「mto」の検索結果

ピーク平均順方向電流 = 800mAピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TO-269AAピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 5μA長さ = 4.95mm幅 = 4.1mmUL、E54214. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MBxSシリーズ、Vishay Semiconductor. 省スペースのSMTパッケージ 自動装着機に対応 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.6Vチャンネル数 = 4ピン数 = 16パッケージタイプ = SOP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 3μs最大入力電流 = ±60 mA絶縁電圧 = 3750 Vrms最大電流変換率 = 300%標準降下時間 = 4.7μsシリーズ = TCMTオプトカプラ、トランジスタ出力、TCMTシリーズ、Vishay Semiconductor. TCMT410 。シリーズは、 16 ピン( 4 チャンネル)パッケージのガリウムヒ素赤外線発光ダイオードと光学的に結合されているフォトトランジスタで構成されています。. 特長:. 低プロファイルパッケージ ( ハーフピッチ ) AC 絶縁試験電圧 3750 VRMS 標準的な 0.3 pF の低いカップリング静電容量 グループに選択された電流伝達率( CTR ) CTR の低い温度係数 広い周囲温度範囲. 用途:. プログラマブルロジックコントローラ モデム 留守番電話 一般的な用途

ピーク平均順方向電流 = 25Aピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = D 63ピン数 = 5回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 375A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.26Vピーク逆電流 = 200μA長さ = 28.5mm幅 = 28.5mmUL E300359. プッシュオン端子付き三相ブリッジ整流器、VS-26MTシリーズ、Vishay Semiconductor. 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 中心穴固定 優れたパワー / ボリューム比

ピーク平均順方向電流 = 25Aピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = D 63ピン数 = 5回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 375A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.26Vピーク逆電流 = 100μA寸法 = 28.5 x 28.5 x 10mm高さ = 10mmUL、E300359認定. プッシュオン端子付き三相ブリッジ整流器、VS-MTシリーズ、Vishay Semiconductor. 三相ブリッジ整流器電源モジュール ユニバーサル、3極端子: プッシュオン(ファストン)、ラップアラウンド、又ははんだ 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 中心穴固定フォロシャーシ取り付け 優れたパワー / ボリューム比

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 38.9V最小ブレークダウン電圧 = 26.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 15.4A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 2.24mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.6Vチャンネル数 = 4ピン数 = 16パッケージタイプ = Mini-Flat入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 3μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 3750 V ac最大電流変換率 = 600%最小電流伝送率 = 50%シリーズ = TCMTオプトカプラ、トランジスタ出力、TCMTシリーズ、Vishay Semiconductor. TCMT410 。シリーズは、 16 ピン( 4 チャンネル)パッケージのガリウムヒ素赤外線発光ダイオードと光学的に結合されているフォトトランジスタで構成されています。. 特長:. 低プロファイルパッケージ ( ハーフピッチ ) AC 絶縁試験電圧 3750 VRMS 標準的な 0.3 pF の低いカップリング静電容量 グループに選択された電流伝達率( CTR ) CTR の低い温度係数 広い周囲温度範囲. 用途:. プログラマブルロジックコントローラ モデム 留守番電話 一般的な用途

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.6Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = Mini-Flat入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 3μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 3.75 kVrms最大電流変換率 = 600%最小電流伝送率 = 50%シリーズ = TCMTオプトカプラ、トランジスタ出力、TCMTシリーズ、Vishay Semiconductor. TCMT410 。シリーズは、 16 ピン( 4 チャンネル)パッケージのガリウムヒ素赤外線発光ダイオードと光学的に結合されているフォトトランジスタで構成されています。. 特長:. 低プロファイルパッケージ ( ハーフピッチ ) AC 絶縁試験電圧 3750 VRMS 標準的な 0.3 pF の低いカップリング静電容量 グループに選択された電流伝達率( CTR ) CTR の低い温度係数 広い周囲温度範囲. 用途:. プログラマブルロジックコントローラ モデム 留守番電話 一般的な用途

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.6Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = Mini-Flat入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 3μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 3.75 kVrms最大電流変換率 = 200%標準降下時間 = 4.7μsシリーズ = TCMTオプトカプラ、トランジスタ出力、TCMTシリーズ、Vishay Semiconductor. TCMT410 。シリーズは、 16 ピン( 4 チャンネル)パッケージのガリウムヒ素赤外線発光ダイオードと光学的に結合されているフォトトランジスタで構成されています。. 特長:. 低プロファイルパッケージ ( ハーフピッチ ) AC 絶縁試験電圧 3750 VRMS 標準的な 0.3 pF の低いカップリング静電容量 グループに選択された電流伝達率( CTR ) CTR の低い温度係数 広い周囲温度範囲. 用途:. プログラマブルロジックコントローラ モデム 留守番電話 一般的な用途

検出スペクトル = 可視光チャンネル数 = 1最大光電流 = 50μA最大暗電流 = 50nA半値幅感度角度 = ±60 °ピン数 = 3実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = 1206寸法 = 4 x 2 x 1.05mmコレクター電流 = 20mA感度スペクトルレンジ = 440 → 800 nmnm幅 = 2mmTEMT6000シリーズ周辺光センサ. Vishay SemiconductorsのTEMT6000シリーズの周辺光センサファミリです。NPNエピタキシャル平面フォトトランジスタと透明なパッケージで構成されています。このコンパクトな表面実装(SMD)パッケージは、標準の1206フットプリントとなっています。TEMT6000は、可視光の影響を受けやすく、人間の眼の応答性に匹敵する製品です。TEMT6000周辺光センサに適した用途には、自動車、携帯電話、ノートブック、カメラ、ダッシュボードなどがあります。. TEMT6000周辺光センサの特長: 1206フットプリント 寸法: 4 x 2 x 1.05 mm 高感光性 ピーク感度: 570 nm 半輝度角度: 60 °

検出スペクトル = 可視光チャンネル数 = 1最大光電流 = 39μA最大暗電流 = 50nA半値幅感度角度 = 120 °極性 = NPNピン数 = 2実装タイプ = 表面実装寸法 = 2 x 1.25 x 0.85mmコレクター電流 = 20mA感度スペクトルレンジ = 450 → 610 nmnm幅 = 1.25mmTEMT6200シリーズ周辺光センサ. TEMT6200周辺光センサの特長: 0805フットプリント 寸法: 2 x 1.25 x 0.85 mm 高感光性 近赤外線放射用の抑制フィルタ 半輝度角度: 60 °. Vishay SemiconductorのTEMT6200シリーズは周辺光センサのファミリです。 NPNエピタキシャル平面フォトトランジスタと透明なパッケージから構成されています。 TEMT6200は、標準の0805フットプリントの表面実装(SMD)パッケージ入りです。 このデバイスは、人間の目と同様に可視光を感知します。 TEMT6200に適した用途には、車載センサや携帯電話 / ノートブック / タブレット / カメラ / ダッシュボードのディスプレイバックライトコントロールなどがあります。

ピーク平均順方向電流 = 800mAピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TO-269AAピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 5μA長さ = 4.95mm幅 = 4.1mmUL、E54214. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MBxSシリーズ、Vishay Semiconductor. 省スペースのSMTパッケージ 自動装着機に対応 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適

ピーク平均順方向電流 = 800mAピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TO-269AAピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 5μA寸法 = 4.95 x 4.1 x 2.7mm高さ = 2.7mmUL、E54214. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MBxSシリーズ、Vishay Semiconductor. 省スペースのSMTパッケージ 自動装着機に対応 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 45.4V最小ブレークダウン電圧 = 31.1V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMC最大逆スタンドオフ電圧 = 28Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 33A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm高さ = 2.42mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向1500 W、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 209V最小ブレークダウン電圧 = 144V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMC最大逆スタンドオフ電圧 = 130Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 7.2A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 6.22mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向1500 W、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 77.4V最小ブレークダウン電圧 = 53.3V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMC最大逆スタンドオフ電圧 = 48Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 19.4A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 6.22mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向1500 W、Vishay Semiconductor

ピーク平均順方向電流 = 25Aピーク逆繰返し電圧 = 1200V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = D 63ピン数 = 5ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 375A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.26Vピーク逆電流 = 200μA長さ = 28.5mm幅 = 28.5mmUL E300359. プッシュオン端子付き三相ブリッジ整流器、VS-26MTシリーズ、Vishay Semiconductor. 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 中心穴固定 優れたパワー / ボリューム比

標準ツェナー電圧 = 5.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = MiniMELFツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 550Ω最大逆漏れ電流 = 10μA寸法 = 1.6 (Dia.) x 3.7mm標準電圧温度係数 = -0.02 %/℃， 0.02%/℃ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

標準ツェナー電圧 = 18V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = MiniMELFツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 50Ω最大逆漏れ電流 = 100nA寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm標準電圧温度係数 = 0.07%/℃ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 48.4V最小ブレークダウン電圧 = 33.3V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 30Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 12.4A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm幅 = 3.94mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 28.8V最小ブレークダウン電圧 = 17.8V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 16Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 20.8AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.94mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

標準ツェナー電圧 = 6.2V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = MiniMELFツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 10Ω最大逆漏れ電流 = 100nA寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm動作温度 Max = +175 ℃%/℃ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

標準ツェナー電圧 = 3.3V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = MiniMELFツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 90Ω最大逆漏れ電流 = 2μA寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm標準電圧温度係数 = -0.065%/℃ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

標準ツェナー電圧 = 12V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = MiniMELFツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 90Ω最大逆漏れ電流 = 2μA寸法 = 1.6 (Dia.) x 3.7mm標準電圧温度係数 = 0.03 %/℃， 0.11%/℃ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 53.5V最小ブレークダウン電圧 = 33.3V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 30Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 11.2AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.94mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

ピーク平均順方向電流 = 200Aピーク逆繰返し電圧 = 800V実装タイプ = パネルマウントパッケージタイプ = INT-A-PAKピン数 = 6ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1.5kA動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -40 ℃ピーク順方向電圧 = 1.49Vピーク逆電流 = 10mA長さ = 94mm幅 = 35mmULファイルNo.E78996. Vishay Semiconductor ねじ端子付き三相ブリッジ整流器 VS-160MTシリーズ. 業界標準のINT-A-PAK電源モジュール 高熱伝導性パッケージ、電気絶縁ケース 優れた電力体積比 絶縁電圧： 4000 Vrms

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 77.4V最小ブレークダウン電圧 = 53.3V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 48Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 7.8A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 2.24mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 12.9V最小ブレークダウン電圧 = 8.33V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 7.5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 46.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm幅 = 3.94mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 9.2V最小ブレークダウン電圧 = 6.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMC最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 163A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 6.22mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 11V最小ブレークダウン電圧 = 4.1V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = μSMP最大逆スタンドオフ電圧 = 3.3Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 100W最大ピークパルス電流 = 75AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 1.4mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向100 W、MSPシリーズ、Vishay Semiconductor

ピーク平均順方向電流 = 200Aピーク逆繰返し電圧 = 1600V実装タイプ = パネルマウントパッケージタイプ = INT-A-PAKピン数 = 6ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1.5kA動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -40 ℃ピーク順方向電圧 = 1.49Vピーク逆電流 = 10mA寸法 = 94 x 35 x 30mm幅 = 35mmULファイルNo.E78996. Vishay Semiconductor ねじ端子付き三相ブリッジ整流器 VS-160MTシリーズ. 業界標準のINT-A-PAK電源モジュール 高熱伝導性パッケージ、電気絶縁ケース 優れた電力体積比 絶縁電圧： 4000 Vrms

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 64.3V最小ブレークダウン電圧 = 34.2V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 30.8Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 62A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm幅 = 3.94mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SM6Tシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 9.2V最小ブレークダウン電圧 = 6.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 43.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 2.79mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 24.4V最小ブレークダウン電圧 = 16.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 15Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 16.4A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 2.79mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 11.2V最小ブレークダウン電圧 = 7.22V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 6.5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 35.7A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 2.087mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 48.4V最小ブレークダウン電圧 = 33.3V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 30Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 8.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 2.79mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 53.3V最小ブレークダウン電圧 = 36.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 33Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 7.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 2.79mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 24.4V最小ブレークダウン電圧 = 16.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 15Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 16.4A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 2.79mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 38.9V最小ブレークダウン電圧 = 26.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 10.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 2.09mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 96.8V最小ブレークダウン電圧 = 66.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 60Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 4.1A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 2.79mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor