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Vishay TVSダイオード，単方向，表面実装， 48.4V， SMBJ30A-E3/52
VISHAY
￥14,980税込￥16,478
1セット(750個)
7日以内出荷
ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 48.4V。最小ブレークダウン電圧 = 33.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 30V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 12.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ優れたクランプ機能超高速応答時間低インクリメンタルサージを備えた低抵抗
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay TVSダイオード，双方向，表面実装， 28.8V， SMBJ16CA-E3/52
VISHAY
￥23,980税込￥26,378
1セット(750個)
7日以内出荷
方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 28.8V。最小ブレークダウン電圧 = 17.8V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 16V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 20.8A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ優れたクランプ機能超高速応答時間低インクリメンタルサージを備えた低抵抗
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay TVSダイオード，双方向，表面実装， 53.5V， SMBJ30CA-E3/52
VISHAY
￥18,980税込￥20,878
1セット(750個)
7日以内出荷
方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 53.5V。最小ブレークダウン電圧 = 33.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 30V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 11.2A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ優れたクランプ機能超高速応答時間低インクリメンタルサージを備えた低抵抗
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay TVSダイオード，双方向，表面実装， 77.4V， SMBJ48CA-E3/52
VISHAY
￥23,980税込￥26,378
1セット(750個)
7日以内出荷
方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 77.4V。最小ブレークダウン電圧 = 53.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 48V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 7.8A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.24mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ優れたクランプ機能超高速応答時間低インクリメンタルサージを備えた低抵抗
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay TVSダイオード，双方向，表面実装， 12.9V， SMBJ7.5CA-E3/52
VISHAY
￥319税込￥351
1袋(5個)
7日以内出荷
ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 12.9V。最小ブレークダウン電圧 = 8.33V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 7.5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 46.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ優れたクランプ機能超高速応答時間低インクリメンタルサージを備えた低抵抗
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay TVSダイオード，単方向，表面実装， 9.2V， SMBG5.0A-E3/52
VISHAY
￥54,980税込￥60,478
1セット(750個)
7日以内出荷
ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 9.2V。最小ブレークダウン電圧 = 6.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-215AA。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 65.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.21mm。テスト電流 = 10mA。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBGシリーズ、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-215AA (SMBG)パッケージ優れたクランプ機能超高速応答時間低インクリメンタルサージを備えた低抵抗
RoHS指令(10物質対応)対応