「irf」の検索結果

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 36 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 2.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 50 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 5.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 800 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 50 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 5.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 540 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 43 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 125 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 14 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 160 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大パワー消費 = 88 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 50 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 28 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 150 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 67 nC @ 10 V。動作温度 Min = -55 ℃。NチャンネルMOSFET、60 → 90 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 43 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、60 → 90 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 50 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 14 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 V。パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 280 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 3.1 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 9.65mm。高さ = 4.83mm。NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.4 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 74 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 4.3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 1000 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 150 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 5.31mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 1.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 1000 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 11 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 54 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 1.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 54 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor