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静電容量 = 22pF。電圧 = 50V dc。実装タイプ = スルーホール。温度特性 = C0G。許容差 = ±5%。寸法 = 4 x 2.6 x 4mm。長さ = 4mm。奥行き = 2.6mm。高さ = 4mm。シリーズ = K。末端仕様 = ラジアル℃。Vishay Kシリーズ. Vishay Kシリーズ積層セラミックコンデンサは、両側に銀めっきが施されたセラミックディスクに、黄色の難燃性エポキシ樹脂がコーティングされています。 Kシリーズは、さまざまな静電容量や電圧のタイプを取り揃えた非常に信頼性の高いコンデンサです。幅広い用途に適しています。. 積層DCコンデンサ 小型 ラジアルリード

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 220kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 1W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = はんだラグ。シャフト長さ = 8.8mm。軸径 = 16 mm。許容差 = ±20%。ナット、ロックワッシャ、シーリングリング. Vishay P16 シリーズノブポテンショメータ. P16 は、パネル取り付けポテンショメータの画期的なコンセプトです。この独自の設計は、サーメットポテンショメータを採用しているノブ駆動方式で構成されています。パネルの背面に取り付け用の金具と端子のみがあり、必要な隙間を最小限に抑えられます。. CECC 41000 または IEC 60393-1 に従ってテストします P16 タイプは、業務用および産業用に適しています 用途(サーメット) 1 W @ 40 ° C コンパクト(内蔵) 高絶縁耐性： 2500 VRMS 完全密閉、パネルシール 金属製またはプラスチック製のノブオプション ご要望に応じてカスタムノブをご用意

抵抗 = 220kΩ。定格電力 = 3W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 金属皮膜。シリーズ = PR03。動作温度 Max = +155℃。動作温度 Min = -55℃。PR03シリーズ、3 W、アキシャル. Vishay PR03シリーズは高温向けの金属皮膜抵抗器で、高品位のセラミックボディを備えています。 この抵抗器は難燃性の高いラッカーでコーティングされていて、電気、機械、環境からの保護が可能です。. 鉛フリーはんだコンタクト 小型パッケージで高出力 高温定格 すべての汎用電力用途に最適

抵抗 220kΩ。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 0805 (2012M)。許容差 ±1%。定格電力 0.125W。温度係数 ±100ppm/℃。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。0805 CRCWシリーズ表面実装抵抗器 1 (ペーパーT/R) (10 kΩ 5.6 MΩ). VishayのCRCWシリーズは、表面実装(SMD)厚膜抵抗器で構成されています。これらのSMD抵抗器は、高品質セラミック製で、メタルグレーズが施されています。純スズはんだコンタクトでは、鉛含有はんだ又は鉛フリーはんだを使用できます。. 特長と利点:. 0805パッケージサイズ 抵抗値の範囲が0 → 10 MΩのモデルを用意 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(+70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) 広い動作温度範囲: -55 +155 許容差: ±1 %. 用途:. これらのSMD抵抗器は、電気通信機器、カメラ、コンピュータなど、さまざまな用途に適しています。 AEC-Q200認定済みで、車載用途にも適しています。

抵抗 = 220kΩ。定格電力 = 0.4W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 金属皮膜。シリーズ = SFR25。パッケージ/ケース = 0207。動作温度 Max = +155℃。動作温度 Min = -55℃。UTE RC 21U、RC 32、RC 30、RC 2T、LNZ 4404. SFR 25シリーズ金属皮膜抵抗器. VishayのSFR金属皮膜抵抗器は、は、オーディオ、IT、通信の分野で幅広く使用されます。 低ノイズ. 各種のΩ及びワット数を用意

抵抗 = 220kΩ。テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = MELF 0207.。許容差 = ±2%。定格電力 = 0.4W。自動車規格 = AEC-Q200。シリーズ = CMB。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。CMB 0207シリーズ. 高度なパルス負荷機能により、サージパルスからのシグナルや本線入力から回路を保護 高レベルの電磁波干渉や静電気放電にさらされる回路にも最適 用途は、自動車、通信、産業及び医療機器のあらゆる分野など

抵抗 = 220kΩ。定格電力 = 0.6W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 薄膜。シリーズ = MRS25。温度係数 = ±50ppm/℃。0.6W MRS25シリーズ(100 kΩ → 10 MΩ). 金属合金の均質フィルムは、高品位セラミックボディに溶着されています。らせん状の溝を抵抗層で切断した後、電解銅のスズめっき接続ワイヤをエンドキャップに溶接します。抵抗器は、電気、機械、及び耐候性を提供するラッカーでコーティングされています。4 個又は 5 個のカラーコードリングが、 IEC60062 に準拠した抵抗値と許容差を示します。MRS16 及び MRS25 に適した交換製品は、 MBA/SMA 0204 及び MBB/SMA 0207 業務用です。. 特長. - 技術 : 金属フィルム - 小型のプロフェッショナル抵抗器 - 低ノイズ. 用途. - すべての汎用アプリケーション

抵抗 = 220kΩ。テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = MELF 0204 ( MELF 0204 )。許容差 = ±0.1%。定格電力 = 0.07W。温度係数 = ±15ppm/K。自動車規格 = AEC-Q200。シリーズ = MMA。動作温度 Min = -10℃。動作温度 Max = +85℃。EN140401-803. MMA 0204精密MELF 0.1 %抵抗. アドバンスド薄膜テクノロジ 高い安定性: クラス0.05 幅広い精密範囲: 43 Ω → 220 kΩ 圧入スチールキャップ、すずめっきニッケルバリヤ ニッケルバリヤ層の純Sn終端処理 リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

静電容量 = 220nF。電圧 = 50V dc。実装タイプ = スルーホール。温度特性 = X7R。許容差 = ±10%。寸法 = 5 x 3.2 x 5mm。長さ = 5mm。奥行き = 3.2mm。高さ = 5mm。シリーズ = K。抑制クラス = Class 2℃。Vishay Kシリーズ. Vishay Kシリーズ積層セラミックコンデンサは、両側に銀めっきが施されたセラミックディスクに、黄色の難燃性エポキシ樹脂がコーティングされています。 Kシリーズは、さまざまな静電容量や電圧のタイプを取り揃えた非常に信頼性の高いコンデンサです。幅広い用途に適しています。. 積層DCコンデンサ 小型 ラジアルリード

抵抗 = 3kΩ。テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = MELF 0204 ( MELF 0204 )。許容差 = ±0.1%。定格電力 = 0.25W。温度係数 = ±15ppm/℃。シリーズ = MMA0204。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +175℃。EN140401-803. MMA 0204精密MELF 0.1 %抵抗. アドバンスド薄膜テクノロジ 高い安定性: クラス0.05 幅広い精密範囲: 43 Ω → 220 kΩ 圧入スチールキャップ、すずめっきニッケルバリヤ ニッケルバリヤ層の純Sn終端処理 リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 220μF。電圧 = 10V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 7343-31。等価直列抵抗 = 50mΩ。許容差 = ±10%。長さ = 7.3mm。奥行き = 4.3mm。高さ = 2.8mm。寸法 = 7.3 x 4.3 x 2.8mm。シリーズ = TR3。動作温度 Max = +125℃。許容差(プラス) = +10%。TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 220μF。電圧 = 10V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 7343-31。等価直列抵抗 = 100mΩ。許容差 = ±10%。長さ = 7.3mm。奥行き = 4.3mm。高さ = 2.8mm。寸法 = 7.3 x 4.3 x 2.8mm。シリーズ = TR3。動作温度 Max = +125℃。許容差(プラス) = +10%。TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

抵抗 = 10kΩ。テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = MELF 0204 ( MELF 0204 )。許容差 = ±0.1%。定格電力 = 0.07W。温度係数 = ±15ppm/K。自動車規格 = AEC-Q200。シリーズ = MMA。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。EN140401-803. MMA 0204精密MELF 0.1 %抵抗. アドバンスド薄膜テクノロジ 高い安定性: クラス0.05 幅広い精密範囲: 43 Ω → 220 kΩ 圧入スチールキャップ、すずめっきニッケルバリヤ ニッケルバリヤ層の純Sn終端処理 リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

抵抗 = 33kΩ。テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = MELF 0204 ( MELF 0204 )。許容差 = ±0.1%。定格電力 = 0.07W。温度係数 = ±15ppm/K。自動車規格 = AEC-Q200。シリーズ = MMA。動作温度 Min = -10℃。動作温度 Max = +85℃。EN140401-803. MMA 0204精密MELF 0.1 %抵抗. アドバンスド薄膜テクノロジ 高い安定性: クラス0.05 幅広い精密範囲: 43 Ω → 220 kΩ 圧入スチールキャップ、すずめっきニッケルバリヤ ニッケルバリヤ層の純Sn終端処理 リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

抵抗 = 62Ω。テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = MELF 0204 ( MELF 0204 )。許容差 = ±0.1%。定格電力 = 0.07W。温度係数 = ±15ppm/K。自動車規格 = AEC-Q200。シリーズ = MMA。動作温度 Min = -10℃。動作温度 Max = +85℃。EN140401-803. MMA 0204精密MELF 0.1 %抵抗. アドバンスド薄膜テクノロジ 高い安定性: クラス0.05 幅広い精密範囲: 43 Ω → 220 kΩ 圧入スチールキャップ、すずめっきニッケルバリヤ ニッケルバリヤ層の純Sn終端処理 リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

抵抗 = 3.3kΩ。テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = MELF 0204 ( MELF 0204 )。許容差 = ±0.1%。定格電力 = 0.07W。温度係数 = ±15ppm/K。自動車規格 = AEC-Q200。シリーズ = MMA。動作温度 Min = -10℃。動作温度 Max = +85℃。EN140401-803. MMA 0204精密MELF 0.1 %抵抗. アドバンスド薄膜テクノロジ 高い安定性: クラス0.05 幅広い精密範囲: 43 Ω → 220 kΩ 圧入スチールキャップ、すずめっきニッケルバリヤ ニッケルバリヤ層の純Sn終端処理 リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

抵抗 = 20Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 220Ω。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 1206 (3216M)。許容差 ±1%。定格電力 0.5W。温度係数 ±100ppm/K。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。1206高出力厚膜チップ抵抗器、CRCW HP e3シリーズ 0.75 W. 優れたパルス負荷機能 定格電力を向上 両面にプリントされた抵抗素子 高品質セラミックにメタルグレーズ グレーズ上を保護 優れた安定性(ΔR/R 1 (70 ℃で1000時間)) ニッケルバリヤ層のリード(Pb)フリーはんだコンタクト 純スズめっきにより、リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

抵抗 = 5Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 50mΩ。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±700ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 22Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +155℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 1Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 2Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 47Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 470mΩ。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±250ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 22Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 100mΩ。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +150℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 22Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 100Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 10Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整