「ct 20a」の検索結果

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.2 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 43 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.65Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = AC標準上昇時間 = 2μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 5300 V ac最大電流変換率 = 320%標準降下時間 = 2μsシリーズ = SFHオプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V長さ = 10.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 4.1 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 10.41mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 10.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

ブリッジタイプ = 単相Aピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スクリュー マウントパッケージタイプ = GBPC-Aピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 420A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 5μA寸法 = 28.6 x 28.6 x 7.7mm幅 = 28.6mmUL E54214. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、VS-GBPC25シリーズ、Vishay Semiconductor. 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 中心穴固定 優れたパワー / ボリューム比

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 11 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 125000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220F最大連続 順方向電流 = 10Aピーク逆繰返し電圧 = 45Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 640mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアTMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、最大20 A、Vishay Semiconductor. VishayのTrench MOSバリアショットキー(TMBS)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特長. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現

ピーク平均順方向電流 = 25Aピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = スクリュー マウントパッケージタイプ = GBPC-Aピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 420A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 5μA寸法 = 28.6 x 28.6 x 7.7mm幅 = 28.6mmUL E54214. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、VS-GBPC25シリーズ、Vishay Semiconductor. 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 中心穴固定 優れたパワー / ボリューム比

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 1000 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 11 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 54 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大連続 順方向電流 = 5Aピーク逆繰返し電圧 = 200Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.7V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100ATMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、最大20 A、Vishay Semiconductor. VishayのTrench MOSバリアショットキー(TMBS)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特長. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現

ピーク平均順方向電流 = 25Aピーク逆繰返し電圧 = 1000V実装タイプ = スクリュー マウントパッケージタイプ = GBPC-Aピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 420A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 5μA長さ = 28.6mm幅 = 28.6mmUL E54214. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、VS-GBPC25シリーズ、Vishay Semiconductor. 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 中心穴固定 優れたパワー / ボリューム比

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.2A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 750 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 170 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V長さ = 10.41mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

ピーク平均順方向電流 = 4Aピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = KBUピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -50 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 5μA寸法 = 23.7 x 7.1 x 19.3mm幅 = 7.1mmUL E54214. SIL基板実装、KBUシリーズ、Vishay Semiconductor. KBU4x、KBU6x、KBU8xシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン 耐高サージ電流 絶縁電圧: 1500 Vrms パッケージのセンターに固定用の穴あり

ピーク平均順方向電流 = 3.5Aピーク逆繰返し電圧 = 800V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GSIB-5Sピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 300A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 950mVピーク逆電流 = 10μA長さ = 30mm幅 = 4.6mmULファイル番号E54214. SIL基板実装、GSIB-5シリーズ、Vishay Semiconductor. GSIB-5シリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 薄型シングルインラインGSIB-5パッケージ ガラス不動態化チップジャンクション 耐高サージ電流 2500 Vrmsの高い絶縁耐性ケース 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = SOD-57最大連続 順方向電流 = 250mAピーク逆繰返し電圧 = 2000Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = アバランシェダイオードタイプ = 高速スイッチングダイオードピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 2.4V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 300nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 20Aガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 36 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

ピーク平均順方向電流 = 25Aピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = D 63ピン数 = 5回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 375A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.26Vピーク逆電流 = 100μA寸法 = 28.5 x 28.5 x 10mm高さ = 10mmUL、E300359認定. プッシュオン端子付き三相ブリッジ整流器、VS-MTシリーズ、Vishay Semiconductor. 三相ブリッジ整流器電源モジュール ユニバーサル、3極端子: プッシュオン(ファストン)、ラップアラウンド、又ははんだ 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 中心穴固定フォロシャーシ取り付け 優れたパワー / ボリューム比

検出スペクトル = 赤外線， 可視光標準降下時間 = 5μs標準上昇時間 = 6μsチャンネル数 = 1最大光電流 = 20000μA最大暗電流 = 100nA半値幅感度角度 = 20 °極性 = NPNピン数 = 3実装タイプ = スルーホール実装パッケージタイプ = TO-18寸法 = 5.5 x 5.5 x 6.15mmコレクター電流 = 50mA感度スペクトルレンジ = 450 → 1080 nmnm幅 = 5.5mmBPW77NA及びBPW77NBシリーズフォトトランジスタ. Vishay SemiconductorのBPW77NA及びBPW77NBシリーズは、シリコンNPNフォトトランジスタのファミリです。 これらの製品は、ガラスレンズ付きのハーメチックシールドTO-18パッケージです。 BPW77NA及びBPW77NB フォトトランジスタは、可視光及び赤外線両方の放射を感知します。 これらの製品は、電子機器の制御及び駆動回路の検出器として理想的な製品です。. BPW77NA / BPW77NBフォトトランジスタの特長: TO-18パッケージ 4.7 mm径 スルーホール取り付け 高感光性 高い放射感度 高速な応答時間 動作温度範囲: -40 → +125 ℃

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大連続 順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 400Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 高速スイッチング整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.3V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 150nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50AVishay Semiconductor 高速リカバリ整流器 1.4 A → 20 A. 業界標準のパッケージスタイルの多用途で高効率の高速リカバリパワーダイオードです。

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 800 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 74 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 10.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 36 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vシリーズ = D Series実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 104 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V幅 = 4.65mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、Dシリーズ高電圧、Vishay Semiconductor

定格平均オン電流 = 80Aサイリスタタイプ = PCTパッケージタイプ = TO-94繰返しピーク逆方向電圧 = 800Vサージ電流レーティング = 1990A実装タイプ = ねじ取り付け最大ゲートトリガー電流 = 120mA最大ゲートトリガー電圧 = 2.5V最大保持電流 = 200mAピン数 = 3寸法 = 29.5 x 27 x 188mm繰返しピークオフステート電流 = 15mAVishay Semiconductor 位相制御サイリスタ

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 520 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 170 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V幅 = 4.7mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 3.3V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 28Ω最大逆漏れ電流 = 25μA寸法 = 1.7 (Dia.) x 3.9mm標準電圧温度係数 = -0.07%/Kツェナーダイオード500 mW、1N52xxシリーズ、Vishay Semiconductor

ピーク平均順方向電流 1.9Aピーク逆繰返し電圧 200V実装タイプ スルーホールパッケージタイプ D 37ピン数 4ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション回路構成 シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 52A動作温度 Max +150 ℃動作温度 Min -40 ℃ピーク順方向電圧 1.1Vピーク逆電流 10μA長さ 17.5mm高さ 15mm標準ピン構成: 代替ピン構成(型番の末尾R): +. SIL基板実装、2KBBシリーズ、Vishay Semiconductor. 2KBBシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)スルーホール実装に最適 標準2.54 mm (0.1インチ)グリッドのリード コンパクトな構造 耐高サージ電流 標準DIN部品と等価

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V幅 = 4.7mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

ピーク平均順方向電流 40Aピーク逆繰返し電圧 800V実装タイプ スルーホールパッケージタイプ PBピン数 4ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション回路構成 シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 400A動作温度 Max +150 ℃動作温度 Min -55 ℃ピーク順方向電圧 1.1Vピーク逆電流 500μA寸法 30.3 5.1 20.3mm高さ 20.3mmSIL基板実装、PBシリーズ、Vishay Semiconductor. PBシリーズブリッジ整流器、強化isoCink+T SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor この汎用AC/DC全波ブリッジ整流器は、家庭用電化製品や白物家電の用途におけるリニア電源及びスイッチング電源に最適です。 この整流器は、熱伝導性の優れた、拡張型isoCink+高電流密度シングルインラインパッケージです。. 強化isoCink+ ブリッジ整流器 電気的に絶縁されたデバイスの安全性を示すUL規格のテストを実施済みです。 UL 1557。 強化高電流密度シングルインラインパッケージ 優れた熱伝導性 基板(PCB)スルーホール実装

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TO-277A最大連続 順方向電流 = 10Aピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 620mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 180ATMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、最大20 A、Vishay Semiconductor. VishayのTrench MOSバリアショットキー(TMBS)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特長. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 165 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 1.8 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大連続 順方向電流 = 3Aピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 高速スイッチング整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.3V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 150nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100AVishay Semiconductor 高速リカバリ整流器 1.4 A → 20 A. 業界標準のパッケージスタイルの多用途で高効率の高速リカバリパワーダイオードです。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 1000Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = アバランシェダイオードタイプ = 高速スイッチング整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.6V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 120nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30AVishay Semiconductor 高速リカバリ整流器 1.4 A → 20 A. 業界標準のパッケージスタイルの多用途で高効率の高速リカバリパワーダイオードです。

ピーク平均順方向電流 = 12Aピーク逆繰返し電圧 = 50V実装タイプ = スクリュー マウントパッケージタイプ = GBPCピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 500μA長さ = 28.8mm高さ = 7.87mmUL、E54214. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPCシリーズ、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化単相ブリッジ整流器 0.5 μA未満の標準赤外線 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 ファストン端子

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220F最大連続 順方向電流 = 10Aピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 770mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 250A高性能ショットキー整流器、10 → 15 A、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短時間です。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

ピーク平均順方向電流 = 25Aピーク逆繰返し電圧 = 1000V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = D 34ピン数 = 4ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 420A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.25Vピーク逆電流 = 10μA寸法 = 28.5 x 28.5 x 9.8mm幅 = 28.5mmUL、E300359認定. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、VS-MBシリーズ、Vishay Semiconductor. 単相ブリッジ整流器、高電圧電源モジュール ユニバーサル、3極端子: プッシュオン(ファストン)、ラップアラウンド、又ははんだ 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 中心穴固定 優れたパワー / ボリューム比

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 14 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 160 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 88 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201AD最大連続 順方向電流 = 5Aピーク逆繰返し電圧 = 60Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 21チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア直径 = 5.3mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 220AVishay Semiconductor 高性能ショットキー整流器 4A-9A. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に高速です。ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TO-277A最大連続 順方向電流 = 8Aピーク逆繰返し電圧 = 60Vダイオード構成 = コモンカソード整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 2ダイオードテクノロジー = ショットキーピーク非繰返し順方向サージ電流 = 120AVishay Semiconductor 高性能ショットキー整流器 4A-9A. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に高速です。ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220F最大連続 順方向電流 = 40Aピーク逆繰返し電圧 = 45Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 630mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアTMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、30 → 80 A、Vishay Semiconductor. Vishay製のTrench MOSバリアショットキー(TMBSR)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現. 特長