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Vishay 汎用 整流ダイオード, 3A, 1000V スルーホール, 2-Pin DO-201AD シリコンジャンクション 1.2V VISHAYVishay 汎用 整流ダイオード, 3A, 1000V スルーホール, 2-Pin DO-201AD シリコンジャンクション 1.2VVISHAY
649税込714
1袋(10個)
当日出荷
実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-201AD。最大連続 順方向電流 3A。ピーク逆繰返し電圧 1000V。ダイオード構成 シングル。整流タイプ 汎用。ダイオードタイプ 整流器。ピン数 2。最大順方向降下電圧 1.2V。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。直径 5.3mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 200A。Vishay 1N5400-1N5408汎用プラスチック整流器. Vishayの1N5400-1N5408は、汎用整流器のシリーズです。成形エポキシボディを備えたこのシリーズの整流器は、DO-201ADパッケージサイズです。. 特長:. 高い前向きサージを管理できます。 このデバイスは、低い順方向電圧降下を特長としています。 低アース漏洩電流 +245 ℃で最大10秒間はんだ付けを行います。 難燃性: IEC92.1 UL94VO >; 標準回復時間: 500 ns 広い動作温度範囲: -50 +150 つや消しスズめっきリード、J-STD-002とJESDに準拠のはんだ付け性 カラーバンドでカソード端を表示. 用途:. Vishay AS1Fx 標準アバランシェ表面実装整流器は、電源、インバータ、コンバータ、還流ダイオードの汎用的な整流に最適です。
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 汎用 整流ダイオード, 3A, 100V スルーホール, 2-Pin DO-201AD シリコンジャンクション 1.2V VISHAYVishay 汎用 整流ダイオード, 3A, 100V スルーホール, 2-Pin DO-201AD シリコンジャンクション 1.2VVISHAY
389税込428
1袋(10個)
欠品中
実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-201AD。最大連続 順方向電流 3A。ピーク逆繰返し電圧 100V。ダイオード構成 シングル。整流タイプ 汎用。ダイオードタイプ 整流器。ピン数 2。最大順方向降下電圧 1.2V。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。直径 5.3mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 200A。Vishay 1N5400-1N5408汎用プラスチック整流器. Vishayの1N5400-1N5408は、汎用整流器のシリーズです。成形エポキシボディを備えたこのシリーズの整流器は、DO-201ADパッケージサイズです。. 特長:. 高い前向きサージを管理できます。 このデバイスは、低い順方向電圧降下を特長としています。 低アース漏洩電流 +245 ℃で最大10秒間はんだ付けを行います。 難燃性: IEC92.1 UL94VO >; 標準回復時間: 500 ns 広い動作温度範囲: -50 +150 つや消しスズめっきリード、J-STD-002とJESDに準拠のはんだ付け性 カラーバンドでカソード端を表示. 用途:. Vishay AS1Fx 標準アバランシェ表面実装整流器は、電源、インバータ、コンバータ、還流ダイオードの汎用的な整流に最適です。
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 30W 20Ω ±1%, LTO030F20R00FTE3 VISHAYVishay 厚膜 抵抗器 30W 20Ω ±1%, LTO030F20R00FTE3VISHAY
799税込879
1個
5日以内出荷
抵抗 = 20Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値20Ω
Vishay 厚膜 抵抗器 50W 10kΩ ±5%, RTO050F10001JTE1 VISHAYVishay 厚膜 抵抗器 50W 10kΩ ±5%, RTO050F10001JTE1VISHAY
1,998税込2,198
1個
5日以内出荷
抵抗 = 10kΩ。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃)
抵抗値10kΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 50W 4.7Ω ±5%, RTO050F4R700JTE1 VISHAYVishay 厚膜 抵抗器 50W 4.7Ω ±5%, RTO050F4R700JTE1VISHAY
1,698税込1,868
1個
5日以内出荷
抵抗 = 4.7Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃)
抵抗値4.7ΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 30W 50mΩ ±5%, LTO030FR0500JTE3 VISHAYVishay 厚膜 抵抗器 30W 50mΩ ±5%, LTO030FR0500JTE3VISHAY
699税込769
1個
5日以内出荷
抵抗 = 50mΩ。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±700ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値50mΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 50W 1Ω ±1%, LTO050F1R000FTE3 VISHAYVishay 厚膜 抵抗器 50W 1Ω ±1%, LTO050F1R000FTE3VISHAY
1,698税込1,868
1個
5日以内出荷
抵抗 = 1Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +155℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値
Vishay 厚膜 抵抗器 50W 47Ω ±5%, LTO050F47R00JTE3 VISHAYVishay 厚膜 抵抗器 50W 47Ω ±5%, LTO050F47R00JTE3VISHAY
789税込868
1個
5日以内出荷
抵抗 = 47Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値47ΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 50W 1kΩ ±5%, LTO050F10000JTE3 VISHAYVishay 厚膜 抵抗器 50W 1kΩ ±5%, LTO050F10000JTE3VISHAY
699税込769
1個
5日以内出荷
抵抗 = 1kΩ。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +150℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値1kΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 30W 2.2Ω ±5%, LTO030F2R200JTE3 VISHAYVishay 厚膜 抵抗器 30W 2.2Ω ±5%, LTO030F2R200JTE3VISHAY
929税込1,022
1個
5日以内出荷
抵抗 = 2.2Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値2.2ΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay サイリスタ, SCR, 25A, 800V, VS-25RIA80 VISHAYVishay サイリスタ, SCR, 25A, 800V, VS-25RIA80VISHAY
199,800税込219,780
1袋(100個)
7日以内出荷
定格平均オン電流 = 25A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TO-208AA。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 440A。実装タイプ = ねじ取り付け。最大ゲートトリガー電流 = 90mA。最大ゲートトリガー電圧 = 3V。最大保持電流 = 130mA。ピン数 = 2。寸法 = 15.5 x 14.3 x 41.7mm。ピークオンステージ電圧 = 1.7V。Vishay Semiconductor 位相制御サイリスタ
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 20W 10kΩ ±5%, RTO020F10001JTE3 VISHAYVishay 厚膜 抵抗器 20W 10kΩ ±5%, RTO020F10001JTE3VISHAY
7,598税込8,358
1袋(5個)
7日以内出荷
抵抗 = 10kΩ。定格電力 = 20W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 20。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +155℃。リード間隔 = 5.08mm。20 W RTO20シリーズ. 無誘導厚膜抵抗器 TO-220ハウジングに収められ、ヒートシンクに取り付けられたこれらの抵抗器は、コンパクトで定格電力が高く、小型パッケージに容易に実装可能
抵抗値10kΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 20W 1Ω ±5%, RTO020F1R000JTE3 VISHAYVishay 厚膜 抵抗器 20W 1Ω ±5%, RTO020F1R000JTE3VISHAY
7,598税込8,358
1袋(5個)
7日以内出荷
抵抗 = 1Ω。定格電力 = 20W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 20。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +155℃。リード間隔 = 5.08mm。20 W RTO20シリーズ. 無誘導厚膜抵抗器 TO-220ハウジングに収められ、ヒートシンクに取り付けられたこれらの抵抗器は、コンパクトで定格電力が高く、小型パッケージに容易に実装可能
抵抗値RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 20W 3.9Ω ±5%, RTO020F3R900JTE3 VISHAYVishay 厚膜 抵抗器 20W 3.9Ω ±5%, RTO020F3R900JTE3VISHAY
6,298税込6,928
1袋(5個)
7日以内出荷
抵抗 = 3.9Ω。定格電力 = 20W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 20。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。厚膜型の電力抵抗器 - 20 W - 金属ベース. 無誘導厚膜抵抗器 TO-220ハウジングに収められ、ヒートシンクに取り付けられたこれらの抵抗器は、コンパクトで定格電力が高く、小型パッケージに容易に実装できます。
抵抗値3.9ΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 50W 5Ω ±5%, LTO050F5R000JTE3 VISHAYVishay 厚膜 抵抗器 50W 5Ω ±5%, LTO050F5R000JTE3VISHAY
31,980税込35,178
1セット(50個)
7日以内出荷
抵抗 = 5Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 30W 47Ω ±5%, LTO030F47R00JTE3 VISHAYVishay 厚膜 抵抗器 30W 47Ω ±5%, LTO030F47R00JTE3VISHAY
29,980税込32,978
1セット(50個)
7日以内出荷
抵抗 = 47Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値47ΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 汎用 整流ダイオード, 3A, 400V スルーホール, 2-Pin DO-201AD シリコンジャンクション 1.2V VISHAYVishay 汎用 整流ダイオード, 3A, 400V スルーホール, 2-Pin DO-201AD シリコンジャンクション 1.2VVISHAY
41,980税込46,178
1セット(1400個)
7日以内出荷
実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-201AD。最大連続 順方向電流 3A。ピーク逆繰返し電圧 400V。ダイオード構成 シングル。整流タイプ 汎用。ダイオードタイプ 整流器。ピン数 2。最大順方向降下電圧 1.2V。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。直径 5.3mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 200A。Vishay 1N5400-1N5408汎用プラスチック整流器. Vishayの1N5400-1N5408は、汎用整流器のシリーズです。成形エポキシボディを備えたこのシリーズの整流器は、DO-201ADパッケージサイズです。. 特長:. 高い前向きサージを管理できます。 このデバイスは、低い順方向電圧降下を特長としています。 低アース漏洩電流 +245 ℃で最大10秒間はんだ付けを行います。 難燃性: IEC92.1 UL94VO >; 標準回復時間: 500 ns 広い動作温度範囲: -50 +150 つや消しスズめっきリード、J-STD-002とJESDに準拠のはんだ付け性 カラーバンドでカソード端を表示. 用途:. Vishay AS1Fx 標準アバランシェ表面実装整流器は、電源、インバータ、コンバータ、還流ダイオードの汎用的な整流に最適です。
RoHS指令(10物質対応)対応
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