「em lan」の検索結果

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.65V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = AC。標準上昇時間 = 2μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5300 V ac。最大電流変換率 = 320%。標準降下時間 = 2μs。シリーズ = SFH。オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.2 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 43 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 36 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.9V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 25 mA。絶縁電圧 = 5300 Vrms。最大電流変換率 = 35%。シリーズ = 6N136。オプトカプラ、トランジスタ出力、6Nxxシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.3V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 2.8μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5.3 kVrms。最大電流変換率 = 125%。標準降下時間 = 14μs。シリーズ = ILD。オプトカプラ、トランジスタ出力、IL、ILD、ILQシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.6V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SMD。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 0.1μs。最大入力電流 = 25 mA。絶縁電圧 = 5300 Vrms。論理出力 = あり。標準降下時間 = 0.1μs。シリーズ = VO。オプトカプラ、IGBT及びMOSFETドライバ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.6V。チャンネル数 = 4。ピン数 = 16。パッケージタイプ = SOP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = ±60 mA。絶縁電圧 = 3750 Vrms。最大電流変換率 = 300%。標準降下時間 = 4.7μs。シリーズ = TCMT。オプトカプラ、トランジスタ出力、TCMTシリーズ、Vishay Semiconductor. TCMT410 。シリーズは、 16 ピン( 4 チャンネル)パッケージのガリウムヒ素赤外線発光ダイオードと光学的に結合されているフォトトランジスタで構成されています。. 特長:. 低プロファイルパッケージ ( ハーフピッチ ) AC 絶縁試験電圧 3750 VRMS 標準的な 0.3 pF の低いカップリング静電容量 グループに選択された電流伝達率( CTR ) CTR の低い温度係数 広い周囲温度範囲. 用途:. プログラマブルロジックコントローラ モデム 留守番電話 一般的な用途

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 2μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。最大電流変換率 = 30%。標準降下時間 = 2μs。シリーズ = 4N28。オプトカプラ、トランジスタ出力、SFHシリーズ、Vishay Semiconductor. VO617A及びVO618Aシリーズは最大5300 Vrmsの電圧を絶縁します。 VO615A、VOL617A及びVOL628Aシリーズは最大5000 Vrmsの電圧を絶縁します。 VOM617A及びVOM618Aシリーズは最大3750 Vrmsの電圧を絶縁します。 VO617A、VO618A、VOL617A、VOL628A、VOM617A、及びVOM618Aの用途には、ACアダプタでのアイソレーション、スイッチモード電源、プログラム可能なロジックコントローラ、産業用制御、電気通信システム、スマートメータ、オフィス機器、インターネットや太陽光による発電などがあります。 オプトカプラVO615A、VO617A、VO618A、VOL617A、VOL628A、VOM617A、及びVOM618Aは最高動作温度が110 °です。

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.25V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = SMD。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5300 Vrms。最大電流変換率 = 125%。標準降下時間 = 14μs。シリーズ = SFH。オプトカプラ、トランジスタ出力、SFHシリーズ、Vishay Semiconductor. VO617A及びVO618Aシリーズは最大5300 Vrmsの電圧を絶縁します。 VO615A、VOL617A及びVOL628Aシリーズは最大5000 Vrmsの電圧を絶縁します。 VOM617A及びVOM618Aシリーズは最大3750 Vrmsの電圧を絶縁します。 VO617A、VO618A、VOL617A、VOL628A、VOM617A、及びVOM618Aの用途には、ACアダプタでのアイソレーション、スイッチモード電源、プログラム可能なロジックコントローラ、産業用制御、電気通信システム、スマートメータ、オフィス機器、インターネットや太陽光による発電などがあります。 オプトカプラVO615A、VO617A、VO618A、VOL617A、VOL628A、VOM617A、及びVOM618Aは最高動作温度が110 °です。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 1.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 1000 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 11 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 54 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 4.1 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 125 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 6.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 520 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 60 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 52 nC V @ 10。高さ = 9.8mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 125 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 125 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 11 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 125000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 9.2A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 750 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 170 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。長さ = 10.41mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 16 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 190 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 15.87mm。高さ = 20.7mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 47 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V。シリーズ = E Series。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 64 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 357 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 5.31mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor. VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。 幅広い定格電流の製品が用意されています。 主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正(PFC)、スイッチモード電源(SMPS)などがあります。. 特長. 低性能指数(FOM): RDS(on) x Qg 低入力静電容量(Ciss) 低オン抵抗(RDS(on)) 超低ゲート電荷(Qg) 高速スイッチング スイッチング損失及び導電損失を低減

検出スペクトル = 赤外線， 可視光。標準降下時間 = 2.3μs。標準上昇時間 = 2μs。チャンネル数 = 1。最大光電流 = 15000μA。最大暗電流 = 200nA。半値幅感度角度 = 40 °。極性 = NPN。ピン数 = 2。実装タイプ = スルーホール実装。パッケージタイプ = 5 mm (T-1 3/4)。寸法 = 5.75 x 5.75 x 8.6mm。コレクター電流 = 50mA。感度スペクトルレンジ = 450 → 1080 nmnm。高さ = 8.6mm。BPW96B / BPW96Cシリーズフォトトランジスタ. Vishay SemiconductorsのBPW96B / BPW96Cシリーズは、シリコンNPNフォトトランジスタファミリです。 このファミリは、透明プラスチックレンズ付きの5 mm (T-1 3/4)スルーホールパッケージに収容されています。 これにより、BPW96B / BPW96Cフォトトランジスタで可視光線と近赤外線の放射を感知することができます。 これらのトランジスタに適した用途には、電子制御の検出器、駆動回路などがあります。. BPW96B / BPW96Cフォトトランジスタの特長: 5 mm (T-1 3/4)パッケージ スルーホール取り付け 透明のプラスチックパッケージ 高感光性 高い放射感度 高速な応答時間

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 38.9V。最小ブレークダウン電圧 = 26.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 24V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 15.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.24mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

検出スペクトル = 赤外線。標準降下時間 = 2.3μs。標準上昇時間 = 2μs。チャンネル数 = 1。最大光電流 = 7000μA。最大暗電流 = 200nA。半値幅感度角度 = 30°。極性 = NPN。ピン数 = 2。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = サブミニチュア。寸法 = 2.5 x 2 x 2.7mm。コレクター電流 = 50mA。感度スペクトルレンジ = 730 → 1000 nmnm。幅 = 2mm。TEMT1000シリーズフォトトランジスタ. Vishay SemiconductorのこのファミリのシリコンNPNフォトトランジスタは、表面実装(SMD)サブミニチュアパッケージ入りです。 黒色のプラスチックパッケージ入りで、ガルウィング(GW)、リバースガルウィング(RGW)、ヨーク、アキシャルなど、様々なリードタイプを用意しています。 この黒色のハウジングは、TEMT1000フォトトランジスタの昼光遮断フィルタとして機能します。 このフォトトランジスタに適した用途には、エンコーダ、カウンタ、フォトインタラプタ、昼光用途の赤外線検出器、及び電気コントロールや駆動回路の検出器としての使用などがあります。. TEMT1000シリーズの特長: TEMT1000、TEMT1020、TEMT1030、TEMT1040 サブミニチュアパッケージ 表面実装(SMD) 黒色プラスチック製ハウジング 各種リードタイプ 高い放射感度 高速な応答時間 半輝度角度: 15 °

検出スペクトル = 可視光。チャンネル数 = 1。最大光電流 = 39μA。最大暗電流 = 50nA。半値幅感度角度 = 120 °。極性 = NPN。ピン数 = 2。実装タイプ = 表面実装。寸法 = 2 x 1.25 x 0.85mm。コレクター電流 = 20mA。感度スペクトルレンジ = 450 → 610 nmnm。幅 = 1.25mm。TEMT6200シリーズ周辺光センサ. TEMT6200周辺光センサの特長: 0805フットプリント 寸法: 2 x 1.25 x 0.85 mm 高感光性 近赤外線放射用の抑制フィルタ 半輝度角度: 60 °. Vishay SemiconductorのTEMT6200シリーズは周辺光センサのファミリです。 NPNエピタキシャル平面フォトトランジスタと透明なパッケージから構成されています。 TEMT6200は、標準の0805フットプリントの表面実装(SMD)パッケージ入りです。 このデバイスは、人間の目と同様に可視光を感知します。 TEMT6200に適した用途には、車載センサや携帯電話 / ノートブック / タブレット / カメラ / ダッシュボードのディスプレイバックライトコントロールなどがあります。

検出スペクトル = 可視光。チャンネル数 = 1。最大光電流 = 50μA。最大暗電流 = 50nA。半値幅感度角度 = ±60 °。ピン数 = 3。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = 1206。寸法 = 4 x 2 x 1.05mm。コレクター電流 = 20mA。感度スペクトルレンジ = 440 → 800 nmnm。幅 = 2mm。TEMT6000シリーズ周辺光センサ. Vishay SemiconductorsのTEMT6000シリーズの周辺光センサファミリです。NPNエピタキシャル平面フォトトランジスタと透明なパッケージで構成されています。このコンパクトな表面実装(SMD)パッケージは、標準の1206フットプリントとなっています。TEMT6000は、可視光の影響を受けやすく、人間の眼の応答性に匹敵する製品です。TEMT6000周辺光センサに適した用途には、自動車、携帯電話、ノートブック、カメラ、ダッシュボードなどがあります。. TEMT6000周辺光センサの特長: 1206フットプリント 寸法: 4 x 2 x 1.05 mm 高感光性 ピーク感度: 570 nm 半輝度角度: 60 °

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = AC。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5.3 kVrms。シリーズ = H11A。オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.55V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 30 mA。絶縁電圧 = 4000 V ac。最大電流変換率 = 120%。最小電流伝送率 = 100%。シリーズ = ILD。オプトカプラ、トランジスタ出力、IL、ILD、ILQシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.6V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = SOP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。最大電流変換率 = 125%。標準降下時間 = 4.7μs。シリーズ = TCLT。オプトカプラ、トランジスタ出力、TCLTシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 4 kVrms。最大電流変換率 = 200%。最小電流伝送率 = 100%。シリーズ = IL207。オプトカプラ、トランジスタ出力、IL、ILD、ILQシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.65V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5300 V ac。最大電流変換率 = 200%。標準降下時間 = 14μs。シリーズ = CNY。オプトカプラ、トランジスタ出力、CNYシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.6V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。最大電流変換率 = 200%。標準降下時間 = 3.7μs。シリーズ = CNY。オプトカプラ、トランジスタ出力、CNYシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.3V。チャンネル数 = 4。ピン数 = 16。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 2.8μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5300 V ac。最大電流変換率 = 600%。標準降下時間 = 11μs。シリーズ = ILQ。オプトカプラ、トランジスタ出力、IL、ILD、ILQシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.55V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3μs。絶縁電圧 = 4 kVrms。最大電流変換率 = 80%。標準降下時間 = 4.7μs。シリーズ = ILD。特殊機能 = 二波長、ベイパーフェーズ及びIRリフローはんだ付けとの互換性あり。オプトカプラ、トランジスタ出力、IL、ILD、ILQシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = AC。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 5300 V ac。最大電流変換率 = 320%。最小電流伝送率 = 100%。シリーズ = SFH。オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.65V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = SMD。入力電流タイプ = AC。標準上昇時間 = 2μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5300 V ac。最大電流変換率 = 200%。標準降下時間 = 2μs。シリーズ = SFH。オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5.3 kVrms。最大電流変換率 = 50%。標準降下時間 = 3μs。シリーズ = H11A。オプトカプラ、トランジスタ出力、H11シリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = SSOP。入力電流タイプ = AC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 3750 Vrms。最大電流変換率 = 600%。標準降下時間 = 3μs。シリーズ = VOS。オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.3V。チャンネル数 = 4。ピン数 = 16。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 2.8μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5300 V ac。最大電流変換率 = 600%。標準降下時間 = 11μs。シリーズ = ILQ。オプトカプラ、トランジスタ出力、IL、ILD、ILQシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.65V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。最大電流変換率 = 200%。標準降下時間 = 14μs。シリーズ = CNY。オプトカプラ、トランジスタ出力、CNYシリーズ、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = SMA。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2。Vishay Semiconductor 高速回復整流器 1A. 業界標準のパッケージに収められ、汎用で高効率の高速リカバリダイオードです。. 高さ 1 mm の低プロファイルです アバランシェ整流器

検出スペクトル = 可視光。チャンネル数 = 1。最大光電流 = 200μA。最大暗電流 = 50nA。半値幅感度角度 = 60 °。ピン数 = 2。実装タイプ = スルーホール実装。パッケージタイプ = 3 mm (T-1)。寸法 = 3.2 x 3.2 x 4.5mm。コレクター電流 = 20mA。感度スペクトルレンジ = 440 → 800 nmnm。幅 = 3.2mm。TEPTシリーズ周囲光フォトトランジスタ. Vishay SemiconductorのTEPTシリーズは周囲光センサのファミリです。この製品には、3 mm (T-1)又は5 mm (T-1 3/4)のいずれかのスルーホールパッケージを用意しています。これらのNPNエピタキシャル平面フォトトランジスタは、透明なプラスチック製パッケージに収納されており、人間の目と同様に可視光を感知します。 TEPTシリーズに適した用途には、周囲光センサや交換用のCdSフォトレジスタがあります。

検出スペクトル = 赤外線。標準降下時間 = 5μs。標準上昇時間 = 6μs。チャンネル数 = 1。最大光電流 = 9000μA。最大暗電流 = 50nA。半値幅感度角度 = 30 °。極性 = NPN。ピン数 = 2。実装タイプ = スルーホール実装。パッケージタイプ = 5 mm (T-1 3/4)。寸法 = 5.75 x 5.75 x 8.6mm。コレクター電流 = 50mA。感度スペクトルレンジ = 900 → 980 nmnm。幅 = 5.75mm。BPV11シリーズフォトトランジスタ. Vishay Semiconductor BPV11シリーズのシリコンNPNフォトトランジスタファミリです。この製品は、透明又は黒色のプラスチック製5 mm (T-1 3/4)標準パッケージに収納されています。黒色パッケージには、周囲の可視光向けの昼光遮断フィルタが付いています。BPV11シリーズは、産業用の電子回路、測定、制御用の検出器として使用するのに適しています。. BPV11フォトトランジスタの特長: 5 mm (T-1 3/4)パッケージ スルーホール取り付け 3ピン 高い放射感度 高速な応答時間 半輝度角度: 30° 動作温度範囲: -40 → +100 ℃