 浸漬型基板洗浄に耐える密封構造 スタンドオフを内蔵した成型ボディ 行程末端ではワイパーは空転

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 11 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 125000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 6.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 800 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 74 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 190 mA， 300 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SC-89-6。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω， 8 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 250 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 4.7 A、6.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 42.5 mΩ， 62 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 3 W、3.1 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor