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Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。インダクタンスは 0.47 uH で、パッケージタイプは 3232 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路コンポーネントであるため、外部電源が必要です。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz ～

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。この製品は 68 uH インダクタンスで、パッケージタイプは 4040 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MH

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。インダクタンスは 4.7 uH で、パッケージタイプは 2525 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路コンポーネントです。つまり、外部電源が必要です。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz ～

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。インダクタンスは 3.3 uH、パッケージタイプは 3232 です。電子フィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路コンポーネントであるため、外部電源が必要です。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz ～ 2

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。インダクタンスは 10 uH、パッケージタイプは 3232 です。 E-field シールド付き高電流インダクタは受動回路コンポーネントです。つまり、外部電源が必要です。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz ～ 2 MHz

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。この製品は 6.8 uH インダクタンスとパッケージタイプが 4040 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。この製品は 10 uH インダクタンスとパッケージタイプが 4040 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。インダクタンスは 10 uH、パッケージタイプは 2525 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路部品なので、外部電源が必要です。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz ～ 2 MHz のフィルタイ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。インダクタンスは5.6uHで、パッケージタイプは2525です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路部品なので、外部電源が必要です。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。インダクタンスは0.68uHで、パッケージタイプは2525です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路部品なので、外部電源が必要です。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。インダクタンスが1.0uHで、パッケージタイプが2525です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路部品なので、外部電源が必要です。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。インダクタンスは 4.7 uH で、パッケージタイプは 3232 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路コンポーネントです。つまり、外部電源が必要です。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz ～

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。2.2uHのインダクタンスとパッケージタイプが4040です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。この製品は、15uHインダクタンスとパッケージタイプが4040です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。インダクタンスは22uH、パッケージタイプは2525です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路部品なので、外部電源が必要です。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。インダクタンスは1.5uH、パッケージタイプは2525です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路部品なので、外部電源が必要です。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。この製品は、47 uH のインダクタンスとパッケージタイプが 4040 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 M

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。1.0 uH のインダクタンスとパッケージタイプは 4040 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz ～ 2 MHz

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。インダクタンスは15μH、パッケージタイプは2525です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路部品なので、外部電源が必要です。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。インダクタンスは0.82uHで、パッケージタイプは2525です。E-fieldシールド付き高電流インダクタは受動回路部品なので、外部電源が必要です。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。インダクタンスは5.6uHで、パッケージタイプは3232です。E-fieldシールド付き高電流インダクタは受動回路コンポーネントです。つまり、外部電源が必要です。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。この製品は33uHのインダクタンスを備えていて、パッケージタイプは4040です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。この製品は3.3uHインダクタンスとパッケージタイプが4040です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。22uHのインダクタンスとパッケージタイプが4040です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

静電容量 = 5μF。電圧 = 1.25kV dc。許容差 = ±5%。シリーズ = MKP386M。リード間隔 = 43mm。長さ = 58mm。奥行き = 35mm。等価直列抵抗 = 2.5mΩ。寸法 = 58 x 35 x 50mm。温度特性 = ポリプロピレン。末端仕様 = ねじ取り付け。動作温度 Min = -50℃。MKP386Mシリーズ. 低クランプ電圧と電流リンギングによりEMIを低減 高パルス強度(dV/dtは最大2500 V/μs) 低インダクタンス構造(低ESL) 低ESR IGBTモジュールへの直接取り付け用 用途: 光電及び風力インバータ、モータドライブ、周波数コンバータなど

キャリアー周波数 = 38kHz。最大伝送距離 = 45m。ピーク感度波長 = 950nm。出力電流 = 5mA。ピン数 = 3。実装タイプ = スルーホール実装。寸法 = 5 x 4.8 x 6.95mm。高さ = 6.95mm。長さ = 5mm。最大供給電圧 = 5.5V。最小供給電圧 = 2.5V。動作温度 Max = +85 ℃mm。IRリモコンレシーバ、スルーホールパッケージ、Vishay Semiconductor. Vishay製のIRレシーバは、リモコン及び赤外線通信用途、赤外線コード学習機能 / リピータ、赤外線ライトバリア、赤外線近接センサに使用されます。 赤外線レシーバは、840 → 960 nmの波長範囲で動作します。. 高感度で長い伝送範囲 30 → 56 KHz(最大)キャリア周波数

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-204AL。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。直径 = 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

検出スペクトル = 赤外線， 可視光。標準降下時間 = 2.3μs。標準上昇時間 = 2μs。チャンネル数 = 1。最大暗電流 = 200nA。半値幅感度角度 = 50 °。極性 = NPN。ピン数 = 2。実装タイプ = スルーホール実装。パッケージタイプ = 3 mm (T-1)。寸法 = 3.4 x 3.4 x 4.5mm。コレクター電流 = 50mA。感度スペクトルレンジ = 450 → 1080 nmnm。幅 = 3.4mm。BPW85シリーズフォトトランジスタ. Vishay Semiconductor BPW85シリーズのシリコンNPNフォトトランジスタファミリです。 これらはクリアレンズ付きの標準3 mm (T-1)プラスチックパッケージで提供されます。 BPW85及びIR フォトトランジスタは、可視光及び赤外線の放射を感知します。 BPW85シリーズには、BPW85、BPW85A、BPW85B、及びBPW85Cが含まれ、電子制御及び駆動回路用途の検出器に最適です。. BPW85フォトトランジスタの特長: 3 mm (T-1)パッケージ スルーホール取り付け 高感光性 高い放射感度 高速な応答時間 半輝度角度: 25 ° 動作温度範囲: -40 → +100 ℃

検出スペクトル = 可視光。ピーク感度波長 = 565nm。パッケージタイプ = TO-5。実装タイプ = スルーホール実装。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 420nm。最大検出波長 = 675nm。長さ = 9.1mm。幅 = 9.1mm。高さ = 3.1mm。極性 = 順方向。BPW20 / BPW21シリーズフォトダイオード. Vishay Semiconductor製BPW20 / BPW21シリーズのシリコンフォトダイオードは、標準のTO-5パッケージに収納されています。ハーメチックシール構造のパッケージのBPW20 / BPW21は高精度のリニア用途に最適です。BPW20 / BPW21フォトダイオードに適した用途には、カメラ、光度計、カラーアナライザ、露出計の光測定用センサ、その他の一般的な医療 / 産業向けの測定 / 制御などがあります。. BPW20 / BPW21フォトダイオードの特長: フラットガラスレンズの付いたTO-5パッケージ 直径: 8.13 mm 放射検出面積: 7.5 mm2 高感光性 半輝度角度: 50 ° 低暗電流 高直線性

ピーク平均順方向電流 = 35A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。実装タイプ = スクリュー マウント。パッケージタイプ = GBPC。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 400A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。寸法 = 28.8 x 28.8 x 7.62mm。高さ = 7.62mm。UL E54214. Vishay Semiconductor GBPC35シリーズ プッシュオン端子付きブリッジ整流器. 高電流：35 A 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ ガラス不動態化チップジャンクション 低熱抵抗

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-201AD。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 500mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。直径 = 5.3mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 80A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

ピーク波長 = 940nm。パッケージタイプ = 3 mm (T-1)。放射束 = 35mW。放射強度 = 80mW/sr。実装タイプ = スルーホール実装。LED数 = 1。ピン数 = 2。寸法 = 3mm。レンズ形状 = 砲弾型。LED材質 = GaAlAs。Vishay TSALシリーズ赤外線発光ダイオード. Vishay SemiconductorsのTSALファミリは、スルーホール赤外線(IR)発光ダイオードで構成されています。 3 mm (T-1)又は5 mm (T-1 3/4)パッケージの製品が用意されています。 この高出力赤外線発光ダイオードにより、高放射強度の高放射出力が得られます。 TSALファミリは、赤外線リモートコントロールユニット、空気伝送システム、煙感知器の赤外線光源、光学式カウンタやカードリーダーの赤外線光源などの用途に適しています。. パッケージタイプ：リード付き パッケージ形式： T-1 寸法( mm 単位)： O 5 Peak Wavelength ： λ p = 940 nm 高信頼性 高放射出力 高放射強度 半輝度の角度：冷間距離 = ± 17 ° 低順方向電圧 高パルス電流動作に適しています Si 光検出器との良好なスペクトルマッチング. 用途. 高出力が要求される赤外線リモコン装置 自由な空気伝達システム 光学カウンタおよびカードリーダー用の赤外線ソース

ピーク平均順方向電流 = 800mA。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TO-269AA。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 4.95mm。幅 = 4.1mm。UL、E54214. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MBxSシリーズ、Vishay Semiconductor. 省スペースのSMTパッケージ 自動装着機に対応 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-204AL。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。直径 = 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。