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ピーク平均順方向電流 = 35Aピーク逆繰返し電圧 = 1000V実装タイプ = スクリュー マウントパッケージタイプ = GBPCピン数 = 4ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 400A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 5μA寸法 = 28.8 x 28.8 x 7.62mm高さ = 7.62mmUL E54214. Vishay Semiconductor GBPC35シリーズ プッシュオン端子付きブリッジ整流器. 高電流：35 A 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ ガラス不動態化チップジャンクション 低熱抵抗

Solid Tantalum Surface Mount Chip Capacitors， Molded Case， 0805 SizeSmall size， suitable for high-density packaging Terminations: 100 % matte tin APPLICATIONS Industrial Audio and visual equipment General purpose

検出スペクトル = 可視光ピーク感度波長 = 565nmパッケージタイプ = TO-5実装タイプ = スルーホール実装ピン数 = 2ダイオード材質 = Si最小検出波長 = 420nm最大検出波長 = 675nm長さ = 9.1mm幅 = 9.1mm高さ = 3.1mm極性 = 順方向BPW20 / BPW21シリーズフォトダイオード. Vishay Semiconductor製BPW20 / BPW21シリーズのシリコンフォトダイオードは、標準のTO-5パッケージに収納されています。ハーメチックシール構造のパッケージのBPW20 / BPW21は高精度のリニア用途に最適です。BPW20 / BPW21フォトダイオードに適した用途には、カメラ、光度計、カラーアナライザ、露出計の光測定用センサ、その他の一般的な医療 / 産業向けの測定 / 制御などがあります。. BPW20 / BPW21フォトダイオードの特長: フラットガラスレンズの付いたTO-5パッケージ 直径: 8.13 mm 放射検出面積: 7.5 mm2 高感光性 半輝度角度: 50 ° 低暗電流 高直線性

Solid Tantalum Surface Mount Chip Capacitors， Molded Case， 0805 SizeSmall size， suitable for high-density packaging Terminations: 100 % matte tin APPLICATIONS Industrial Audio and visual equipment General purpose

Solid Tantalum Surface Mount Chip Capacitors， Molded Case， Extended RangeSmall size， suitable for high density packaging Terminations: 100 % matte tin APPLICATIONS Industrial AV equipment General purpose

テクノロジー = タンタル静電容量 = 100nF電圧 = 25V dc実装タイプ = 表面実装パッケージ/ケース = 2012-12等価直列抵抗 = 33Ω許容差 = ±10%長さ = 2mm奥行き = 1.25mm高さ = 1.2mm寸法 = 2 x 1.25 x 1.2mmシリーズ = TMCP動作温度 Max = +125℃許容差(マイナス) = -10%Solid Tantalum Surface Mount Chip Capacitors， Molded Case， 0805 SizeSmall size， suitable for high-density packaging Terminations: 100 % matte tin APPLICATIONS Industrial Audio and visual equipment General purpose

Solid Tantalum Surface Mount Chip Capacitors， Molded Case， 0805 SizeSmall size， suitable for high-density packaging Terminations: 100 % matte tin APPLICATIONS Industrial Audio and visual equipment General purpose

Solid Tantalum Surface Mount Chip Capacitors， Molded Case， 0603 SizeSmall size， suitable for high density packaging Terminations: 100 % matte tin APPLICATIONS Industrial Audio and visual equipment General purpose

テクノロジー = タンタル静電容量 = 2.2μF電圧 = 16V dc実装タイプ = 表面実装パッケージ/ケース = 2012-12等価直列抵抗 = 8.8Ω許容差 = ±10%長さ = 2mm奥行き = 1.25mm高さ = 1.2mm寸法 = 2 x 1.25 x 1.2mmシリーズ = TMCP電解質の種類 = ソリッド℃許容差(マイナス) = -10%Solid Tantalum Surface Mount Chip Capacitors， Molded Case， 0805 SizeSmall size， suitable for high-density packaging Terminations: 100 % matte tin APPLICATIONS Industrial Audio and visual equipment General purpose

キャリアー周波数 = 38kHz最大伝送距離 = 45mピーク感度波長 = 950nm出力電流 = 5mAピン数 = 3実装タイプ = スルーホール実装寸法 = 5 x 4.8 x 6.95mm高さ = 6.95mm長さ = 5mm最大供給電圧 = 5.5V最小供給電圧 = 2.5V動作温度 Max = +85 ℃mmIRリモコンレシーバ、スルーホールパッケージ、Vishay Semiconductor. Vishay製のIRレシーバは、リモコン及び赤外線通信用途、赤外線コード学習機能 / リピータ、赤外線ライトバリア、赤外線近接センサに使用されます。 赤外線レシーバは、840 → 960 nmの波長範囲で動作します。. 高感度で長い伝送範囲 30 → 56 KHz(最大)キャリア周波数

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.2 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 43 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 10.5V最小ブレークダウン電圧 = 6.45V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-15最大逆スタンドオフ電圧 = 5.8Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 57.1A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 7.6 x 3.6 x 3.6mm幅 = 3.6mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、アキシャル単方向600 W、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201AD最大連続 順方向電流 = 3Aピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 500mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア直径 = 5.3mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 80A高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.65Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = AC標準上昇時間 = 2μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 5300 V ac最大電流変換率 = 320%標準降下時間 = 2μsシリーズ = SFHオプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Vishay Semiconductor

ピーク波長 = 850nmパッケージタイプ = 5 mm (T-1 3/4)放射束 = 50mW放射強度 = 700mW/sr実装タイプ = スルーホール実装LED数 = 1ピン数 = 2寸法 = 5mmレンズ形状 = 砲弾型LED材質 = GaAlAsVishay TSHGシリーズ赤外線発光ダイオード. Vishay Semiconductors TSHGシリーズは、スルーホール赤外線(IR) LEDです。このシリーズは、標準の5 mm (T-1 3/4)パッケージに収めています。TSHGシリーズには、無色透明のプラスチック製パッケージがあります。ダブルヘテロ(DH)技術を採用し、高い放射パワーと高速出力を実現します。 TSHGシリーズ赤外線発光ダイオードに適した用途には、CMOSカメラ、高速赤外線データ伝送、自動煙 / 火災感知器などがあります。. TSHG 赤外線 LED の特長： T-1 3/4 ( 5 mm )パッケージ ピーク波長: 830 nm又は850 nm 一部はスタンドオフリード付き 高い信頼性 高出力、高輝度 低順方向電圧

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-204AL最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 50ns直径 = 2.7mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

検出スペクトル = 赤外線， 可視光ピーク感度波長 = 940nmパッケージタイプ = GW実装タイプ = 表面実装ピン数 = 2ダイオード材質 = Si最小検出波長 = 430nm最大検出波長 = 1100nm長さ = 4.4mm幅 = 3.9mm高さ = 1.2mmVBPW34シリーズPINフォトダイオード. Vishay SemiconductorのVBPW34S及びVBPW34SRシリーズは、シリコンPINフォトダイオードのファミリです。 高速と高感度を実現します。 VBPW34Sデバイス及びVBPW34SRデバイスは、7.5 mm2チップを含む表面実装(SMD)パッケージ入りです。 このPINフォトダイオードは、可視光線と近赤外線の放射を感知します。. VBPW34S / VBPW34SR PINフォトダイオードの特長: SMDパッケージ リードタイプ: ガルウィング(GW)及びリバースガルウィング(RGW) 寸法: 6.4 x 3.9 x 1.2 mm 高速な応答時間

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 4.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 1000 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 150 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 5.31mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

ピーク平均順方向電流 = 3.5Aピーク逆繰返し電圧 = 800V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GSIB-5Sピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 300A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 950mVピーク逆電流 = 10μA長さ = 30mm幅 = 4.6mmULファイル番号E54214. SIL基板実装、GSIB-5シリーズ、Vishay Semiconductor. GSIB-5シリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 薄型シングルインラインGSIB-5パッケージ ガラス不動態化チップジャンクション 耐高サージ電流 2500 Vrmsの高い絶縁耐性ケース 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン

ピーク平均順方向電流 = 4Aピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = KBUピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -50 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 5μA寸法 = 23.7 x 7.1 x 19.3mm幅 = 7.1mmUL E54214. SIL基板実装、KBUシリーズ、Vishay Semiconductor. KBU4x、KBU6x、KBU8xシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン 耐高サージ電流 絶縁電圧: 1500 Vrms パッケージのセンターに固定用の穴あり

ピーク波長 = 890nmパッケージタイプ = 5 mm (T-1 3/4)放射束 = 50mW放射強度 = 180mW/sr実装タイプ = スルーホール実装指向半値角 = 20°LED数 = 1ピン数 = 2寸法 = 5 x 8.7mmレンズ形状 = 砲弾型LED材質 = GaAlAsVishay TSHFシリーズ赤外線発光ダイオード. Vishay SemiconductorsのTSHFシリーズはスルーホール赤外線(IR) LEDで、GaAlAsダブルヘテロ(DH)技術を採用しています。無色透明のプラスチック製パッケージに収納されています。最適な用途には、赤外線リモコン、空間データ伝送があります。. ピーク波長: 890 nm 高い信頼性 高出力及び高輝度 低順方向電圧 T-1 3/4 (5 mm)フォームパッケージ スタンドオフリードオプション

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.3Vチャンネル数 = 2ピン数 = 8パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 2.8μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 5.3 kVrms最大電流変換率 = 125%標準降下時間 = 14μsシリーズ = ILDオプトカプラ、トランジスタ出力、IL、ILD、ILQシリーズ、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 4.1 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 10.41mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

ピン数 = 16実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PDIP寸法 = 21.33 x 7.11 x 3.81mm動作温度 Max = +85 ℃アナログスイッチ(クワッド)、DG4xxシリーズ、Vishay Semiconductor. 高精度と低消費電力を特長としたクワッドアナログスイッチは、テスト装置やコンピュータ周辺機器などの用途に適しています。 単電源での操作も可能なこのスイッチは、ポータブル計器にも適しています。

ピン数 = 16実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PDIP寸法 = 21.33 x 7.11 x 3.81mm動作温度 Min = -40 ℃アナログスイッチ(クワッド)、DG4xxシリーズ、Vishay Semiconductor. 高精度と低消費電力を特長としたクワッドアナログスイッチは、テスト装置やコンピュータ周辺機器などの用途に適しています。 単電源での操作も可能なこのスイッチは、ポータブル計器にも適しています。

ブリッジタイプ = 単相Aピーク逆繰返し電圧 = 1000V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = D 38ピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 52A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -40 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 10μA寸法 = 9.5 x 9.5 x 10mm幅 = 9.5mmワイヤリード付きブリッジ整流器、VS-1KAB-Eシリーズ、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)スルーホール実装用ワイヤリードコンパクト構造 簡単に組み立て、取り付け、在庫管理可能

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 47 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 Vシリーズ = E Series実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 64 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 357 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 5.31mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor. VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。 幅広い定格電流の製品が用意されています。 主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正(PFC)、スイッチモード電源(SMPS)などがあります。. 特長. 低性能指数(FOM): RDS(on) x Qg 低入力静電容量(Ciss) 低オン抵抗(RDS(on)) 超低ゲート電荷(Qg) 高速スイッチング スイッチング損失及び導電損失を低減

ピーク平均順方向電流 = 25Aピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GBPC-Wピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 300A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 5μA長さ = 28.8mm高さ = 7.62mmUL E54214. 基板実装用ブリッジ整流器、VS-GBPC25xxWシリーズ、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)実装又はシャーシ取り付けに最適 中心穴固定のコンパクトな構造 低熱抵抗 ワイヤリード構造

ピーク平均順方向電流 = 35Aピーク逆繰返し電圧 = 1000V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GBPC-Wピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 400A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 5μA長さ = 28.8mm幅 = 28.8mmUL E54214. 基板実装用ブリッジ整流器、VS-GBPC35xxWシリーズ、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)実装又はシャーシ取り付けに最適 中心穴固定のコンパクトな構造 低熱抵抗 ワイヤリード構造

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V長さ = 10.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

ピーク平均順方向電流 = 35Aピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = スクリュー マウントパッケージタイプ = GBPCピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 400A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 5μA長さ = 28.8mm高さ = 7.62mmUL E54214. Vishay Semiconductor GBPC35シリーズ プッシュオン端子付きブリッジ整流器. 高電流：35 A 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ ガラス不動態化チップジャンクション 低熱抵抗

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 10.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

定格平均オン電流 = 16Aサイリスタタイプ = SCRパッケージタイプ = TO-48繰返しピーク逆方向電圧 = 800Vサージ電流レーティング = 360A実装タイプ = ねじ取り付け最大ゲートトリガー電流 = 60mA最大ゲートトリガー電圧 = 2V最大保持電流 = 130mAピン数 = 2繰返しピークオフステート電流 = 10mAVishay Semiconductor 位相制御サイリスタ

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 520 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 60 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 52 nC V @ 10高さ = 9.8mmNチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.6Vチャンネル数 = 2ピン数 = 8パッケージタイプ = SMD入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 0.1μs最大入力電流 = 25 mA絶縁電圧 = 5300 Vrms論理出力 = あり標準降下時間 = 0.1μsシリーズ = VOオプトカプラ、IGBT及びMOSFETドライバ、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 11 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 125000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

ブリッジタイプ = 単相Aピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スクリュー マウントパッケージタイプ = GBPC-Aピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 420A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 5μA寸法 = 28.6 x 28.6 x 7.7mm幅 = 28.6mmUL E54214. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、VS-GBPC25シリーズ、Vishay Semiconductor. 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 中心穴固定 優れたパワー / ボリューム比

定格平均オン電流 = 50Aサイリスタタイプ = SCRパッケージタイプ = TO-65繰返しピーク逆方向電圧 = 600Vサージ電流レーティング = 1490A実装タイプ = ねじ取り付け最大ゲートトリガー電流 = 100mA最大ゲートトリガー電圧 = 2.5V最大保持電流 = 200mAピン数 = 2寸法 = 19.2 x 17.35 x 42.5mm繰返しピークオフステート電流 = 15mAVishay Semiconductor 位相制御サイリスタ

ピーク平均順方向電流 = 25Aピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = スクリュー マウントパッケージタイプ = GBPC-Aピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 420A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 5μA寸法 = 28.6 x 28.6 x 7.7mm幅 = 28.6mmUL E54214. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、VS-GBPC25シリーズ、Vishay Semiconductor. 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 中心穴固定 優れたパワー / ボリューム比

最大負荷電流 = 0.25 A取り付けタイプ = 基板実装最大負荷電圧 = 350 V最大電圧制御 = 1.5 Vターミナルタイプ = 表面実装出力装置 = MOSFET定格電圧範囲 = 350V ac寸法 = 8.7 x 6.5 x 3.81mm奥行き = 6.5mmオプトカプラ、ソリッドステートリレー(フォトMOSFET)、Vishay Semiconductor