「mto」の検索結果

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 38.9V最小ブレークダウン電圧 = 26.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 15.4A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 2.24mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

ピーク平均順方向電流 = 800mAピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TO-269AAピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 5μA長さ = 4.95mm幅 = 4.1mmUL、E54214. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MBxSシリーズ、Vishay Semiconductor. 省スペースのSMTパッケージ 自動装着機に対応 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適

検出スペクトル = 可視光チャンネル数 = 1最大光電流 = 50μA最大暗電流 = 50nA半値幅感度角度 = ±60 °ピン数 = 3実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = 1206寸法 = 4 x 2 x 1.05mmコレクター電流 = 20mA感度スペクトルレンジ = 440 → 800 nmnm幅 = 2mmTEMT6000シリーズ周辺光センサ. Vishay SemiconductorsのTEMT6000シリーズの周辺光センサファミリです。NPNエピタキシャル平面フォトトランジスタと透明なパッケージで構成されています。このコンパクトな表面実装(SMD)パッケージは、標準の1206フットプリントとなっています。TEMT6000は、可視光の影響を受けやすく、人間の眼の応答性に匹敵する製品です。TEMT6000周辺光センサに適した用途には、自動車、携帯電話、ノートブック、カメラ、ダッシュボードなどがあります。. TEMT6000周辺光センサの特長: 1206フットプリント 寸法: 4 x 2 x 1.05 mm 高感光性 ピーク感度: 570 nm 半輝度角度: 60 °

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.6Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = Mini-Flat入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 3μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 3.75 kVrms最大電流変換率 = 160%標準降下時間 = 4.7μsシリーズ = TCMTオプトカプラ、トランジスタ出力、TCMTシリーズ、Vishay Semiconductor. TCMT410 。シリーズは、 16 ピン( 4 チャンネル)パッケージのガリウムヒ素赤外線発光ダイオードと光学的に結合されているフォトトランジスタで構成されています。. 特長:. 低プロファイルパッケージ ( ハーフピッチ ) AC 絶縁試験電圧 3750 VRMS 標準的な 0.3 pF の低いカップリング静電容量 グループに選択された電流伝達率( CTR ) CTR の低い温度係数 広い周囲温度範囲. 用途:. プログラマブルロジックコントローラ モデム 留守番電話 一般的な用途

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.6Vチャンネル数 = 4ピン数 = 16パッケージタイプ = SOP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 3μs最大入力電流 = ±60 mA絶縁電圧 = 3750 Vrms最大電流変換率 = 300%標準降下時間 = 4.7μsシリーズ = TCMTオプトカプラ、トランジスタ出力、TCMTシリーズ、Vishay Semiconductor. TCMT410 。シリーズは、 16 ピン( 4 チャンネル)パッケージのガリウムヒ素赤外線発光ダイオードと光学的に結合されているフォトトランジスタで構成されています。. 特長:. 低プロファイルパッケージ ( ハーフピッチ ) AC 絶縁試験電圧 3750 VRMS 標準的な 0.3 pF の低いカップリング静電容量 グループに選択された電流伝達率( CTR ) CTR の低い温度係数 広い周囲温度範囲. 用途:. プログラマブルロジックコントローラ モデム 留守番電話 一般的な用途

ピーク平均順方向電流 = 25Aピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = D 63ピン数 = 5回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 375A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.26Vピーク逆電流 = 200μA長さ = 28.5mm幅 = 28.5mmUL E300359. プッシュオン端子付き三相ブリッジ整流器、VS-26MTシリーズ、Vishay Semiconductor. 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 中心穴固定 優れたパワー / ボリューム比

ピーク平均順方向電流 = 25Aピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = D 63ピン数 = 5回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 375A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.26Vピーク逆電流 = 100μA寸法 = 28.5 x 28.5 x 10mm高さ = 10mmUL、E300359認定. プッシュオン端子付き三相ブリッジ整流器、VS-MTシリーズ、Vishay Semiconductor. 三相ブリッジ整流器電源モジュール ユニバーサル、3極端子: プッシュオン(ファストン)、ラップアラウンド、又ははんだ 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 中心穴固定フォロシャーシ取り付け 優れたパワー / ボリューム比

検出スペクトル = 赤外線標準降下時間 = 2.3μs標準上昇時間 = 2μsチャンネル数 = 1最大光電流 = 7000μA最大暗電流 = 200nA半値幅感度角度 = 30°極性 = NPNピン数 = 2実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = サブミニチュア寸法 = 2.5 x 2 x 2.7mmコレクター電流 = 50mA感度スペクトルレンジ = 730 → 1000 nmnm幅 = 2mmTEMT1000シリーズフォトトランジスタ. Vishay SemiconductorのこのファミリのシリコンNPNフォトトランジスタは、表面実装(SMD)サブミニチュアパッケージ入りです。 黒色のプラスチックパッケージ入りで、ガルウィング(GW)、リバースガルウィング(RGW)、ヨーク、アキシャルなど、様々なリードタイプを用意しています。 この黒色のハウジングは、TEMT1000フォトトランジスタの昼光遮断フィルタとして機能します。 このフォトトランジスタに適した用途には、エンコーダ、カウンタ、フォトインタラプタ、昼光用途の赤外線検出器、及び電気コントロールや駆動回路の検出器としての使用などがあります。. TEMT1000シリーズの特長: TEMT1000、TEMT1020、TEMT1030、TEMT1040 サブミニチュアパッケージ 表面実装(SMD) 黒色プラスチック製ハウジング 各種リードタイプ 高い放射感度 高速な応答時間 半輝度角度: 15 °

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 12.9V最小ブレークダウン電圧 = 8.33V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 7.5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 46.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm幅 = 3.94mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 38.9V最小ブレークダウン電圧 = 26.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 38.6AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm幅 = 6.22mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 77.4V最小ブレークダウン電圧 = 53.3V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 48Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 7.8A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 2.24mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 113V最小ブレークダウン電圧 = 77.8V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMC最大逆スタンドオフ電圧 = 70Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 13.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm高さ = 2.42mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向1500 W、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 243V最小ブレークダウン電圧 = 167V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMC最大逆スタンドオフ電圧 = 150Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 6.2A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm幅 = 6.22mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 19.9V最小ブレークダウン電圧 = 13.3V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 12Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 20.1A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 2.79mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 9.2V最小ブレークダウン電圧 = 6.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMC最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 163A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 6.22mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 19.9V最小ブレークダウン電圧 = 13.3V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMC最大逆スタンドオフ電圧 = 12Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 75.4A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 2.42mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

ピーク平均順方向電流 = 200Aピーク逆繰返し電圧 = 1600V実装タイプ = パネルマウントパッケージタイプ = INT-A-PAKピン数 = 6ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1.5kA動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -40 ℃ピーク順方向電圧 = 1.49Vピーク逆電流 = 10mA寸法 = 94 x 35 x 30mm幅 = 35mmULファイルNo.E78996. Vishay Semiconductor ねじ端子付き三相ブリッジ整流器 VS-160MTシリーズ. 業界標準のINT-A-PAK電源モジュール 高熱伝導性パッケージ、電気絶縁ケース 優れた電力体積比 絶縁電圧： 4000 Vrms

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 24.4V最小ブレークダウン電圧 = 16.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMC最大逆スタンドオフ電圧 = 15Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 61.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 6.22mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 48.4V最小ブレークダウン電圧 = 33.3V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMC最大逆スタンドオフ電圧 = 30Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 31A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm幅 = 6.22mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 29.2V最小ブレークダウン電圧 = 20V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 18Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 51.4AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 6.22mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

ピーク平均順方向電流 = 800mAピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TO-269AAピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 5μA長さ = 4.95mm幅 = 4.1mmUL、E54214. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MBxSシリーズ、Vishay Semiconductor. 省スペースのSMTパッケージ 自動装着機に対応 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適

ピーク平均順方向電流 = 800mAピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TO-269AAピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 5μA寸法 = 4.95 x 4.1 x 2.7mm高さ = 2.7mmUL、E54214. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MBxSシリーズ、Vishay Semiconductor. 省スペースのSMTパッケージ 自動装着機に対応 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 53.3V最小ブレークダウン電圧 = 36.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 33Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 7.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 2.79mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 42.1V最小ブレークダウン電圧 = 28.9V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 26Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 14.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃幅 = 3.8mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 27.6V最小ブレークダウン電圧 = 18.9V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 17Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 21.7A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 2.24mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

ピーク平均順方向電流 = 25Aピーク逆繰返し電圧 = 800V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = D 63ピン数 = 5ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 375A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.26Vピーク逆電流 = 200μA寸法 = 28.5 x 28.5 x 10mm高さ = 10mmUL E300359. プッシュオン端子付き三相ブリッジ整流器、VS-26MTシリーズ、Vishay Semiconductor. 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 中心穴固定 優れたパワー / ボリューム比

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 93.6V最小ブレークダウン電圧 = 64.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 58Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 4.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.5 x 2.79 x 2.09mm高さ = 2.09mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 9.2V最小ブレークダウン電圧 = 6.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 43.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 2.79mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 9.2V最小ブレークダウン電圧 = 6.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-215AA最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 65.2A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.21mmテスト電流 = 10mATRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBGシリーズ、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-215AA (SMBG)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

ピーク波長 850nm放射束 660mW放射強度 1600mW/sr実装タイプ 表面実装指向半値角 ±45°LED数 1ピン数 3寸法 3.85 3.85 2.24mmレンズ形状 ドームシリーズ SurflightVishay VSMY98545シリーズ赤外線発光ダイオード. Vishay SemiconductorsのVSMY98545シリーズは、高出力赤外線発光ダイオードです。 この表面実装(SMT)デバイスは、42 milチップを搭載したドーム型成形レンズを備えています。 VSMY98545シリーズは、マシンビジョン、カメラ照明(3Dゲーム)、CMOSカメラの赤外線照明などの用途に適しています。. VSMY98545シリーズの特長: 寸法: 3.85 3.85 2.24 mm ピーク波長: 850 nm 高い信頼性 高放射出力 ビーム角度: 90 °. SurfLight技術. Vishay SemiconductorsのSurfLightシリーズは、高出力赤外線(IR)エミッタで構成されています。 このSurfLight技術により、チップの上面から直接強い光を放出することができます。 標準的な赤外線エミッタは、全方向に光を放出します。 したがって、SurfLight技術により、より強い光出力が得られます。 高光度のため、設計で求められるエミッタの数を少なくすることができます。 このシリーズでは、高パルス電流動作により高速性能を発揮します。 この信頼性の高いSurfLight赤外線LEDは、赤外線データ伝送、赤外線通信、3D TV用メガネの同期、自動車用、産業用、CCTVカメラの赤外線照明などの用途に最適です。

検出スペクトル = 可視光チャンネル数 = 1最大光電流 = 39μA最大暗電流 = 50nA半値幅感度角度 = 120 °極性 = NPNピン数 = 2実装タイプ = 表面実装寸法 = 2 x 1.25 x 0.85mmコレクター電流 = 20mA感度スペクトルレンジ = 450 → 610 nmnm幅 = 1.25mmTEMT6200シリーズ周辺光センサ. TEMT6200周辺光センサの特長: 0805フットプリント 寸法: 2 x 1.25 x 0.85 mm 高感光性 近赤外線放射用の抑制フィルタ 半輝度角度: 60 °. Vishay SemiconductorのTEMT6200シリーズは周辺光センサのファミリです。 NPNエピタキシャル平面フォトトランジスタと透明なパッケージから構成されています。 TEMT6200は、標準の0805フットプリントの表面実装(SMD)パッケージ入りです。 このデバイスは、人間の目と同様に可視光を感知します。 TEMT6200に適した用途には、車載センサや携帯電話 / ノートブック / タブレット / カメラ / ダッシュボードのディスプレイバックライトコントロールなどがあります。

ピーク波長 850nmパッケージタイプ 2012 (0805)放射束 50mW放射強度 10mW/sr実装タイプ 表面実装指向半値角 60°LED数 1ピン数 2寸法 2 1.25 0.85mmレンズ形状 長方形シリーズ SurfLightLED材質 GaAlAsVishay VSMY1850シリーズ赤外線発光ダイオード. Vishay SemiconductorsのVSMY1850シリーズは、高速赤外線(IR)発光ダイオードです。 表面実装(SMT)の標準0805パッケージに収納されています。 VSMY1850パッケージは、無色透明の上部が平らなレンズを備えています。 VSMY1850 IREDに適した用途には、IrDA対応データ転送、ミニチュアライトバリア、フォトインタラプタ、光スイッチ、近接センサのエミッタソース、タッチパネル、赤外線フラッシュ、3D TVが含まれます。. VSMY1850赤外線LEDの特長: 0805パッケージ 寸法: x 1.25 0.85 ピーク波長: 850 nm 高い信頼性 高放射出力 ビーム角度: 120 °. SurfLight技術. Vishay SemiconductorsのSurfLightシリーズは、高出力赤外線(IR)エミッタで構成されています。 このSurfLight技術により、チップの上面から直接強い光を放出することができます。 標準的な赤外線エミッタは、全方向に光を放出します。 したがって、SurfLight技術により、より強い光出力が得られます。 高光度のため、設計で求められるエミッタの数を少なくすることができます。 このシリーズでは、高パルス電流動作により高速性能を発揮します。 この信頼性の高いSurfLight赤外線LEDは、赤外線データ伝送、赤外線通信、3D TV用メガネの同期、車載用、産業用、CCTVカメラの赤外線照明などの用途に最適です。

ピーク平均順方向電流 = 25Aピーク逆繰返し電圧 = 1200V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = D 63ピン数 = 5ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 375A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.26Vピーク逆電流 = 200μA長さ = 28.5mm幅 = 28.5mmUL E300359. プッシュオン端子付き三相ブリッジ整流器、VS-26MTシリーズ、Vishay Semiconductor. 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 中心穴固定 優れたパワー / ボリューム比

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 19.9V最小ブレークダウン電圧 = 13.3V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 12Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 30.2A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm高さ = 2.24mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 42.1V最小ブレークダウン電圧 = 28.9V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 26Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 9.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 2.09mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 96.8V最小ブレークダウン電圧 = 66.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 60Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 4.1A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 2.79mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 6.2V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = MiniMELFツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 10Ω最大逆漏れ電流 = 100nA寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm動作温度 Max = +175 ℃%/℃ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 38.9V最小ブレークダウン電圧 = 26.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 10.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 2.09mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 64.5V最小ブレークダウン電圧 = 44.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 40Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 6.2A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.5 x 2.79 x 2.087mm幅 = 2.79mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 53.3V最小ブレークダウン電圧 = 36.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMC最大逆スタンドオフ電圧 = 33Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 28.1A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 6.22mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor