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Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。インダクタンスは 0.47 uH で、パッケージタイプは 3232 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路コンポーネントであるため、外部電源が必要です。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz ～

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。この製品は 68 uH インダクタンスで、パッケージタイプは 4040 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MH

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。インダクタンスは 4.7 uH で、パッケージタイプは 2525 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路コンポーネントです。つまり、外部電源が必要です。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz ～

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。インダクタンスは 3.3 uH、パッケージタイプは 3232 です。電子フィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路コンポーネントであるため、外部電源が必要です。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz ～ 2

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。インダクタンスは 10 uH、パッケージタイプは 3232 です。 E-field シールド付き高電流インダクタは受動回路コンポーネントです。つまり、外部電源が必要です。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz ～ 2 MHz

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。この製品は 6.8 uH インダクタンスとパッケージタイプが 4040 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。この製品は 10 uH インダクタンスとパッケージタイプが 4040 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。インダクタンスは5.6uHで、パッケージタイプは2525です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路部品なので、外部電源が必要です。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。インダクタンスは 10 uH、パッケージタイプは 2525 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路部品なので、外部電源が必要です。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz ～ 2 MHz のフィルタイ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。インダクタンスは0.68uHで、パッケージタイプは2525です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路部品なので、外部電源が必要です。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。インダクタンスが1.0uHで、パッケージタイプが2525です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路部品なので、外部電源が必要です。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。インダクタンスは 4.7 uH で、パッケージタイプは 3232 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路コンポーネントです。つまり、外部電源が必要です。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz ～

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。2.2uHのインダクタンスとパッケージタイプが4040です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。この製品は、15uHインダクタンスとパッケージタイプが4040です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。インダクタンスは22uH、パッケージタイプは2525です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路部品なので、外部電源が必要です。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。インダクタンスは1.5uH、パッケージタイプは2525です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路部品なので、外部電源が必要です。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。この製品は、47 uH のインダクタンスとパッケージタイプが 4040 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 M

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。1.0 uH のインダクタンスとパッケージタイプは 4040 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz ～ 2 MHz

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。インダクタンスは15μH、パッケージタイプは2525です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路部品なので、外部電源が必要です。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。インダクタンスは0.82uHで、パッケージタイプは2525です。E-fieldシールド付き高電流インダクタは受動回路部品なので、外部電源が必要です。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。インダクタンスは5.6uHで、パッケージタイプは3232です。E-fieldシールド付き高電流インダクタは受動回路コンポーネントです。つまり、外部電源が必要です。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。この製品は33uHのインダクタンスを備えていて、パッケージタイプは4040です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。この製品は3.3uHインダクタンスとパッケージタイプが4040です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。22uHのインダクタンスとパッケージタイプが4040です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

静電容量 = 5μF電圧 = 1.25kV dc許容差 = ±5%シリーズ = MKP386Mリード間隔 = 43mm長さ = 58mm奥行き = 35mm等価直列抵抗 = 2.5mΩ寸法 = 58 x 35 x 50mm温度特性 = ポリプロピレン末端仕様 = ねじ取り付け動作温度 Min = -50℃MKP386Mシリーズ. 低クランプ電圧と電流リンギングによりEMIを低減 高パルス強度(dV/dtは最大2500 V/μs) 低インダクタンス構造(低ESL) 低ESR IGBTモジュールへの直接取り付け用 用途: 光電及び風力インバータ、モータドライブ、周波数コンバータなど

検出スペクトル = 可視光ピーク感度波長 = 565nmパッケージタイプ = TO-5実装タイプ = スルーホール実装ピン数 = 2ダイオード材質 = Si最小検出波長 = 420nm最大検出波長 = 675nm長さ = 9.1mm幅 = 9.1mm高さ = 3.1mm極性 = 順方向BPW20 / BPW21シリーズフォトダイオード. Vishay Semiconductor製BPW20 / BPW21シリーズのシリコンフォトダイオードは、標準のTO-5パッケージに収納されています。ハーメチックシール構造のパッケージのBPW20 / BPW21は高精度のリニア用途に最適です。BPW20 / BPW21フォトダイオードに適した用途には、カメラ、光度計、カラーアナライザ、露出計の光測定用センサ、その他の一般的な医療 / 産業向けの測定 / 制御などがあります。. BPW20 / BPW21フォトダイオードの特長: フラットガラスレンズの付いたTO-5パッケージ 直径: 8.13 mm 放射検出面積: 7.5 mm2 高感光性 半輝度角度: 50 ° 低暗電流 高直線性

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-204AL最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 400Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 50ns直径 = 2.7mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

ピーク平均順方向電流 = 35Aピーク逆繰返し電圧 = 1000V実装タイプ = スクリュー マウントパッケージタイプ = GBPCピン数 = 4ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 400A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 5μA寸法 = 28.8 x 28.8 x 7.62mm高さ = 7.62mmUL E54214. Vishay Semiconductor GBPC35シリーズ プッシュオン端子付きブリッジ整流器. 高電流：35 A 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ ガラス不動態化チップジャンクション 低熱抵抗

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201AD最大連続 順方向電流 = 3Aピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 500mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア直径 = 5.3mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 80A高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.65Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = AC標準上昇時間 = 2μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 5300 V ac最大電流変換率 = 320%標準降下時間 = 2μsシリーズ = SFHオプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-204AL最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 50ns直径 = 2.7mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。