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GaAlAs 面発光チップ技術の採用により、極めて高い放射強度、高光出力、高速スイッチングが実現された Vishay の高速赤外線 940 nm 発光ダイオードは、表面実装( SMD )向けの無色透明プラスチックパッケージ(レンズ付き)入りです。ガルウィングパッケージに入っています。RoHS 指令(2022年10月現在)、及び鉛フリーに準拠しています 高パルス電流動作に適しています

標準ツェナー電圧 = 6.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = DO-35。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 7Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 1.7 (Dia.) x 3.9mm。標準電圧温度係数 = 0.045%/K。ツェナーダイオード500 mW、1N52xxシリーズ、Vishay Semiconductor

ピーク波長 = 870nm。パッケージタイプ = 3 mm (T-1)。放射束 = 55mW。放射強度 = 600mW/sr。実装タイプ = スルーホール実装。指向半値角 = ±18°。LED数 = 1。ピン数 = 2。寸法 = 3mm。レンズ形状 = 砲弾型。LED材質 = GaAlAs。Vishay VSLY3850シリーズ赤外線発光ダイオード. Vishay SemiconductorsのVSLY3850赤外線(IR)発光ダイオードは、標準のT-1 (3 mm)パッケージに収納されています。 無色透明のプラスチック製パッケージを備えています。 VSLY3850赤外線LEDに適した用途には、CMOSカメラの赤外線照射源、高速赤外線データ転送、3D TV用途、そしてライトカーテンが含まれます。. VSLY3850赤外線発光ダイオードの特長: T-1 (3 mm)パッケージ スルーホール取り付け ピーク波長: 850 nm 高速 高出力及び高輝度 ビーム角度: 36 °

ピーク波長 = 940nm。パッケージタイプ = 3 mm (T-1)。放射束 = 35mW。放射強度 = 80mW/sr。実装タイプ = スルーホール実装。LED数 = 1。ピン数 = 2。寸法 = 3mm。レンズ形状 = 砲弾型。LED材質 = GaAlAs。Vishay TSALシリーズ赤外線発光ダイオード. Vishay SemiconductorsのTSALファミリは、スルーホール赤外線(IR)発光ダイオードで構成されています。 3 mm (T-1)又は5 mm (T-1 3/4)パッケージの製品が用意されています。 この高出力赤外線発光ダイオードにより、高放射強度の高放射出力が得られます。 TSALファミリは、赤外線リモートコントロールユニット、空気伝送システム、煙感知器の赤外線光源、光学式カウンタやカードリーダーの赤外線光源などの用途に適しています。. パッケージタイプ：リード付き パッケージ形式： T-1 寸法( mm 単位)： O 5 Peak Wavelength ： λ p = 940 nm 高信頼性 高放射出力 高放射強度 半輝度の角度：冷間距離 = ± 17 ° 低順方向電圧 高パルス電流動作に適しています Si 光検出器との良好なスペクトルマッチング. 用途. 高出力が要求される赤外線リモコン装置 自由な空気伝達システム 光学カウンタおよびカードリーダー用の赤外線ソース

ピーク波長 = 850nm。パッケージタイプ = 5 mm (T-1 3/4)。放射束 = 55mW。放射強度 = 600mW/sr。実装タイプ = スルーホール実装。指向半値角 = ±3°。LED数 = 1。ピン数 = 2。寸法 = 5mm。レンズ形状 = 砲弾型。LED材質 = GaAlAs。Vishay VSLY5850シリーズ赤外線発光ダイオード. Vishay SemiconductorsのVSLY5850は、赤外線(IR)発光ダイオードです。 標準のT-1 3/4 (5 mm)スルーホールパッケージに収められています。 放物面レンズ付きの、無色透明のプラスチック製パッケージを備えています。 VSLY5850赤外線LEDに適した用途には、CMOSカメラの赤外線照射源、高速赤外線データ転送、自動煙及び火災感知器、そして赤外線フラッシュ用途が含まれます。. パッケージタイプ：リード付き パッケージ形式： T-1 寸法( mm 単位)： O 5 スタンドオフ付きリード Peak Wavelength ： p=850 nm 高信頼性 高放射出力 高放射強度 半輝度の狭角：冷間時 = ± 3 ° 高パルス電流動作に適しています CMOS カメラとの良好なスペクトルマッチング RoHS 指令 2002/95/EC 、 WEEE 2002/96/EC に準拠 IEC61249-2-21規定に準拠したハロゲンフリー. 用途. CMOS カメラで動作するための赤外線放射源 高速赤外線データ転送 煙自動火災感知器 IR フラッシュ

ピーク波長 = 940nm。パッケージタイプ = 3 mm (T-1)。放射束 = 40mW。放射強度 = 65mW/sr。実装タイプ = スルーホール実装。LED数 = 1。ピン数 = 2。寸法 = 3 x 4.5mm。レンズ形状 = 砲弾型。LED材質 = GaAlAs。Vishay VSLB3940シリーズ赤外線発光ダイオード. Vishay SemiconductorsのVSLB3940は赤外線(IR)発光ダイオードです。この高速IR LEDは、標準のT-1 (3 mm)透明エポキシパッケージに収納されています。VSLB3940赤外線LEDに最適な用途には、赤外線リモコン装置、空気伝送システム、光学式カウンタやカードリーダー用の赤外線光源があります。. VSLB3940 IR LEDの特長: T-1 (3 mm)パッケージ スルーホール ピーク波長: 940 nm 高速 高出力及び高輝度 低順方向電圧

ピーク波長 = 850nm。パッケージタイプ = 5 mm (T-1 3/4)。放射束 = 50mW。放射強度 = 700mW/sr。実装タイプ = スルーホール実装。LED数 = 1。ピン数 = 2。寸法 = 5mm。レンズ形状 = 砲弾型。LED材質 = GaAlAs。Vishay TSHGシリーズ赤外線発光ダイオード. Vishay Semiconductors TSHGシリーズは、スルーホール赤外線(IR) LEDです。このシリーズは、標準の5 mm (T-1 3/4)パッケージに収めています。TSHGシリーズには、無色透明のプラスチック製パッケージがあります。ダブルヘテロ(DH)技術を採用し、高い放射パワーと高速出力を実現します。 TSHGシリーズ赤外線発光ダイオードに適した用途には、CMOSカメラ、高速赤外線データ伝送、自動煙 / 火災感知器などがあります。. TSHG 赤外線 LED の特長： T-1 3/4 ( 5 mm )パッケージ ピーク波長: 830 nm又は850 nm 一部はスタンドオフリード付き 高い信頼性 高出力、高輝度 低順方向電圧

ピーク波長 = 890nm。パッケージタイプ = 5 mm (T-1 3/4)。放射束 = 50mW。放射強度 = 180mW/sr。実装タイプ = スルーホール実装。指向半値角 = 20°。LED数 = 1。ピン数 = 2。寸法 = 5 x 8.7mm。レンズ形状 = 砲弾型。LED材質 = GaAlAs。Vishay TSHFシリーズ赤外線発光ダイオード. Vishay SemiconductorsのTSHFシリーズはスルーホール赤外線(IR) LEDで、GaAlAsダブルヘテロ(DH)技術を採用しています。無色透明のプラスチック製パッケージに収納されています。最適な用途には、赤外線リモコン、空間データ伝送があります。. ピーク波長: 890 nm 高い信頼性 高出力及び高輝度 低順方向電圧 T-1 3/4 (5 mm)フォームパッケージ スタンドオフリードオプション

ピーク波長 = 940nm。パッケージタイプ = 5 mm (T-1 3/4)。放射束 = 40mW。放射強度 = 40mW/sr。実装タイプ = スルーホール実装。指向半値角 = ±25°。LED数 = 1。ピン数 = 2。寸法 = 5.8 (Dia.) x 8.7mm。レンズ形状 = 砲弾型。LED材質 = GaAlAs / GaAs。Vishay TSALシリーズ赤外線発光ダイオード. Vishay SemiconductorsのTSALファミリは、スルーホール赤外線(IR)発光ダイオードで構成されています。 3 mm (T-1)又は5 mm (T-1 3/4)パッケージの製品が用意されています。 この高出力赤外線発光ダイオードにより、高放射強度の高放射出力が得られます。 TSALファミリは、赤外線リモートコントロールユニット、空気伝送システム、煙感知器の赤外線光源、光学式カウンタやカードリーダーの赤外線光源などの用途に適しています。. パッケージタイプ：リード付き パッケージ形式： T-1 寸法( mm 単位)： O 5 Peak Wavelength ： λ p = 940 nm 高信頼性 高放射出力 高放射強度 半輝度の角度：冷間距離 = ± 17 ° 低順方向電圧 高パルス電流動作に適しています Si 光検出器との良好なスペクトルマッチング. 用途. 高出力が要求される赤外線リモコン装置 自由な空気伝達システム 光学カウンタおよびカードリーダー用の赤外線ソース

MIL-R-22097、CECC 41 100。6 mm 1/4インチ250 mW上面調整T63YB。T63シリーズ多回転トリマーは、そのスクエア形状と小さいサイズにより基板での使用に最適で、高密度基板実装と狭い基板間隔を実現できます。多回転動作 低い接触抵抗の変動

シリーズ = NTCLE213E3。温度係数のタイプ = NTC。熱時定数 = 5s。抵抗@ 25℃ = 10kΩ。許容差 = ±1%。最大定格電力 = 100mW。長さ = 2.5mm。奥行き = 2.5mm。高さ = 5.5mm。寸法 = 2.5 x 2.5 x 5.5mm

最大抵抗 = 20kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 14。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.25W。シリーズ = T63。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 1.8 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。MIL-R-22097、CECC 41 100. 6 mm 1/4インチ250 mW上面調整T63YB. T63シリーズ多回転トリマーは、そのスクエア形状と小さいサイズにより基板での使用に最適で、高密度基板実装と狭い基板間隔を実現できます。. 多回転動作 低い接触抵抗の変動

最大抵抗 = 1MΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 14。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.06W。シリーズ = T63。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 1.8 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。MIL-R-22097、CECC 41 100. 6 mm 1/4インチ250 mW上面調整T63YB. T63シリーズ多回転トリマーは、そのスクエア形状と小さいサイズにより基板での使用に最適で、高密度基板実装と狭い基板間隔を実現できます。. 多回転動作 低い接触抵抗の変動

最大抵抗 = 100kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 14。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.25W。シリーズ = T63。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 1.8 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。MIL-R-22097、CECC 41 100. 6 mm 1/4インチ250 mW上面調整T63YB. T63シリーズ多回転トリマーは、そのスクエア形状と小さいサイズにより基板での使用に最適で、高密度基板実装と狭い基板間隔を実現できます。. 多回転動作 低い接触抵抗の変動

最大抵抗 = 500kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 14。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.13W。シリーズ = T63。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 1.8 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。MIL-R-22097、CECC 41 100. 6 mm 1/4インチ250 mW上面調整T63YB. T63シリーズ多回転トリマーは、そのスクエア形状と小さいサイズにより基板での使用に最適で、高密度基板実装と狭い基板間隔を実現できます。. 多回転動作 低い接触抵抗の変動

最大抵抗 = 50kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 14。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.25W。シリーズ = T63。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 1.8 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。MIL-R-22097、CECC 41 100. 6 mm 1/4インチ250 mW上面調整T63YB. T63シリーズ多回転トリマーは、そのスクエア形状と小さいサイズにより基板での使用に最適で、高密度基板実装と狭い基板間隔を実現できます。. 多回転動作 低い接触抵抗の変動

最大抵抗 = 5kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 14。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.25W。シリーズ = T63。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 1.8 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。MIL-R-22097、CECC 41 100. 6 mm 1/4インチ250 mW上面調整T63YB. T63シリーズ多回転トリマーは、そのスクエア形状と小さいサイズにより基板での使用に最適で、高密度基板実装と狭い基板間隔を実現できます。. 多回転動作 低い接触抵抗の変動

最大抵抗 = 10kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 14。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.25W。シリーズ = T63。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 1.8 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。MIL-R-22097、CECC 41 100. 6 mm 1/4インチ250 mW上面調整T63YB. T63シリーズ多回転トリマーは、そのスクエア形状と小さいサイズにより基板での使用に最適で、高密度基板実装と狭い基板間隔を実現できます。. 多回転動作 低い接触抵抗の変動

最大抵抗 = 2kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 14。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.25W。シリーズ = T63。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 1.8 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。6 mm 1 / 4インチ250 mW側面調整74Xシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング 成形ボディ 高さ6.35 mm、ピン径0.4 mm

最大抵抗 = 1kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 14。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.25W。シリーズ = T63。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 1.8 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。6 mm 1 / 4インチ250 mW側面調整74Xシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング 成形ボディ 高さ6.35 mm、ピン径0.4 mm

標準ツェナー電圧 = 10V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = MicroMELF。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = <15Ω。最大逆漏れ電流 = <2μA。寸法 = 2 x 1.2 x 1.2mm。動作温度 Max = +175 ℃%/K。ツェナーダイオード500 mW、BZM55シリーズ、Vishay Semiconductor

最大抵抗 = 5kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 14。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.25W。シリーズ = T63。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 1.8 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。MIL-R-22097、CECC 41 100. 6 mm 1 / 4インチ250 mW側面調整T63XB. T63シリーズ多回転トリマーは、そのスクエア形状と小さいサイズにより基板での使用に最適で、高密度基板実装と狭い基板間隔を実現できます。. 多回転動作 低い接触抵抗の変動

最大抵抗 = 10kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 14。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.25W。シリーズ = T63。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 1.8 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。MIL-R-22097、CECC 41 100. 6 mm 1 / 4インチ250 mW側面調整T63XB. T63シリーズ多回転トリマーは、そのスクエア形状と小さいサイズにより基板での使用に最適で、高密度基板実装と狭い基板間隔を実現できます。. 多回転動作 低い接触抵抗の変動

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1300 mW。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 45mA。最大ツェナーインピーダンス = 10Ω。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 4.1 x 2.6 x 2.6mm。標準電圧温度係数 = 0.015%/℃。ツェナーダイオード1.3 W、BZX85シリーズ、Vishay Semiconductor. シリコン平面パワーツェナーダイオード 定格電力の高い安定回路及びクリッピング回路で使用

標準ツェナー電圧 = 6.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1300 mW。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 35mA。最大ツェナーインピーダンス = 4Ω。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 4.1 x 2.6 x 2.6mm。標準電圧温度係数 = 0.033%/℃。ツェナーダイオード1.3 W、BZX85シリーズ、Vishay Semiconductor. シリコン平面パワーツェナーダイオード 定格電力の高い安定回路及びクリッピング回路で使用

標準ツェナー電圧 = 4.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 80Ω。最大逆漏れ電流 = 3μA。寸法 = 3.1 x 1.43 x 1.05mm。標準電圧温度係数 = -0.015%/℃。ツェナーダイオード300 mW、BZX84シリーズ、Vishay Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (BZX84B)、約5 % (BZX84C) 表面実装ケース: SOT-23

標準ツェナー電圧 = 3.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1300 mW。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 80mA。最大ツェナーインピーダンス = 20Ω。最大逆漏れ電流 = 40μA。寸法 = 4.1 x 2.6 x 2.6mm。標準電圧温度係数 = -0.065%/℃。ツェナーダイオード1.3 W、BZX85シリーズ、Vishay Semiconductor. シリコン平面パワーツェナーダイオード 定格電力の高い安定回路及びクリッピング回路で使用

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 185 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 350 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 3.04mm。高さ = 1.02mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 300 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 350 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。高さ = 1.02mm。NチャンネルMOSFET、60 → 90 V、Vishay Semiconductor