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キャリアー周波数 = 38kHz。最大伝送距離 = 45m。ピーク感度波長 = 950nm。出力電流 = 5mA。ピン数 = 3。実装タイプ = スルーホール実装。寸法 = 5 x 4.8 x 6.95mm。高さ = 6.95mm。長さ = 5mm。最大供給電圧 = 5.5V。最小供給電圧 = 2.5V。動作温度 Max = +85 ℃mm。IRリモコンレシーバ、スルーホールパッケージ、Vishay Semiconductor. Vishay製のIRレシーバは、リモコン及び赤外線通信用途、赤外線コード学習機能 / リピータ、赤外線ライトバリア、赤外線近接センサに使用されます。 赤外線レシーバは、840 → 960 nmの波長範囲で動作します。. 高感度で長い伝送範囲 30 → 56 KHz(最大)キャリア周波数

検出スペクトル = 赤外線， 可視光。標準降下時間 = 2.3μs。標準上昇時間 = 2μs。チャンネル数 = 1。最大暗電流 = 200nA。半値幅感度角度 = 50 °。極性 = NPN。ピン数 = 2。実装タイプ = スルーホール実装。パッケージタイプ = 3 mm (T-1)。寸法 = 3.4 x 3.4 x 4.5mm。コレクター電流 = 50mA。感度スペクトルレンジ = 450 → 1080 nmnm。幅 = 3.4mm。BPW85シリーズフォトトランジスタ. Vishay Semiconductor BPW85シリーズのシリコンNPNフォトトランジスタファミリです。 これらはクリアレンズ付きの標準3 mm (T-1)プラスチックパッケージで提供されます。 BPW85及びIR フォトトランジスタは、可視光及び赤外線の放射を感知します。 BPW85シリーズには、BPW85、BPW85A、BPW85B、及びBPW85Cが含まれ、電子制御及び駆動回路用途の検出器に最適です。. BPW85フォトトランジスタの特長: 3 mm (T-1)パッケージ スルーホール取り付け 高感光性 高い放射感度 高速な応答時間 半輝度角度: 25 ° 動作温度範囲: -40 → +100 ℃

ピーク平均順方向電流 = 35A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。実装タイプ = スクリュー マウント。パッケージタイプ = GBPC。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 400A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。寸法 = 28.8 x 28.8 x 7.62mm。高さ = 7.62mm。UL E54214. Vishay Semiconductor GBPC35シリーズ プッシュオン端子付きブリッジ整流器. 高電流：35 A 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ ガラス不動態化チップジャンクション 低熱抵抗

ピーク平均順方向電流 = 800mA。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TO-269AA。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 4.95mm。幅 = 4.1mm。UL、E54214. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MBxSシリーズ、Vishay Semiconductor. 省スペースのSMTパッケージ 自動装着機に対応 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適

最大負荷電流 = 0.25 A。取り付けタイプ = 基板実装。最大負荷電圧 = 350 V。最大電圧制御 = 1.5 V。ターミナルタイプ = 表面実装。出力装置 = MOSFET。定格電圧範囲 = 350V ac。寸法 = 8.7 x 6.5 x 3.81mm。奥行き = 6.5mm。オプトカプラ、ソリッドステートリレー(フォトMOSFET)、Vishay Semiconductor

ピーク平均順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = D 46。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 55A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -40 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 10μA。寸法 = 16.7 x 16.7 x 6.35mm。高さ = 6.35mm。基板実装用ブリッジ整流器、VS-KBPC1シリーズ、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)実装又はシャーシ取り付けに最適 コンパクトな構造 ワイヤリード構造

センサータイプ = 実際の人間の眼の反応に近い周辺光のスペクトラム感度。ピーク波長 = 650 nm。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = OPLGA。ピン数 = 4。寸法 = 2 x 1.25 x 1mm。高さ = 1mm。インターフェース = I2C。長さ = 2mm。動作供給電圧 Max = 3.6 V。動作温度 Max = +85 ℃。動作供給電圧 Min = 2.5 Vmm。Vishay Semiconductor VEML6040 、カラーセンサ(赤、緑、青、白. VEML6040カラーセンサは、赤(R)、緑(G)、青(B)、白(W)の光を感知し、フォトダイオード、アンプ、アナログ / デジタル回路をCMOSプロセスを使用したシングルチップに内蔵しています。カラーセンサを使用すると、エンドユーザーの目により快適に見えるように、バックライトの明るさと色温度を周囲の光源に合わせて調整できます。VEML6040は、FiltronTM技術を採用することにより、実際の人間の目の反応性に最も近い周辺光のスペクトル感度を実現します。VEML6040は、温度変化時に出力を安定化させるための優れた温度補償機能を備えています。VEML6040 の機能は、 I2C ( SMBus 互換)インターフェイスプロトコルのシンプルなコマンド形式を介して簡単に動作します。VEML6040 の動作電圧範囲は、 2.5 V ～ 3.6 V ですVEML6040 は、市場で最高の信頼性を実現した、鉛( Pb )フリーの 4 ピン OPLGA パッケージに収められています。. パッケージタイプ：表面実装 寸法( L ；font face="symbol">；´ ；/font>； W ；font face="symbol">；´ ；/font>； H ；font face="symbol">；´ ；/font>； mm )： 2.0 ；font face="symbol">；´ ；/font>； 1.25 ；font face="symbol">；´ ；/font>； 1.0 内蔵モジュール：カラーセンサ( RGBW )及び信号処理 IC FiltronTM 技術では、実際の人間の目の反応性に一致するスペクトルを提供します 低透過率(ダーク)レンズ設計をサポート 蛍光灯の点滅耐性 チャネルごとに 16 ビットの分解能を提供 (R， G， B， W) 最大検出範囲 (515.4 、 1031 、 2062 、 4124 、 8248 、または 16496) ルクス ( 最高感度 0.007865 lux / ステップ ) を選択可能 パッケージ： OPLGA 温度補償： -40 ℃ ～ +85 ℃ 低消費電力 I2C ( SMBus 互換)インターフェイス フロア寿命： 168 時間、 MSL 3 、 J-STD-020 準拠 出力タイプ： I2C バス 動作電圧： 2.5 V ～ 3.6 V. 用途. ハンドヘルドデバイス ノートブック コンシューマデバイス 産業及び機械用途

検出スペクトル = 赤外線， 可視光。ピーク感度波長 = 940nm。パッケージタイプ = GW。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 430nm。最大検出波長 = 1100nm。長さ = 4.4mm。幅 = 3.9mm。高さ = 1.2mm。VBPW34シリーズPINフォトダイオード. Vishay SemiconductorのVBPW34S及びVBPW34SRシリーズは、シリコンPINフォトダイオードのファミリです。 高速と高感度を実現します。 VBPW34Sデバイス及びVBPW34SRデバイスは、7.5 mm2チップを含む表面実装(SMD)パッケージ入りです。 このPINフォトダイオードは、可視光線と近赤外線の放射を感知します。. VBPW34S / VBPW34SR PINフォトダイオードの特長: SMDパッケージ リードタイプ: ガルウィング(GW)及びリバースガルウィング(RGW) 寸法: 6.4 x 3.9 x 1.2 mm 高速な応答時間

ピーク波長 = 870nm。パッケージタイプ = 3 mm (T-1)。放射束 = 55mW。放射強度 = 600mW/sr。実装タイプ = スルーホール実装。指向半値角 = ±18°。LED数 = 1。ピン数 = 2。寸法 = 3mm。レンズ形状 = 砲弾型。LED材質 = GaAlAs。Vishay VSLY3850シリーズ赤外線発光ダイオード. Vishay SemiconductorsのVSLY3850赤外線(IR)発光ダイオードは、標準のT-1 (3 mm)パッケージに収納されています。 無色透明のプラスチック製パッケージを備えています。 VSLY3850赤外線LEDに適した用途には、CMOSカメラの赤外線照射源、高速赤外線データ転送、3D TV用途、そしてライトカーテンが含まれます。. VSLY3850赤外線発光ダイオードの特長: T-1 (3 mm)パッケージ スルーホール取り付け ピーク波長: 850 nm 高速 高出力及び高輝度 ビーム角度: 36 °

ピーク平均順方向電流 = 3.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GSIB-5S。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 300A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 950mV。ピーク逆電流 = 10μA。長さ = 30mm。幅 = 4.6mm。ULファイル番号E54214. SIL基板実装、GSIB-5シリーズ、Vishay Semiconductor. GSIB-5シリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 薄型シングルインラインGSIB-5パッケージ ガラス不動態化チップジャンクション 耐高サージ電流 2500 Vrmsの高い絶縁耐性ケース 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン

LED色 = 黄。パッケージタイプ = 1608 (0603)。実装タイプ = 表面実装。LED数 = 1。順方向電圧 = 2.4 V。光度 = 180 mcd。ピン数 = 2。ビュー角 = 130 °。レンズ形状 = 長方形。主波長 = 597 nm。寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm。Vishay VLMx1300シリーズLED. Vishay SemiconductorのVLMx1300シリーズは、高輝度0603チップLEDです。 このチップLEDファミリは、設計の柔軟性を考慮したコンパクトな表面実装(SMT)パッケージ設計になっています。 VLMx1300は、小型パッケージでより高い性能を発揮します。 この0603チップLEDは、厳しい環境でも高輝度と高い信頼性を確保する必要のある製品に最適です。 VLMx1300チップLEDに適した用途には、バックライト付きキーパッド、ナビゲーションシステム、携帯電話ディスプレイ、産業用制御システムディスプレイ、小型カラーエフェクト、交通情報ディスプレイなどがあります。. VLMx1300チップLEDの特長: - 薄型チップLEDパッケージ: 1.6 x 0.8 x 0.8 mm - 高輝度 - AllnGaP / InGaN技術 - 広い視野角: 130 °

LED色 = 青。パッケージタイプ = 1608 (0603)。実装タイプ = 表面実装。LED数 = 1。順方向電圧 = 3.8 V。光度 = 180 mcd。ピン数 = 2。ビュー角 = 130 °。レンズ形状 = 長方形。主波長 = 475 nm。寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm。Vishay VLMx1300シリーズLED. Vishay SemiconductorのVLMx1300シリーズは、高輝度0603チップLEDです。 このチップLEDファミリは、設計の柔軟性を考慮したコンパクトな表面実装(SMT)パッケージ設計になっています。 VLMx1300は、小型パッケージでより高い性能を発揮します。 この0603チップLEDは、厳しい環境でも高輝度と高い信頼性を確保する必要のある製品に最適です。 VLMx1300チップLEDに適した用途には、バックライト付きキーパッド、ナビゲーションシステム、携帯電話ディスプレイ、産業用制御システムディスプレイ、小型カラーエフェクト、交通情報ディスプレイなどがあります。. VLMx1300チップLEDの特長: - 薄型チップLEDパッケージ: 1.6 x 0.8 x 0.8 mm - 高輝度 - AllnGaP / InGaN技術 - 広い視野角: 130 °

定格平均オン電流 = 50A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TO-65。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 1490A。実装タイプ = ねじ取り付け。最大ゲートトリガー電流 = 100mA。最大ゲートトリガー電圧 = 2.5V。最大保持電流 = 200mA。ピン数 = 2。寸法 = 19.2 x 17.35 x 42.5mm。繰返しピークオフステート電流 = 15mA。Vishay Semiconductor 位相制御サイリスタ

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.2 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 43 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

検出スペクトル = 赤外線。ピーク感度波長 = 950nm。パッケージタイプ = GW。増幅機能 = なし。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 780nm。最大検出波長 = 1050nm。長さ = 4.4mm。幅 = 3.9mm。高さ = 1.2mm。VBPW34シリーズPINフォトダイオード. Vishay SemiconductorのVBPW34シリーズは、表面実装(SMD)シリコンPINフォトダイオードのファミリです。 ガルウィング又はリバースガルウィングのリードタイプがあります。 VBPW34シリーズは、高速赤外線検出器、赤外線リモート制御、空間データ伝送システム用途などに最適です。. VBPW34 PINフォトダイオードの特長: 表面実装(SMD)黒色パッケージ GW又はRGWリード 寸法: 6.4 x 3.9 x 1.2 mm 放射検出面積: 7.5 mm2 高い放射感度 高速な応答時間 半輝度角度: 65°

検出スペクトル = 赤外線， 可視光。標準降下時間 = 2.3μs。標準上昇時間 = 2μs。チャンネル数 = 1。最大光電流 = 15000μA。最大暗電流 = 200nA。半値幅感度角度 = 40 °。極性 = NPN。ピン数 = 2。実装タイプ = スルーホール実装。パッケージタイプ = 5 mm (T-1 3/4)。寸法 = 5.75 x 5.75 x 8.6mm。コレクター電流 = 50mA。感度スペクトルレンジ = 450 → 1080 nmnm。高さ = 8.6mm。BPW96B / BPW96Cシリーズフォトトランジスタ. Vishay SemiconductorsのBPW96B / BPW96Cシリーズは、シリコンNPNフォトトランジスタファミリです。 このファミリは、透明プラスチックレンズ付きの5 mm (T-1 3/4)スルーホールパッケージに収容されています。 これにより、BPW96B / BPW96Cフォトトランジスタで可視光線と近赤外線の放射を感知することができます。 これらのトランジスタに適した用途には、電子制御の検出器、駆動回路などがあります。. BPW96B / BPW96Cフォトトランジスタの特長: 5 mm (T-1 3/4)パッケージ スルーホール取り付け 透明のプラスチックパッケージ 高感光性 高い放射感度 高速な応答時間

検出スペクトル = 可視光。チャンネル数 = 1。最大光電流 = 39μA。最大暗電流 = 50nA。半値幅感度角度 = 120 °。極性 = NPN。ピン数 = 2。実装タイプ = 表面実装。寸法 = 2 x 1.25 x 0.85mm。コレクター電流 = 20mA。感度スペクトルレンジ = 450 → 610 nmnm。幅 = 1.25mm。TEMT6200シリーズ周辺光センサ. TEMT6200周辺光センサの特長: 0805フットプリント 寸法: 2 x 1.25 x 0.85 mm 高感光性 近赤外線放射用の抑制フィルタ 半輝度角度: 60 °. Vishay SemiconductorのTEMT6200シリーズは周辺光センサのファミリです。 NPNエピタキシャル平面フォトトランジスタと透明なパッケージから構成されています。 TEMT6200は、標準の0805フットプリントの表面実装(SMD)パッケージ入りです。 このデバイスは、人間の目と同様に可視光を感知します。 TEMT6200に適した用途には、車載センサや携帯電話 / ノートブック / タブレット / カメラ / ダッシュボードのディスプレイバックライトコントロールなどがあります。

検出スペクトル = 可視光。チャンネル数 = 1。最大光電流 = 50μA。最大暗電流 = 50nA。半値幅感度角度 = ±60 °。ピン数 = 3。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = 1206。寸法 = 4 x 2 x 1.05mm。コレクター電流 = 20mA。感度スペクトルレンジ = 440 → 800 nmnm。幅 = 2mm。TEMT6000シリーズ周辺光センサ. Vishay SemiconductorsのTEMT6000シリーズの周辺光センサファミリです。NPNエピタキシャル平面フォトトランジスタと透明なパッケージで構成されています。このコンパクトな表面実装(SMD)パッケージは、標準の1206フットプリントとなっています。TEMT6000は、可視光の影響を受けやすく、人間の眼の応答性に匹敵する製品です。TEMT6000周辺光センサに適した用途には、自動車、携帯電話、ノートブック、カメラ、ダッシュボードなどがあります。. TEMT6000周辺光センサの特長: 1206フットプリント 寸法: 4 x 2 x 1.05 mm 高感光性 ピーク感度: 570 nm 半輝度角度: 60 °

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-213AB。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 5.2mm。寸法 = 5.2 x 2.67mm。直径 = 2.67mm。Vishay Semiconductor 高速回復整流器 1A. 業界標準のパッケージに収められ、汎用で高効率の高速リカバリダイオードです。. 高さ 1 mm の低プロファイルです アバランシェ整流器

検出スペクトル = 赤外線， 紫外線， 可視光。ピーク感度波長 = 940nm。増幅機能 = なし。ピン数 = 4。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 350nm。最大検出波長 = 1100nm。標準降下時間 = 40ns。長さ = 5mm。幅 = 5mm。高さ = 1.12mm。標準上昇時間 = 40ns。TEMD5080シリーズPINフォトダイオード. Vishay SemiconductorsのTEMD5080シリーズは、青色光の感度を高めたPINフォトダイオードファミリです。透明エポキシの小型SMDパッケージに収容されています。このパッケージには、感知面積が7.7 mm2のチップが搭載されています。TEMD5080は、高速光検出器用途に最適です。. TEMD5080フォトダイオードの特長: 表面実装(SMD) 上方監視 寸法: 5 x 4.24 x 1.12 青色光の感度を向上 高速な応答時間

検出スペクトル = 赤外線， 可視光。ピーク感度波長 = 940nm。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 4。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 430nm。最大検出波長 = 1100nm。標準降下時間 = 100ns。長さ = 5mm。幅 = 4.24mm。高さ = 1.12mm。自動車規格 = AEC-Q101V。TEMD5010シリーズPINフォトダイオード. Vishay SemiconductorsのTEMD5010シリーズのシリコンPINフォトダイオードです。小型表面実装(SMD)パッケージに収容されており、感知面積が7.5 mm2のチップを搭載しています。TEMD5010は、可視光と近赤外線をどちらも検知します。高速光検出器用途に最適です。. TEMD5010フォトダイオードの特長: 表面実装(SMD) 上方監視 寸法: 5 x 4.24 x 1.12 高い放射感度 高感光性 高速な応答時間 半輝度角度: 65°

ダイオード構成 = シングルA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 400V。パッケージタイプ = SMA。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 4.5mm。幅 = 2.79mm。高さ = 2.09mm。寸法 = 4.5 x 2.79 x 2.09mm。Vishay Semiconductor 高速回復整流器 1A. 業界標準のパッケージに収められ、汎用で高効率の高速リカバリダイオードです。. 高さ 1 mm の低プロファイルです アバランシェ整流器

検出スペクトル = 赤外線。標準降下時間 = 2.3μs。標準上昇時間 = 2μs。チャンネル数 = 1。最大光電流 = 7000μA。最大暗電流 = 200nA。半値幅感度角度 = 30°。極性 = NPN。ピン数 = 2。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = サブミニチュア。寸法 = 2.5 x 2 x 2.7mm。コレクター電流 = 50mA。感度スペクトルレンジ = 730 → 1000 nmnm。幅 = 2mm。TEMT1000シリーズフォトトランジスタ. Vishay SemiconductorのこのファミリのシリコンNPNフォトトランジスタは、表面実装(SMD)サブミニチュアパッケージ入りです。 黒色のプラスチックパッケージ入りで、ガルウィング(GW)、リバースガルウィング(RGW)、ヨーク、アキシャルなど、様々なリードタイプを用意しています。 この黒色のハウジングは、TEMT1000フォトトランジスタの昼光遮断フィルタとして機能します。 このフォトトランジスタに適した用途には、エンコーダ、カウンタ、フォトインタラプタ、昼光用途の赤外線検出器、及び電気コントロールや駆動回路の検出器としての使用などがあります。. TEMT1000シリーズの特長: TEMT1000、TEMT1020、TEMT1030、TEMT1040 サブミニチュアパッケージ 表面実装(SMD) 黒色プラスチック製ハウジング 各種リードタイプ 高い放射感度 高速な応答時間 半輝度角度: 15 °

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 19.9V。最小ブレークダウン電圧 = 13.3V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = P600。最大逆スタンドオフ電圧 = 12V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 5000W。最大ピークパルス電流 = 251A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +175 ℃mm。幅 = 9.1mm。Vishay Semiconductor TRANSZORBR 過渡電圧サプレッサ アキシャル 単方向 5，000W. ガラス不動態化ジャンクションを備えた P600 パッケージ 優れたクランプ機能 高速な応答時間 低インクリメンタルサージ抵抗 車載規格 AEC-Q101 認定

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 38.9V。最小ブレークダウン電圧 = 26.7V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = P600。最大逆スタンドオフ電圧 = 24V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 5000W。最大ピークパルス電流 = 129A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 9.1 x 9.1 x 9.1mm。幅 = 9.1mm。Vishay Semiconductor TRANSZORBR 過渡電圧サプレッサ アキシャル 単方向 5，000W. ガラス不動態化ジャンクションを備えた P600 パッケージ 優れたクランプ機能 高速な応答時間 低インクリメンタルサージ抵抗 車載規格 AEC-Q101 認定

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 69.4V。最小ブレークダウン電圧 = 47.8V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = P600。最大逆スタンドオフ電圧 = 43V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 5000W。最大ピークパルス電流 = 72A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +175 ℃mm。直径 = 9.1mm。Vishay Semiconductor TRANSZORBR 過渡電圧サプレッサ アキシャル 単方向 5，000W. ガラス不動態化ジャンクションを備えた P600 パッケージ 優れたクランプ機能 高速な応答時間 低インクリメンタルサージ抵抗 車載規格 AEC-Q101 認定

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 19.2V。最小ブレークダウン電圧 = 9V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大逆スタンドオフ電圧 = 8V。ピン数 = 3。ピークパルスパワー消費 = 400W。最大ピークパルス電流 = 18A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 1.43mm。ESDプロテクタ、Vishay Semiconductor. IEC61000規格に準拠した静電気放電(ESD)保護

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-213AB。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 5.2mm。寸法 = 2.67 (Dia.) x 5.2mm。直径 = 2.67mm。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

ピーク平均順方向電流 = 35A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。実装タイプ = スクリュー マウント。パッケージタイプ = GBPC。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 400A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 28.8mm。高さ = 7.62mm。UL E54214. Vishay Semiconductor GBPC35シリーズ プッシュオン端子付きブリッジ整流器. 高電流：35 A 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ ガラス不動態化チップジャンクション 低熱抵抗

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 41 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 5 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-213AB。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。最大順方向降下電圧 = 1.25V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 5.2mm。寸法 = 2.67 (Dia.) x 5.2mm。直径 = 2.67mm。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2mV。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 4.57mm。幅 = 3.94mm。高さ = 2.24mm。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

定格平均オン電流 = 50A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TO-65。繰返しピーク逆方向電圧 = 400V。サージ電流レーティング = 1490A。実装タイプ = ねじ取り付け。最大ゲートトリガー電流 = 100mA。最大ゲートトリガー電圧 = 2.5V。最大保持電流 = 200mA。ピン数 = 2。寸法 = 19.2 x 17.35 x 42.5mm。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 400V。Vishay Semiconductor 位相制御サイリスタ

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 850 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大パワー消費 = 125 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。幅 = 4.7mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 2.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 50 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 22 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 230 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 277 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。幅 = 5.31mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.4 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 74 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 7.2 A、8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩ， 28 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V。最大パワー消費 = 3.1 W、3.2 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V、-16 V、+16 V、+20 V。長さ = 5mm。高さ = 1.55mm。デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 4.7 A、6.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 42.5 mΩ， 62 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 3 W、3.1 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

ピン数 = 16。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。寸法 = 10 x 4 x 1.55mm。動作温度 Min = -40 ℃。アナログスイッチ(デュアル)、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductor製のアナログスイッチ及びマルチプレクサは高性能で、幅広い用途に適しています。